SiC薄膜热敏电阻器及温度传感器被引量：1

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摘要利用射频溅射法用烧结多晶碳化硅靶制取了SiC薄膜热敏电阻器;研究并分析了SiC薄膜从非晶态到晶态的转变过程及有关现象;制取了SiC薄膜温度传感器;对非晶态及晶态SiC薄膜温度传感器的电学性能、热稳定性及热敏特性进行了对比和研究。

作者田民波王英华汤海鹏

机构地区清华大学材料科学与工程系

出处《传感器技术》 CSCD 1989年第4期26-31,共6页 Journal of Transducer Technology

关键词 SIC薄膜热敏电阻器温度传感器

参考文献1

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传感器技术

1989年第4期

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