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Simulation of capacitively coupled Ar/O_(2)discharges based on global/equivalent circuit model and an extended reaction set
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作者 Yi Wang Wan Dong +2 位作者 Yi-Fan Zhang Liu-Qin Song Yuan-Hong Song 《Chinese Physics B》 2025年第8期623-635,共13页
Radio frequency capacitively coupled plasmas(RF CCPs)operated in Ar/O_(2)gas mixtures which are widely adopted in microelectronics,display,and photovoltaic industry,are investigated based on an equivalent circuit mode... Radio frequency capacitively coupled plasmas(RF CCPs)operated in Ar/O_(2)gas mixtures which are widely adopted in microelectronics,display,and photovoltaic industry,are investigated based on an equivalent circuit model coupled with a global model.This study focuses on the effects of singlet metastable molecule O_(2)(b^(1)∑_(8)^(+)),highly excited Herzberg states O_(2)(A^(3)∑_(u)^(+),A^(3)△_(u),c^(1)∑_(u)^(-)),and the negative ion O_(2)^(-),which are usually neglected in simulation studies.Specifically,their impact on particle densities,electronegativity,electron temperature,voltage drop across the sheath,and absorbed power in the discharge is analyzed.The results indicate that O_(2)(b^(1)∑_(8)^(+))and O_(2)^(-)exhibit relatively high densities in argon-oxygen discharges.While O_(2)(A^(3)∑_(u)^(+),A^(3)△_(u),c^(1)∑_(u)^(-))play a critical role in O_(2)b1S+g production,especially at higher pressure.The inclusion of these particles reduces the electronegativity,electron temperature,and key species densities,especially the O^(-)and O^(*)densities.Moreover,the sheath voltage drop,as well as the inductance and resistance of the plasma bulk are enhanced,while the sheath dissipation power and total absorbed power decrease slightly.With the increasing pressure,the influence of these particles on the discharge properties becomes more significant.The study also explores the generation and loss of main neutral species and charged particles within the pressure range of 20 mTorr-100 mTorr(1 Torr=1.33322×10^(2)Pa),offering insights into essential and non-essential reactions for future low-pressure O_(2)and Ar/O_(2)CCP discharge modeling. 展开更多
关键词 Ar/O_(2)CCP discharges reaction set equivalent circuit model global model
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磁阻传感器中SET/RESET充磁电路的分析 被引量:14
2
作者 孔庆新 张朝晖 +1 位作者 蓝金辉 王立锦 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期118-119,共2页
介绍了HONEYWELL公司HMC系列磁阻传感器的关键部分——Set/Reset充磁电路。并对其在实际电路中应用时的电平不匹配问题进行了讨论,对4种电路方案进行了详细的分析,并总结了在设计、试验该电路过程中的经验。
关键词 磁阻传感器 充磁电路 电路分析
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磁阻式磁强计的SET/RESET电路设计及应用 被引量:10
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作者 孙雪峰 熊沈蜀 +1 位作者 周兆英 朱荣 《电测与仪表》 北大核心 2003年第7期22-25,共4页
SET/RESET电路是配合磁阻式磁强计使用的必不可少的外围电路之一,本文阐述了SET/RESET功能的原理,分析了设计SET/RESET电路的出发点,介绍了SET/RESET电路的一个实例,并且将它应用于微型方位水平仪,取得了良好的效果。
关键词 磁阻式磁强计 set/reset电路 微型方位水平仪 电路设计
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高精度磁阻式罗盘及其SET/RESET电路设计 被引量:4
4
作者 宋宇宁 周兆英 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z2期1513-1514,共2页
本文介绍用磁阻式磁强计设计的磁罗盘的设计,以及其SET/RESET电路的设计。详细分析磁阻式磁强计的特点和使用要点,根据对大地磁场进行的分析,对航向角的解算算法进行推导,并重点介绍如何根据载体的俯仰角、滚转角来获取精确的航向角。... 本文介绍用磁阻式磁强计设计的磁罗盘的设计,以及其SET/RESET电路的设计。详细分析磁阻式磁强计的特点和使用要点,根据对大地磁场进行的分析,对航向角的解算算法进行推导,并重点介绍如何根据载体的俯仰角、滚转角来获取精确的航向角。试验数据和曲线也同时进行介绍。 展开更多
关键词 罗盘 磁阻式磁强计 set reset
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连续性RESET/SET对相变存储器疲劳特性的影响 被引量:2
5
作者 吴磊 蔡道林 +6 位作者 陈一峰 刘源广 闫帅 李阳 余力 谢礼 宋志棠 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第9期1134-1141,共8页
