期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

提高CMOS电路抗闩锁能力的阱源结构设计

全文增补中

导出

摘要提出了一种较好的抗闩锁CMOS结构——阶源结构.对阶源结构和常规结构的CMOS反相器进行了电触发闩锁特性和激光器辐照实验研究,就实验结果进行了分析讨论.

作者黄胜明宋钦岐

机构地区骊山微电子公司

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期47-49,共3页 Semiconductor Technology

关键词 CMOS 电路抗闩锁阱源结构

分类号 TN432.02 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1康晓锋,李威,李东珊.CMOS电路抗闩锁研究[J].微处理机,2009,30(1):14-15. 被引量：3
2朱利恒,蒋其梦,陈星弼.具有更宽安全工作区的IGBT元胞的研究与设计[J].微电子学,2010,40(6):904-907. 被引量：3
3林英,桂力敏.体硅CMOS寄生参数的数值模拟及抗闩锁能力的测试分析[J].微电子学与计算机,1990,7(10):8-12.
4吕江萍,胡巧云.集成电路中接口电路的设计[J].集成电路通讯,2013(1):39-44.
5曹宏斌.CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究[J].半导体情报,1999,36(5):57-62. 被引量：2
6韩兆芳,虞勇坚.工艺阱深对CMOS集成电路抗闩锁性能的影响[J].电子与封装,2014,14(6):45-47. 被引量：2
7高东岳.IGBTSCSOA的改善[J].中国集成电路,2014,23(6):47-49. 被引量：1
8宋慧滨,唐晨,易扬波,孙伟锋.功率集成电路中一种抗闩锁方法研究[J].半导体技术,2006,31(6):429-431. 被引量：3
9朱琪,华梦琪.CMOS工艺中抗闩锁技术的研究[J].电子与封装,2014,14(4):34-37. 被引量：6
10王新华,王建芬.电路设计中CMOS器件闩锁的分析与对策[J].微计算机信息,2008,24(5):275-277. 被引量：1

半导体技术

1989年第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部