期刊文献+

利用电子束曝光系统制作高深宽比图形的研究 被引量:1

Research of figures with high aspect ratio made by electron beam lithography system
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 为了加工具有高深宽比的器件,采用能量连续递减近似模型,运用蒙特卡罗方法分析高能电子束曝光领域的电子散射轨迹及背散射电子对曝光分辨力的影响,探讨了制作高深宽比图形的工艺条件。计算机模拟结果与实验结果吻合得很好,表明在其它实验条件不变的情况下,较高的加速电压能提高图形的高深宽比,提供了制作高深宽比图形的一种方法。 In order to make device with high aspect ratio,the Monte Carlo method using a continuous-slowing-down approximation model is applied to estimate the trajectory of electrons and the effect of back scattered electrons on e-beam lithography resolution,in the field of high energy e-beam lithography and study the process for high aspect ratio structures.The computer simulation results show good agreement with the experiments,which means that under the same experimental conditions,a higher accelerating voltage can improve the aspect ratio of the resist profile,and provide a way to acquire high aspect ratio figures.
出处 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2004年第11期30-31,37,共3页 Journal of Transducer Technology
关键词 高深宽比 电子束曝光系统 分辨力 器件 图形 背散射 电子散射 制作 加速 计算机模拟 Monte Carlo method electron beam lithography scatter high aspect ratio figure
  • 相关文献

参考文献2

  • 1Rooks M J, Kratschmer E, Viswanathan R. Low stress development of poly(methylmethacrylate) for high aspect ratio structures [J]. J Vac Sci Technol B,2002,20(6) :2937 -2941.
  • 2Kenji Murata. Monte Carlo simulation of electron scattering in resist film/substrate targets [C]. Chicago, U. S. A: Scanning Electron Microscopy, Inc, 1984.311 - 329.

同被引文献3

引证文献1

二级引证文献5

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部