摘要
本文首先叙述0．5μmCMOSIC技术，然后探讨了利用室温液相氧化淀积实现的全对称7块掩模CMOS工艺及0．25～0．1μmCMOS工艺技术。
This paper first describes 0.5μm CMOS integrated circuits technology, moreover it inqtlires into a fully sytnmetric 7 mask CMOS technology that utilizing a room temperature liquid phase oxide deposition technique,and 0. 25~0. 1μm CMOS technology.
出处
《微处理机》
1995年第2期1-4,共4页
Microprocessors
关键词
亚微米
CMOS
集成电路
光刻
LDD
RIE
Ultra－shallow junction
interconnects
TDDB
