用于神经信号采集的高PSRR及CMRR植入式模拟前端 被引量：2

1

作者 吴朝晖 谢宇智 +1 位作者 赵明剑 李斌 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第1期15-20,共6页

针对人体内神经电信号非常微弱、噪声大、环境干扰大等特点,研究与设计了一款应用于神经信号采集的高电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)的低噪声植入式模拟前端.该模拟前端采用全差分结构来实现模拟前端中的前置放大器、开关电容滤波... 针对人体内神经电信号非常微弱、噪声大、环境干扰大等特点,研究与设计了一款应用于神经信号采集的高电源抑制比(PSRR)和共模抑制比(CMRR)的低噪声植入式模拟前端.该模拟前端采用全差分结构来实现模拟前端中的前置放大器、开关电容滤波器及可变增益放大器,使得电路具有较好的电源抑制比和共模抑制比;采用斩波调制技术来抑制电路的低频噪声,并通过带电流数模转换器(DAC)的纹波抑制环路来抑制前置放大器的输出纹波,从而使该模拟前端在具有高PSRR和CMRR的同时能保持低噪声性能.文中采用0.18μm CMOS工艺设计该模拟前端芯片,版图后仿真结果表明,该模拟前端在0.1 Hz^10 k Hz内的等效输入噪声为2.59μV,实现了46.35、52.18、60.02、65.95 d B可调增益,CMRR和PSRR分别可达146及108d B,很好地满足了植入式神经信号采集的要求. 展开更多

关键词 神经信号 模拟电路 模拟前端 植入式器件 高电源抑制比 高共模抑制比

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于植入式医疗设备的高PSRR无片外电容LDO 被引量：3

2

作者 张章 韦玲玲 +3 位作者 闫林 解光军 程心 金术良 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第1期55-59,共5页

提出了一种用于植入式医疗设备的高电源抑制比(PSRR)无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。所设计的LDO采用自适应负载电流追踪的前馈纹波消除技术来产生动态的前馈纹波,以改善其在不同负载电流下的PSRR。LDO采用超级源跟随器和密勒补偿... 提出了一种用于植入式医疗设备的高电源抑制比(PSRR)无片外电容的低压差线性稳压器(LDO)。所设计的LDO采用自适应负载电流追踪的前馈纹波消除技术来产生动态的前馈纹波,以改善其在不同负载电流下的PSRR。LDO采用超级源跟随器和密勒补偿电路来保证电路的稳定性,其只需要1.2 pF的片上电容。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计与仿真。仿真结果表明,当负载电流为1 mA时,该LDO的PSRR在1 MHz处为-56.7 dB,在10 MHz处为-45 dB,比传统LDO分别改善了24 dB和30 dB;当负载电流为10 mA时,该LDO的PSRR在1 MHz处为-55.6 dB,在10 MHz处为-43 dB,比传统LDO分别改善了20 dB和28 dB。 展开更多

关键词 LDO 高电源抑制比 自适应负载电流追踪 前馈纹波消除 无片外电容

原文传递

一种宽输入电压范围高PSRR线性稳压器 被引量：2

3

作者 辛晓宁 张雷 《电子设计工程》 2016年第17期185-187,共3页

基于HHNEC BCD工艺,设计了一种输入电压范围为5.4-40 V,输出电压为5 V的线性稳压器。为了获得高电源电压抑制比,电路采用二级稳压结构,基于耗尽型MOS管的预稳压器将输入电压稳压到5.2 V,再使用一种输出端接2.2μF电容的低压差稳压器（... 基于HHNEC BCD工艺,设计了一种输入电压范围为5.4-40 V,输出电压为5 V的线性稳压器。为了获得高电源电压抑制比,电路采用二级稳压结构,基于耗尽型MOS管的预稳压器将输入电压稳压到5.2 V,再使用一种输出端接2.2μF电容的低压差稳压器（二次稳压器）得到最终输出电压5 V。Hspice仿真表明,PSRR在100 k Hz以下时优于-90 d B,在1 MHz以下时优于-70 d B。 展开更多

