摘要
近年来,有许多利用非晶硅锗合金(a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>·H)作为长波长光探测器材料的研究报导.p-i-n结构的a-SiGe∶H二极管已成功地用于检测红外光.这表明采用非晶硅薄膜晶体管工艺,有可能在玻璃基底上制作红外光电子集成电路.在我们对非晶硅光传感器的研究中,肖特基势垒二极管的性能优于p-i-n结构,它快速响应、制造简单、可靠性高。这促使我们开展对a-Si<sub>l-x</sub>Ge<sub>x</sub>∶H红外肖特基势垒探测器的研究.
出处
《电子器件》
CAS
1993年第2期97-102,共6页
Chinese Journal of Electron Devices
