碳化硅薄膜热敏材料的制备

下载PDF

导出

摘要本文介绍了采用硅、碳复合靶射频溅射镀制碳化硅薄膜。用四探针法分别测得了在不同氩气分压下,不同溅射功率与基板温度下,电阻率与温度关系曲线。用 NP-1型光电子能谱仪测量薄膜成分。结果表明在不同的溅射条件下,制备的碳化硅薄膜属于硅、碳、碳化硅混合成分的薄膜,其电阻率相差很大。本工艺制备的碳化硅薄膜,在所测量的0～300℃温区内,具有明显的负温度系数。

作者杨树贵王静刘玉娟

机构地区东北工学院物理系

出处《仪表材料》 CSCD 1989年第1期47-50,共4页

关键词碳化硅材料碳化硅薄膜热敏材料

分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献1

1谭辉,陶明德.Si-C混合非晶膜的退火特性分析[J]仪表材料,1984(05).

1松下开发0—500℃的碳化硅薄膜热敏电阻器[J].磁与瓷通讯,1989(4):10-11.
2杨莫慧.大功率器件用碳化硅材料[J].有色与稀有金属国外动态,1997(10):8-10.
3王彩琳.电力半导体器件的最新发展动向[J].半导体情报,1999,36(1):27-32. 被引量：4
4未休.低温掺磷碳化硅薄膜生长[J].电子材料快报,1995(12):7-8.
5毋梅莲,赵玉洁.碳化硅材料可提高相控阵雷达对隐身目标的探测能力[J].电子工程信息,1994(9):24-24.
6王海峰.二氧化钒超细粉体和薄膜研究进展[J].中国粉体工业,2008(4):27-30.
7任学民.碳化硅单晶生长技术进展及应用前景[J].电子材料（机电部）,1995(10):6-8.
8赵武,邓周虎,闫军锋,张志勇.SiC薄膜的制备及其光敏特性[J].华中科技大学学报（自然科学版）,2007,35(S1):37-40. 被引量：1

仪表材料

1989年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

碳化硅薄膜热敏材料的制备

参考文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史