电力半导体器件的现状及发展趋势被引量：4

Present Status and Development Tendency of Power Semiconductor Devices

下载PDF

导出

摘要电力半导体器件的现状及发展趋势ＰｒｅｓｅｎｔＳｔａｔｕｓａｎｄＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔＴｅｎｄｅｎｃｙｏｆＰｏｗｅｒＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＤｅｖｉｃｅｓ西安电力电子技术研究所吴济均（西安７１００６１）１前言电力半导体器件的特性直接影响到电力电子系统...

作者吴济均

机构地区西安电力电子技术研究所

出处《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第3期77-83,共7页 Power Electronics

关键词电力半导体器件制造发展

同被引文献26

1N.沃马罗,M.奥苏基,Y.霍希,S.约希沃塔里,T.米耶塞凯,Y.西基,花蕾.1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管[J].电力电子,2004,2(4):44-47. 被引量：2
2蔡宣三.关于电力电子应用技术开发研究的建议[J].电网技术,1994,18(5):59-64. 被引量：4
3王兆安.电力电子技术的发展动向[J].电力电子技术,1995,29(4):80-85. 被引量：22
4张为佐,白继彬.电力电子技术发展的新动向[J].电力电子技术,1996,30(4):1-5. 被引量：6
5胡冬青.SPT^+,下一代低损耗高压IGBT[J].电力电子,2006,4(6):37-41. 被引量：1
6陈星弼.MOS型功率器件[J].电子学报,1990,18(5):97-105. 被引量：14
7张立赵永健.现代电力电子技术[M].北京:科学出版社,1995..
8刘进军王兆安.谐波研究的现状与趋势.中国电工技术学会电力电子学会四届学术报告论文集[M].-,1998.92-97.
9张中一宁元中等.电力谐波[M].成都:成都科技大学出版社,1992.2-10.
10周文定,亢宝位.不断发展中的IGBT技术概述[J].电力电子技术,2007,41(9):115-118. 被引量：20

1蔡彬,刘航辉,曹耀丰.功率半导体模块压接工艺改进[J].各界,2018,0(16):187-187.
2王昭,董妮,李君伟.ABB 4 500 V/1 200 A IGBT动态参数测试研究[J].电力电子技术,2019,53(6):131-133. 被引量：1
3董妮,王昭,李君伟.ABB HiPak 6500 V IGBT特性参数测试研究[J].固体电子学研究与进展,2019,39(6):450-454.
4彭荣.基于OLED器件的封装方法研究[J].电子与封装,2020,20(5):1-6. 被引量：1
5张栋凯,陈羽飞,姜婷玉,徐科,何永君,陈谦,鞠平.电力系统的电力电子化趋势分析与探讨[J].河海大学学报（自然科学版）,2020,48(4):377-384. 被引量：14
6王鸿吉.基于抽头变换方法的多脉波整流电路[J].电力安全技术,2020,22(11):8-11. 被引量：2
7孙志宇,魏晓光,赵志斌,周万迪.基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型[J].电子学报,2021,49(3):492-499. 被引量：1

电力电子技术

1995年第3期

内容加载中请稍等...