为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲... 为探究连续性RESET操作和连续性SET操作对相变存储器疲劳特性的影响,基于4 Mbit相变存储器芯片进行了不同RESET-SET次数比的疲劳特性研究,给出了连续RESET和连续SET操作后相变单元阻值分布的变化情况.将RESET-only与SET-only模式下的疲劳特性与常规疲劳特性进行了对比分析,并对失效原因和修复方法进行了讨论;对比了8种不同RESET-SET次数比下的单元疲劳特性.实验结果表明:连续性RESET操作对相变存储器疲劳特性的影响很小,RESET-only模式下的相变存储器疲劳特性与常规疲劳特性处于同一量级;连续性SET操作会显著降低相变存储器的的疲劳特性,SET-only模式下相变存储器疲劳特性比常规疲劳特性低2个数量级;连续性RESET操作带来的失效无法逆转,而连续性SET操作带来的失效可以通过间隙性施加RESET操作得以修复. 展开更多
关键词 相变存储器 连续性reset操作 连续性set操作 疲劳特性 失效改善
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ANALYSIS OF CIRCUIT TOLERANCE BASED ON RANDOM SET THEORY 被引量:1
6
作者 Xu Xiaobin Wen Chenglin 《Journal of Electronics(China)》 2008年第6期852-859,共8页
Monte Carlo Analysis has been an accepted method for circuit tolerance analysis, but the heavy computational complexity has always prevented its applications. Based on random set theory, this paper presents a simple a... Monte Carlo Analysis has been an accepted method for circuit tolerance analysis, but the heavy computational complexity has always prevented its applications. Based on random set theory, this paper presents a simple and flexible tolerance analysis method to estimate circuit yield. It is the alternative to Monte Carlo analysis, but reduces the number of calculations dramatically. 展开更多
关键词 Random set theory Evidence theory Tolerance analysis Monte Carlo analysis circuit yield
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Quantum algorithm for minimum dominating set problem with circuit design
7
作者 张皓颖 王绍轩 +2 位作者 刘新建 沈颖童 王玉坤 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第2期178-188,共11页
Using quantum algorithms to solve various problems has attracted widespread attention with the development of quantum computing.Researchers are particularly interested in using the acceleration properties of quantum a... Using quantum algorithms to solve various problems has attracted widespread attention with the development of quantum computing.Researchers are particularly interested in using the acceleration properties of quantum algorithms to solve NP-complete problems.This paper focuses on the well-known NP-complete problem of finding the minimum dominating set in undirected graphs.To expedite the search process,a quantum algorithm employing Grover’s search is proposed.However,a challenge arises from the unknown number of solutions for the minimum dominating set,rendering direct usage of original Grover’s search impossible.Thus,a swap test method is introduced to ascertain the number of iterations required.The oracle,diffusion operators,and swap test are designed with achievable quantum gates.The query complexity is O(1.414^(n))and the space complexity is O(n).To validate the proposed approach,qiskit software package is employed to simulate the quantum circuit,yielding the anticipated results. 展开更多
关键词 quantum algorithm circuit design minimum dominating set
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基于互补型SET的通用阈值逻辑门设计 被引量:3
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作者 应时彦 孔伟名 +1 位作者 肖林荣 王伦耀 《浙江大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期424-428,共5页
与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的... 与MOS管相比,单电子晶体管(SET)具有超低功耗、超高集成度等优点,被认为是可能取代MOS管的新一代量子器件的主要竞争者.在简要介绍SET特性及通用阈值逻辑门(UTLG)的基础上,沿用CMOS逻辑电路的设计思想,提出了功能强大的基于互补型SET的三变量UTLG实现方案.利用一个UTLG辅之少量门电路就可实现全部256个三变量逻辑函数.通过实例说明了利用查表设计进行UTLG综合的过程.对所设计的SET电路进行了Pspice仿真,结果表明,基于SET的UTLG以及用UTLG实现的全比较器均具有正确的逻辑功能. 展开更多
关键词 单电子晶体管 通用阈值逻辑门 set电路 电路设计
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一种新型的多栅极SET/MOS管混合电路 被引量:2
9
作者 李芹 蔡理 +1 位作者 吴刚 王森 《微计算机信息》 北大核心 2008年第26期290-291,302,共3页
