期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

新型四探针法测量离子注入精度与均匀性被引量：1

下载PDF

导出

摘要 1 引言离子注入方法具有很高的注入精确度和均匀性,其注入剂量重复性优于1％,整个硅片上的注入均匀性约在±1％左右。这是其它工艺方法所无法比拟的,因此离子注入已广泛地用于大规模集成电路的工艺过程中。

作者富乃成

机构地区中国计量科学研究院

出处《微电子测试》 1994年第2期33-36,共4页

关键词大规模集成电路离子注入四探针法测量精度

分类号 TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献5

1宋宁,周坤.离子注入工艺技术[J].集成电路通讯,2005,23(4):15-18. 被引量：4
2张通和,吴瑜光,罗晏.离子注入退火晶格恢复和电激活动力学研究[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1988,24(3):54-59. 被引量：1
3Shao-Jun Zhang,Yuan-Yuan Liu,Sha-Sha Lv,Jian-Ping Cheng,Bin Liao,Pan Pang,Zhi Deng,Li He.Surface metallization of PTFE and PTFE composites by ion implantation for low-background electronic substrates in rare-event detection experiments[J].Nuclear Science and Techniques,2022,33(7):37-47. 被引量：2
4杨治规.离子注入机真空系统特性研究[J].真空,1992,29(4):17-20. 被引量：1
5王笑然,高松.离子注入工艺各个参数的调整[J].微处理机,2004,25(3):12-13. 被引量：4

引证文献1

1任杰,王元之,张翔,王世贵,马美玲,廖强.硼源漏区离子注入及退火后的方块电阻均匀度控制技术分析[J].集成电路应用,2023,40(10):33-35.

微电子测试

1994年第2期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部