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松下开发0—500℃的碳化硅薄膜热敏电阻器

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出处《磁与瓷通讯》 1989年第4期10-11,共2页

关键词热每电阻器碳化硅薄膜

分类号 TN375 [电子电信—物理电子学]

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1杨树贵,王静,刘玉娟.碳化硅薄膜热敏材料的制备[J].仪表材料,1989,20(1):47-50.
2未休.低温掺磷碳化硅薄膜生长[J].电子材料快报,1995(12):7-8.
3赵武,邓周虎,闫军锋,张志勇.SiC薄膜的制备及其光敏特性[J].华中科技大学学报（自然科学版）,2007,35(S1):37-40. 被引量：1

磁与瓷通讯

1989年第4期

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