基于多栅极SET的库仑振荡和相移特性,以及SET和MOS管的互补特性,提出了一种新型的多栅极SET/MOS管混合电路。介绍了该电路的结构和工作原理,并利用SPICE进行了仿真分析。仿真结果表明:提出的新电路可以作为取样电路使用,也可以作为一个... 基于多栅极SET的库仑振荡和相移特性,以及SET和MOS管的互补特性,提出了一种新型的多栅极SET/MOS管混合电路。介绍了该电路的结构和工作原理,并利用SPICE进行了仿真分析。仿真结果表明:提出的新电路可以作为取样电路使用,也可以作为一个基本的算术门用于多值逻辑电路系统。 展开更多
关键词 多栅极set MOS晶体管 多值逻辑 取样电路
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基于SET/MOS混合结构的4-2编码器设计
10
作者 魏榕山 陈锦锋 +1 位作者 陈寿昌 何明华 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 2011年第2期190-193,共4页
基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性,实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑,并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器的编码功能。与纯CMOS... 基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应、多栅输入特性和相移特性,实现了SET/MOS混合结构的或门逻辑,并利用该或门逻辑实现了4-2编码器。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,仿真结果表明该电路能够实现4-2编码器的编码功能。与纯CMOS编码器相比,该SET/MOS混合电路仅由2个PMOS管、2个NMOS管和2个SET构成,具有结构简单、尺寸小、集成度高的优点。 展开更多
关键词 单电子晶体管 set/MOS混合电路 4-2编码器 HSPICE仿真
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基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计
11
作者 魏榕山 陈锦锋 +1 位作者 陈寿昌 何明华 《贵州大学学报(自然科学版)》 2011年第2期58-61,共4页
基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路。利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能。与传统C... 基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路。利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能。与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。 展开更多
关键词 单电子晶体管 set/MOS混合电路 表决器 HSPICE仿真
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A Vague Decision Method for Analog Circuit Fault Diagnosis Based on Description Sphere 被引量:5
12
作者 LUO Hui WANG Youren CUI Jiang 《Chinese Journal of Aeronautics》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第6期768-776,共9页
This paper proposes a vague decision method for analog circuit fault diagnosis based on description sphere. Firstly, the proposed method uses the wavelet transform as the preprocessor to extract fault features from th... This paper proposes a vague decision method for analog circuit fault diagnosis based on description sphere. Firstly, the proposed method uses the wavelet transform as the preprocessor to extract fault features from the output voltages of the circuit un- der test (CUT). And then, each class sample is trained to produce a minimum description sphere. Finally, the test samples are detected by a defined vague decision rule, which is based on the vague weight distance between the test data and the center of description sphere. The defined decision rule fuses the truth and false membership degrees of the test sample and the weight of the description sphere, and it can effectively deal with the uncertain information. The reliability of the defined decision rule is proved theoretically. This new diagnostic method is first applied to testing two actual circuits, and then it is compared with other two diagnostic methods. The experimental results show that the proposed technique can achieve good performance and reduce the diagnostic time. 展开更多
关键词 analog circuits fault detection description sphere vague set multi-class classification
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带隙基准电压源的抗SET设计 被引量:1
13
作者 翟馗斌 卢雪梅 +7 位作者 郝宁 王涛 葛维维 李博 轩昂 杨孙伟 郭明齐 王赢玺 《微处理机》 2023年第6期6-10,共5页
鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充... 鉴于带隙基准电路在芯片系统中作为关键电路被广泛应用,针对小工艺尺寸条件下单粒子瞬态效应SET对带隙基准电路造成的辐射影响,对带隙基准电压源的输出端进行电路级抗辐照加固,提出一种由比较器作为开关,并于输出端连接MOS管栅极进行充放电的对称式电流补偿电路。经仿真实验,结果表明,所设计加固结构可有效抑制SET对输出电压的影响,有助于提高带隙基准电压源的稳定性。 展开更多
关键词 单粒子瞬态效应 带隙基准电路 电流补偿 电路级加固
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基于金融IC卡支付的SET消费流程改进 被引量:1
14
作者 季文翀 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2003年第6期23-27,共5页
从SET的支付模式和客户端软件安全性保护方面进行探讨,并且按照《中国金融IC卡应用规范》给出一个概念上的基于金融IC卡支付的SET消费改进流程和客户端软件设计方案。
