期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
一种新型低功耗CMOS运算放大器
在线阅读
下载PDF
职称材料
导出
摘要
本文报道了一种新型的低功耗CMOS运算放大器。放大器设计MOSFET在弱反型区工作,从而在较低功耗下获得较高增益。计算机模拟结果表明,在电源电压为±3V时,该CMOS运算放大器的开环增益可达96dB,静态功耗为80μW。
作者
牛秀卿
何人人
出处
《南开大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1993年第4期58-62,共5页
Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Nankaiensis
关键词
低功耗
CMOS
运算放大器
分类号
TN722.77 [电子电信—电路与系统]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
G.T.Wright,黄定礼.
适用于CMOS超大规模集成电路计算机辅助设计的MOS FET的阈值模拟[J]
.微电子学,1989,19(1):43-49.
2
瞿江峰.
弱反型MOS电路的噪声和失调研究[J]
.高职论丛,2008(2):7-12.
3
瞿江峰.
MOS管工作于弱反型区时的噪声分析[J]
.江苏教育学院学报(自然科学版),2005(4):37-39.
4
李新,杨国坤,王业飞.
一种低功耗高增益复合共源共栅放大器[J]
.微电子学,2013,43(4):472-475.
5
朱臻.
Poly-Si TFT弱反型区表面势分布研究[J]
.山西大学学报(自然科学版),2014,37(1):86-90.
6
王会杰,王春华,何海珍,李湛.
一种基于MOS亚阈值特性的低功耗电压基准源[J]
.微电子学,2011,41(5):654-657.
被引量:7
7
朱秋萍,方志豪,龚茂枝.
小尺寸MOS场效应管弱反型饱和特性[J]
.武汉大学学报(自然科学版),1994,40(6):51-56.
8
郭丽芳,姚若河,李文冠.
低功耗CMOS电压基准源的设计[J]
.现代电子技术,2008,31(12):27-30.
被引量:1
9
杨银堂,李晓娟,朱樟明,韩茹.
低压低功耗运算放大器结构设计技术[J]
.电路与系统学报,2005,10(4):95-101.
被引量:8
10
张洹千,杨银堂,朱樟明.
一种衬底驱动的0.5V全差分运算放大器[J]
.西安电子科技大学学报,2008,35(6):1036-1040.
被引量:1
南开大学学报(自然科学版)
1993年 第4期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部