摘要
本文主要讨论了VO2薄膜的相变温度和相变过程的光电、热致回线宽度的特性,同时分析了对这些特性的主要影响因素,并探讨了VO2薄膜在目前可使用器件中的应用机理。
The properties of phase transition temperature, photoelectron and thermal hysteresis width for VO2 films are discussed. The effect of the main factors on MIT properties is analyzed. The application mechanism of VO2 films in present instruments is presented.
出处
《红外》
CAS
2005年第9期5-8,共4页
Infrared