摘要
通过正交试验设计对制备ＶＯ２薄膜过程中的部分影响因素（膜厚，最终热处理温度和热处理保温时间）进行了分析研究。ＶＯ２薄膜由无机溶胶－凝胶法制备Ｖ２Ｏ５凝胶膜经真空热处理而成。试验结果表明，ＶＯ２薄膜的最终电学性能明显受到膜厚、热处理温度和保温时间的影响。其中以热处理温度的影响作用最为显著。当真空度为３Ｐａ、升温速率为２℃／ｍｉｎ时，在试验参数范围内（真空热处理温度３４０～５００℃，保温时间４０～２４０ｍｉｎ，膜厚０．２５～０．４５μｍ），经分析得到使ＶＯ２薄膜具有最大电阻突变特性的优化工艺为：加热温度５００℃，保温时间１４０ｍｉｎ，膜厚０．２５μｍ。文中对试验结果进行了讨论。
The preparation conditions for producing VO 2 thin films by inorganic sol-gel method were studied by orthogenal expermental design. It was found that vacuum heat treatment conditions, including temperature and time,and film thickness showed strong effects on the electrical switching properties of VO 2 films.The best conditions to obtain the largest resistance switching in the parameter ranges of 340～500℃,40～240min,and 0.25～0.45μm were:treatment temperature:500℃,treatment time:140min,and films,thickness:0.25μm
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第1期52-55,共4页
Journal of Functional Materials
基金
航空部科学基金
关键词
VO2
薄膜
凝胶法
金属-绝缘体
转变
VO 2 thin films,inorganic sol gel method,metal insulator transition