关键词 set 金融规范 IC卡 支付 客户端
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DCVSL的SET特性分析
15
作者 程伟 李磊 成祥 《电子技术应用》 北大核心 2016年第12期81-84,共4页
利用SPICE电路模拟研究了DCVSL的SET特性。模拟了单端的SET脉冲在DCVSL中的传播特性,结果表明单端的SET脉冲经过两级DCVSL反相器后就基本被消除了。模拟了在负载和阈值电压不对称的条件下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链中的脉冲展宽效... 利用SPICE电路模拟研究了DCVSL的SET特性。模拟了单端的SET脉冲在DCVSL中的传播特性,结果表明单端的SET脉冲经过两级DCVSL反相器后就基本被消除了。模拟了在负载和阈值电压不对称的条件下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链中的脉冲展宽效应。结果表明,在最差情况下,DCVSL中的SET脉冲展宽效应比CMOS更明显;在典型情况下,双端的SET脉冲在DCVSL反相器链的传播过程中并没有展宽。 展开更多
关键词 电路模拟 set DCVSL 脉冲展宽
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基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计
16
作者 陈锦锋 魏榕山 +1 位作者 陈寿昌 何明华 《广西大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期867-871,共5页
基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇... 基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路。利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能。该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个NMOS和1个多栅输入SET。与传统CMOS电路相比,SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗显著降低。 展开更多
关键词 单电子晶体管 set/MOS混合电路 奇偶校验码产生电路 HSPICE仿真
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实现R-Port电路的Set-C单元的两种设计
17
作者 罗玲玉 杨银堂 +1 位作者 周端 徐阳扬 《电子器件》 CAS 2008年第4期1223-1225,1231,共4页
提出了实现r-port电路的set-C单元的两种不同实现方案set-C1与set-C2,给出了r-port电路及set-C1与set-C2的管级电路图,并分析了它们的工作原理。基于0.25μm标准CMOS无比(ratioless)工艺,给出了r-port电路的仿真图及set-C1与set-C2在上... 提出了实现r-port电路的set-C单元的两种不同实现方案set-C1与set-C2,给出了r-port电路及set-C1与set-C2的管级电路图,并分析了它们的工作原理。基于0.25μm标准CMOS无比(ratioless)工艺,给出了r-port电路的仿真图及set-C1与set-C2在上升延迟与平均功耗特性方面的HSPICE对比曲线。仿真结果表明,set-C1、set-C2的最小上升延迟分别为0.154ns和0.244ns,比值为1:1.58;set-C1较set-C2节省的最大功耗可达31%。由此得出set-C1较佳的结论。 展开更多
关键词 GALS方法 r-port电路 set-C单元 仿真 延时 功耗
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The structure-based multi-fault test generation algorithm for combinational circuit
18
作者 商庆华 吴丽华 项傅佳 《Journal of Harbin Institute of Technology(New Series)》 EI CAS 2006年第4期452-454,共3页
In this paper the structure-based test generation algorithm has been studied for the problem that test patterns are obtained by determined finite faults set in the past. This Algorithm can find out all test patterns o... In this paper the structure-based test generation algorithm has been studied for the problem that test patterns are obtained by determined finite faults set in the past. This Algorithm can find out all test patterns one tithe, so faults detection is very convenient. By simulation, the smallest test patterns set can be obtained and faults coverage rate is 100%. 展开更多
关键词 combinational circuit test generation the smallest test patterns set
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集成电路行业人才需求与职业院校专业设置匹配分析 被引量:2
19
作者 居水荣 陆渊章 黄玮 《中国职业技术教育》 北大核心 2025年第11期5-13,24,共10页
集成电路产业是支撑国家经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。通过对我国集成电路行业技术技能人才需求与职业院校人才培养的匹配分析,建议科学合理构建集成电路类职业教育专业体系,引导职业院校合理设置专业,优... 集成电路产业是支撑国家经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。通过对我国集成电路行业技术技能人才需求与职业院校人才培养的匹配分析,建议科学合理构建集成电路类职业教育专业体系,引导职业院校合理设置专业,优化集成电路技术技能人才培养路径,加大行业支持力度,助力高质量人才培养,注重专业技能和职业素养高度融合,为集成电路行业技术技能人才培养提供依据和指导。 展开更多
关键词 集成电路 职业院校 人才培养 行业需求 专业设置 匹配分析
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某电厂220kV主变压器继电保护配置与整定计算 被引量:4
20
作者 雷富坤 朱黎 《自动化应用》 2025年第4期139-143,共5页
结合某火电厂工程实际,分析了220kV变压器可能存在的故障,明确差动保护主要反应区内故障,而区外的母线及出线故障则由后备保护反应。完成主变继电保护配置并给出整定计算方案,然后基于标幺值法计算系统不同运行方式下的短路电流,对主变... 结合某火电厂工程实际,分析了220kV变压器可能存在的故障,明确差动保护主要反应区内故障,而区外的母线及出线故障则由后备保护反应。完成主变继电保护配置并给出整定计算方案,然后基于标幺值法计算系统不同运行方式下的短路电流,对主变压器差动保护、相间短路故障和接地故障的后备保护进行整定计算得到了保护定值,并依据不同保护之间的配合得到动作时间。 展开更多
关键词 变压器 继电保护 整定计算 短路计算
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