关键词 二级稳压 宽输入范围 高电源电压抑制比

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高CMRR和PSRR的共源共栅放大器 被引量：1

4

作者 李新 黄璜 王龙 《电子设计工程》 2014年第11期79-83,共5页

针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共柵放大器,并采用MOS管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;... 针对传统运算放大器共模抑制比和电源抑制比低的问题,设计了一种差分输入结构的折叠式共源共栅放大器。本设计采用两级结构,第一级为差分结构的折叠式共源共柵放大器,并采用MOS管作为电阻,进一步提高增益、共模抑制比和电源电压抑制比;第二级采用以NMOS为负载的共源放大器结构,提高增益和输出摆幅。基于LITE-ON40V 1.0μm工艺,采用Spectre对电路进行仿真。仿真结果表明,电路交流增益为125.8 dB,相位裕度为62.8°,共模抑制比140.9 dB,电源电压抑制比125.5 dB。 展开更多

关键词 折叠式共源共栅放大器 高增益 共模抑制比 电源抑制比

在线阅读 下载PDF 职称材料

一款基于BiCMOS工艺的高PSRR带隙基准电路

5

作者 王松林 贾云斌 +1 位作者 来新泉 王红义 《电子质量》 2005年第1期32-34,共3页

　电压基准电路是目前广泛应用于直流电源变换器和数模/模数转换器件设计的一种电路单元。本文从基本工作原理出发,结合实际应用与理论推导,给出一款基于BiCMOS工艺的精确、高PSRR的带隙基准电路的设计。

关键词 BICMOS工艺 基准电路 模数转换器 电路单元 带隙 变换器 器件设计 电压基准 工作原理 直流电源

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种低电压低功耗高PSRR CMOS基准电路 被引量：1

6

作者 杨峰 石春琦 +1 位作者 张润曦 赖宗声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期758-761,776,共5页

设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在1.2V电源电压下,输出202mV的基准电压,在-40℃~130℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46μA电流。电源电压从1.1V变化到3.6V... 设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在1.2V电源电压下,输出202mV的基准电压,在-40℃~130℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46μA电流。电源电压从1.1V变化到3.6V时,输出基准电压仅变化0.336mV。该基准电路的电源电压抑制比（PSRR）在直流处达到-93dB,10MHz处达到-63dB。设计了一种多路快速启动电路,只需13μs即可完成启动。利用高阈值电压晶体管与普通阈值电压晶体管的Vth之差作为负温度系数电压源,使输出基准电压对工艺角不敏感。 展开更多

关键词 基准电压 低电压 低功耗 高psrr 工艺角

原文传递

一种低功耗高PSRR的基准电压源 被引量：2

7

作者 杨滨 杨维明 +1 位作者 孔湘洁 邬小林 《现代电子技术》 2009年第18期1-2,9,共3页

提出一种基于耗尽型晶体管与增强型晶体管串联产生基准电源的无运算放大器结构电路。通过将两个基准电源电路级联,可以获得较好的电源抑制比特性,并保持较小的电压功耗。TT模型下的仿真结果表明,基准电源的电源抑制比(PRSS)在1 MHz下,低... 提出一种基于耗尽型晶体管与增强型晶体管串联产生基准电源的无运算放大器结构电路。通过将两个基准电源电路级联,可以获得较好的电源抑制比特性,并保持较小的电压功耗。TT模型下的仿真结果表明,基准电源的电源抑制比(PRSS)在1 MHz下,低于-100 dB,-40^+125℃范围内的温度系数为13.7 ppm/℃,静态电流小于1μA。 展开更多

关键词 高电源抑制比 低功耗 基准电路 温度系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源 被引量：5

8

作者 韦崇敏 宋树祥 +3 位作者 蒋品群 蔡超波 吕芸芸 陈佳佳 《微电子学与计算机》 2021年第5期60-64,72,共6页

设计了一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源电路.采用改进威尔逊自偏置电路与放大器结合的方法来获取高PSRR;采用4阶精确补偿电流来补偿高温段和低温段基准电压的曲率.基于0.13μm工艺进行设计,仿真结果表明:在3.3 V电源电压及温度... 设计了一种高PSRR高精度多阶电流补偿带隙基准源电路.采用改进威尔逊自偏置电路与放大器结合的方法来获取高PSRR;采用4阶精确补偿电流来补偿高温段和低温段基准电压的曲率.基于0.13μm工艺进行设计,仿真结果表明:在3.3 V电源电压及温度从-100℃到140℃的情况下,带隙基准电压的温漂系数为1.68 ppm/℃,电源电压抑制比为90.4 dB。 展开更多

