期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟 被引量：6

原文传递
导出
摘要 提出了一种将极化效应引入GaN基异质结器件模拟中的方法. 在传统器件模拟软件中, 通过在异质结界面插入d 掺杂层, 利用其离化的施主或受主充当极化产生的固定电荷从而引入极化效应. 模拟了 Ga面生长和 N面生长的AlGaN/ GaN单异质结, 结果显示只有前者在异质结界面有载流子限制效应, 而后者没 有; Ga面生长的AlGaN/GaN异质结界面处自由电子面密度随Al组分以及AlGaN的厚度增加而增加. 以上模拟结果与其他报道中的实验以及计算结果一致, 说明该方法可有效地将极化效应引入GaN基异质结器件的模拟中.
作者 李娜 赵德刚 杨辉
机构地区 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室
出处 《中国科学（G辑）》 CSCD 2004年第4期422-429,共8页
关键词 半导体材料 铝镓氮/氮化镓异质结 极化效应 禁带宽度 能带结构
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献16

  • 1[1]Asbeck P M, Yu E T, Lau S S, et al. Piezoelectric charge densities in AlGaN/GaN HFET's. Electron Lett,1997, 33:1230～1233
  • 2[2]Yu E T, Sullivan G J, Asbeck P M. Measurement of piezoelectrically induced charge in GaN/AlGaN heterostructure field-effect transistors. Appl Phys Lett, 1997, 71 (19): 2794～2796
  • 3[3]Kumakura K, Makimoto T, Kobayashi N. Low-resistance nonalloyed Ohmic contact to p- type GaN using strained InGaN contact layer. Appl Phys Lett, 2001,79 (16): 2588～2590
  • 4[4]Li Y-L, Schubert E F, Graft J W, et al. Low-resistance ohmic contacts to p-type GaN. Appl Phys Lett, 2000,76(19): 2728～2730
  • 5[5]Gessmann T, Li Y-L, Waldron E L, et al. Ohmic contacts to p-type GaN mediated by polarization fields in thin InxGaN 1-x capping layers. Appl Phys Lett, 2002, 80(6): 986～988
  • 6[6]Gessmann T, Graft J W, Li Y-L, et al. Ohmic contact technology in Ⅲ nitrides using polarization effects of cap layers. J Appl Phys, 2002, 92(7): 3740～3744
  • 7[7]Kwak J S, Lee K Y, Han J Y, et al. crystal-polarity dependence of Ti/Al contacts to freestanding n-GaN substrates. Appl Phys Lett, 2001, 79(6): 3254～3256
  • 8[8]Jang H W, Lee J H, Lee J L. Characterization of band bendings on Ga-face and N-face GaN films grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Appl Phys Lett, 2002, 80(21): 3955～3957
  • 9[9]Hsu L, Walukiewicz W. Effect of polarization fields on transport properties in AlGaN/GaN heterostructures.J Appl Phys, 2001, 89(3): 1783～1789
  • 10[10]Sze S M. Physics of Semiconductor Devices. New York: John Wiley & Sons, 1981, 50

同被引文献78

引证文献6

二级引证文献9

中国科学（G辑）
2004年 第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部