摘要
讨论了硅的压阻效应 ,利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ,并制备出样品 ,测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。
This paper discusses piezoresistive effect of silicon, with simplified mechanical models. The structural parameters of the piezoresistive accelerometer for high-g value are designed. The process flow and layout are given, and the acceleration of prepared sample is above 8 000g.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期318-321,349,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
压阻效应
高G值
加速度传藤器
SOI衬底
硅胶灌注
piezoresistive effect
high-g value
accelerometer
SOI substrate
pouring silica gel into tube