关键词 带隙基准 高psrr 高低温电流补偿 低温漂系数

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高输入电压高PSRR的带隙基准电路设计 被引量：8

9

作者 王熠炜 孙江 +3 位作者 叶文霞 陈宁锴 雷新宇 县文琦 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第4期566-571,共6页

在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性... 在高压宽输入范围的芯片中,高压电源一般不直接作为带隙基准电路的电源。传统方案采用齐纳二极管加源随器将高压输入转换为低压电源,为带隙基准供电,然而低压电源波动过大,降低了带隙基准的PSRR。电源由反馈环路产生,可以提供高PSRR性能。文章提出了一种输入电压范围为5~65 V,通过闭环负反馈产生低压电源和1.2 V基准电压的带隙基准电路,适用于宽输入电压芯片,如Buck、电机驱动或模拟ASIC芯片。该带隙基准电路的电源是将自身产生的电流流经PMOS,由PMOS的V_(GS)确定。因此低压电源不随输入电压变化,线性调整率极低。该电路由预处理电路、启动电路和带隙基准电路组成,采用负反馈稳压设计,不使用齐纳二极管,不引入额外的掩膜层,降低了电路成本。在CSMC 0.25μm BCD工艺下,基准电压线性调整率低至0.000091%,输入电压在5~65 V范围内基准变化小于1μV,低频PSRR为-160 dB@100 Hz,温度系数为2.8×10^(-5)/℃。 展开更多

关键词 高压输入 高psrr 带隙基准 负反馈 模拟集成电路

原文传递

一种高PSRR快速响应线性电源调制器的电路设计 被引量：1

10

作者 何泓威 罗凯 +2 位作者 王菡 廖鹏飞 蒲林 《环境技术》 2022年第6期102-106,共5页

本文介绍了一种高PSRR的快速响应线性电源调制器的电路设计。该电路采用二阶温度补偿形成稳定的带隙基准参考电压,利用输出电压反馈作为电路的内部电源,使得电路的响应速度更快。同时,由于电路未直接使用输入电压作为内部电源,因此拥有... 本文介绍了一种高PSRR的快速响应线性电源调制器的电路设计。该电路采用二阶温度补偿形成稳定的带隙基准参考电压,利用输出电压反馈作为电路的内部电源,使得电路的响应速度更快。同时,由于电路未直接使用输入电压作为内部电源,因此拥有较高的PSRR。仿真结果表明,该线性电源调制器在100Hz下PSRR约为113 dB,同时拥有较快的响应速度和较大的相位裕度。 展开更多

关键词 电源调制器 高psrr 快速响应

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高PSRR高稳定性的LDO设计 被引量：1

11

作者 杨煌虹 武华 +2 位作者 陈翰民 黄沥彬 曹先国 《电子器件》 CAS 2024年第2期344-349,共6页

提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejec... 提出了一种高PSRR高稳定性的低压差线性稳压器(Low Dropout Linear Regular,LDO),该LDO设计了高精度的带隙基准电路和误差放大器,并利用前馈纹波消除技术设计了电源抑制比增强模块,有效提高了电路中高频的电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。基于CSMC 0.18μm工艺对提出的LDO电路进行仿真验证,芯片面积为150μm×131μm。该LDO在4.5 V~5.5 V的输入电压范围下,稳定输出不受温度影响的2.5 V电压;于1 mA轻负载下,电源抑制比在低频处为-103.3 dB,在1 MHz处超过-60 dB。当输出电容为2.2μF时,LDO电路轻载下相位裕度为58.3°,重载下相位裕度为64.1°,具有良好的系统稳定性。 展开更多

关键词 LDO 高psrr 高稳定性 前馈纹波消除技术 带隙基准电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准 被引量：9

