Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究

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摘要本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大，最后导致欧姆接触失效。ＡＥＳ分析表明，试验后的样品发生了Ｎｉ，Ａｕ和ＧａＡｓ的互扩散。

作者李志国李静孙英华吉元程尧海严永鑫李学信

机构地区北京工业大学电子工程系

出处《半导体杂志》 1995年第4期21-24,共4页

关键词欧姆接触失效机理半导体器件

1李志国,李静,孙英华,郭伟玲,吉元,程尧海,严永鑫,李学信.Au／AuGeNi／n－GaAs欧姆接触失效机理的研究[J].微电子学,1996,26(4):226-229. 被引量：3
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半导体杂志

1995年第4期

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