lnP单晶中残留杂质的光致发光测定
-
1郑显明.LPE制作平面型InGaAs/InP APD[J].半导体光电,1993,14(1):41-47.
-
2沈鸿烈,杨根庆.半绝缘lnp中Si^＋＋P^＋双注入的电学特性[J].科技通讯（上海）,1991,5(1):8-10.
-
3付士萍.光致发光测定6H－SiC中的氮掺杂浓度[J].半导体情报,1995,32(5):40-42.
-
4lnP单晶薄膜的制备和吸收测量[J].发光快报,1993,14(1):38-41.
-
5徐至中.与InP晶格相匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)半导体的光学常数计算[J].Journal of Semiconductors,1989,10(2):153-157.
-
6师庆华.分子束外延生长轻掺杂SiGaAs的光致发光[J].液晶与显示,1990,10(4):30-33.
-
7周春锋,林健,郭鑫,吴元庆,张亮,赖占平.LEC-GaAs晶体中残留杂质碳和硼的控制[J].半导体技术,2007,32(4):288-292. 被引量：4
-
8激光工作物质[J].中国光学,1999(6):16-16.
-
9颜永美.lnP单晶特性的低温光伏研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(1):20-27. 被引量：1
-
10OMVPE生长lnP：Zn／InGaAs／InPp—i—n双异质结中的Zn掺杂[J].发光快报,1993,14(1):45-48.
;
