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IBM推出用于无线应用的下一代硅锗技术

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摘要 IBM日前宣布推出第四代硅锗制造技术，其性能可达到上一代技术的2倍以上。这种全新的130nm硅锗双极互补金属氧化半导体（SiGe BiCMOS）制造技术可以降低移动消费类电子产品的成本，推动高带宽无线通信的发展，并可以应用在汽车雷达等创新应用上。

出处《微电脑世界》 2005年第9期46-46,共1页 PC World China

关键词硅锗技术无线应用 IBM 一代推出互补金属氧化半导体消费类电子产品制造技术无线通信

分类号 TP303 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN92 [电子电信—通信与信息系统]

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微电脑世界

2005年第9期

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