12

作者 陈杰浩 郭志弘 胡浩 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第1期8-13,共6页

基于华虹0.18μm BCD工艺,设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电,基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明,在-45~125℃的温度范围内,TT工艺角下,传统结构的温漂系数只能达到2.048×10^(-5)/℃。采用... 基于华虹0.18μm BCD工艺,设计了一种具有高PSRR的分段温度补偿带隙基准。电路采用5 V电源进行供电,基准输出电压为1.256 V。仿真结果表明,在-45~125℃的温度范围内,TT工艺角下,传统结构的温漂系数只能达到2.048×10^(-5)/℃。采用新型分段温度补偿的带隙基准的温漂系数为3.631×10^(-6)/℃,相比传统结构,温度系数降低了82.3%。静态功耗为220μW。PSRR在低频可达到-102 dB,在350 kHz处有最差PSRR,但仍有-30 dB。该带隙基准适用于高精度、大电流开关电源的模拟集成电路。 展开更多

关键词 带隙基准 高psrr 分段温度补偿

原文传递

基于电流控制模式的低压、高PSRR基准源

13

作者 张慧敏 周云 +1 位作者 王璐霞 袁凯 《微处理机》 2011年第5期22-25,共4页

基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比;通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路。采用0.5μmCMOS N阱工艺,电路可在... 基于可调电流控制模式设计出一种低压、高电源抑制比的带隙基准电压源电路。采用电流控制模式和多反馈环路,提高电路的整体电源抑制比;通过电阻分压的方式,使电路达到低压,同时提供偏压,简化偏置电路。采用0.5μmCMOS N阱工艺,电路可在电源电压为1.5V时正常工作。使用Cadence Spectre进行仿真结果表明,低频时电源抑制比(PSRR)高达107dB。-10℃～125℃温度范围内,平均温度系数约7.17ppm/℃,功耗仅为0.525mW。此电路能有效地抑制制程变异。 展开更多

关键词 CMOS基准电压源 独立电流模式 低电压 高电源抑制比

在线阅读 下载PDF 职称材料

宽负载范围的高PSRR线性电源研究 被引量：2

14

作者 郭仲杰 陈浩 +1 位作者 李青 何帅 《电子器件》 CAS 北大核心 2020年第6期1341-1345,共5页

研究分析了线性稳压电源中电源对稳压输出的噪声影响途径,提出了一种与负载无关的高PSRR线性稳压器电路。为减小电源噪声对LDO模块电路的影响,基于带隙基准源内部的自建电压实现高压和低噪声隔离,抑制了传统结构带来的功耗、面积和噪声... 研究分析了线性稳压电源中电源对稳压输出的噪声影响途径,提出了一种与负载无关的高PSRR线性稳压器电路。为减小电源噪声对LDO模块电路的影响,基于带隙基准源内部的自建电压实现高压和低噪声隔离,抑制了传统结构带来的功耗、面积和噪声问题。基于0.18μm、40 V高压BCD工艺进行了具体电路设计与芯片实现,经过全面验证,在电源电压为4.5 V到32 V,输出电容为2.2μF,最大负载电流为200 mA的条件下,LDO可提供3.3 V的稳定电压源,空载时PSRR可达到80.5 dB,负载为200 mA下PSRR仍然高达80.23 dB;变化率仅为0.001 dB/mA,实现了与负载无关的高PSRR线性稳压器设计。 展开更多

关键词 线性稳压电源 高psrr(Power Supply Rejection Ratio) 噪声抑制 高压隔离

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于低电压与高PSRR的带隙电压基准源设计 被引量：2

15

作者 杨永念 《集成电路应用》 2024年第1期38-40,共3页

阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电... 阐述对低电压、高电源抑制比(PSRR)的带隙电压基准源设计,分析带隙电压基准源的特点,结合原电路设计的局限性,设计了低电压、高PSRR的带隙电压基准源电路结构。仿真分析表明,仿真的结果和理论分析结果保持一致,所设计电路在低压模拟电路以及数字信号处理系统中有较好适用性。 展开更多

