HgCdTe化学束外延

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摘要本文讨论化学束外延解决的Hg_(1-x)Cd_xTe生长和掺杂中关键性材料问题的能力,及其增强组分和生长率控制的优点。通过评述窄禁带合金(X<0.3)的电子学和光导性能和对n-型碘掺杂CdTe的初步研究,实验演证了这一技术。

作者 C J Summers 李玲

出处《红外》 CAS 1994年第6期14-19,共6页 Infrared

关键词 HGCDTE 化学束外延掺杂半导体电光性能

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红外

1994年第6期

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