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适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOS FET的阈值模拟

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摘要本文提出了一种简单的模型来描述增强型MOS场效应晶体管的阈值和弱反型工作。对照两维数字模拟对这种模型进行了检查,得到了晶体管特性的准确描述。这种模型具有电流和电导的连续性,适合于低电压低功耗CMOS集成电路的计算机辅助设计。

作者 G.T.Wright 黄定礼

出处《微电子学》 CAS CSCD 1989年第1期43-49,共7页 Microelectronics

关键词 CMOS集成电路 CAD MOSFET 阈值

分类号 TN432.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

1989年第1期

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