X射线光刻现状

Present Status of x-Ray Lithography Technology

下载PDF

导出

摘要本文介绍x射线光刻的x射线源、光刻机、掩模和抗蚀剂的现状。 The present status of the source, stepper, mask and resist for x-ray lithography technology are described, in this paper.

作者袁明文

机构地区机电部第

出处《半导体情报》 1991年第4期17-22,共6页 Semiconductor Information

关键词半导体器件工艺 X射线光刻掩模 x-Ray Lithography Mask

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1Joe Shiefman,黄印权.掩模测量[J].电子工业专用设备,1989(1):64-66.
2谢常青,叶甜春,陈梦真.193nm与x射线光刻技术比较[J].半导体技术,1998,23(4):1-4. 被引量：2
3赵丽新.EB制作1:1主掩模的工艺研究[J].微电子技术,1996,24(4):28-32.
4王国荃,罗腾蛟,陈福余,徐志如.对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析[J].微细加工技术,1992(1):1-6. 被引量：1
5Arty.,LA,任延同.点源投影X射线光刻[J].光机电世界,1993,10(3):1-16.
6冯伯儒.什么是相移掩模[J].光的世界,1992,10(3):10-11.
7谢丹.LIGA技术──制造微结构匠最新技术[J].光的世界,1993(1):10-11.
8刘泽文,田扬超,胡一贯,阚娅.同步辐射X射线光刻初步实验结果[J].科学通报,1994,39(6):572-573.
9周崇喜,胡松.光学光刻的现状及未来[J].电子工业专用设备,1999,28(2):2-4. 被引量：4
10G.Makosch,F.prein,童志义.用于投影光刻机掩模自动对准的锁相干涉技术[J].电子工业专用设备,1989(1):56-63.

半导体情报

1991年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

X射线光刻现状

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史