关键词 电路设计 低电压 高psrr 带隙电压基准源

在线阅读 下载PDF 职称材料

高PSRR超低噪声的LDO设计 被引量：5

16

作者 王甲柱 唐威 姚和平 《重庆邮电大学学报（自然科学版）》 CSCD 北大核心 2022年第6期1079-1087,共9页

便携式医疗电子设备在信号传输中易受到噪声干扰,为了抑制交流纹波对微小信号的影响,设计了一种高电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)、超低噪声的低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。利用电流缓冲和动态零极点... 便携式医疗电子设备在信号传输中易受到噪声干扰,为了抑制交流纹波对微小信号的影响,设计了一种高电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR)、超低噪声的低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。利用电流缓冲和动态零极点追踪补偿技术来实现环路的稳定,同时也扩展了环路的单位增益带宽,提高了高频下的PSRR。稳压器采用两级结构,通过预稳压调制级加低通滤波器结构来实现低压差线性稳压器的超低噪声,且低通滤波器的截止频率有利于低频下PSRR的提高。基于5 V-0.35μm CMOS工艺设计,采用cadence仿真软件进行仿真验证。仿真结果表明,在100 kHz、10 kHz、1 kHz、100 Hz频率下,PSRR分别可达到-66、-85、-96和-97 dB。在不同的负载下,输出噪声在10 Hz~100 kHz频段不超过10μVrms,重载(250 mA)时的输出噪声最低可达到7.5μVrms,可用于便携式医疗电子设备。 展开更多

关键词 超低噪声 高电源抑制比(psrr) 电流缓冲 动态零极点追踪补偿 单位增益带宽

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高性能带隙基准源的设计

17

作者 王凌翔 张涛 刘劲 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期88-94,共7页

针对传统带隙基准电压受运放失调电压影响较大,而无运放带隙基准电源的噪声抑制效果不佳的问题,设计了一种降低失调电压影响的高性能带隙基准电路。设计中通过改变三极管的连接方式使得该结构具有抑制失调电压的能力和更高的电源噪声抑... 针对传统带隙基准电压受运放失调电压影响较大,而无运放带隙基准电源的噪声抑制效果不佳的问题,设计了一种降低失调电压影响的高性能带隙基准电路。设计中通过改变三极管的连接方式使得该结构具有抑制失调电压的能力和更高的电源噪声抑制能力,从而提高了输出电压的精度和电源抑制比(PSRR)。同时,利用三极管基极电流的负温度高阶项对带隙输出进行低温曲率补偿,使得带隙基准电压具有极低的温度系数。该电路采用华虹宏力0.18μm BCD工艺,经过仿真验证,在电源电压为5 V时,静态工作电流约为6μA,基准输出电压约为1.27 V,温度系数为6.082×10^(-6)/℃。在10 Hz时,PSRR为-110.1 dB;在10 kHz时,PSRR为-70.9 dB。 展开更多

关键词 带隙基准 高电源抑制比 低温漂 温度补偿

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种高精度曲率补偿带隙基准的设计

18

作者 李睿 孟煦 曹子旺 《微电子学》 北大核心 2025年第6期949-955,共7页

为了满足电源管理芯片对高精度和低电源噪声电源电压的需求,设计了一款基于SMIC 180 nm工艺设计的带隙基准电路。提出的带隙基准基本工作电压3.3 V与1.8 V电源电压,电路利用两种不同温度系数的电流,处理得到高阶补偿电流,用以补偿三极... 为了满足电源管理芯片对高精度和低电源噪声电源电压的需求,设计了一款基于SMIC 180 nm工艺设计的带隙基准电路。提出的带隙基准基本工作电压3.3 V与1.8 V电源电压,电路利用两种不同温度系数的电流,处理得到高阶补偿电流,用以补偿三极管基极发射极电压中的高阶非线性项,从而产生高阶补偿电压;通过内建共模反馈,在输出级的作用下,增强输出的抗电源噪声能力,使得整体电路的电源抑制能力得到了明显改善。仿真结果表明,在正常工作时,电路输出电压为1.496 V,在-40~110℃工作温度范围内,温度系数为3.801×10^(-6)/℃,电源抑制比为-108 dB@10Hz。 展开更多

关键词 带隙基准 曲率补偿 温度系数 高电源抑制 共模反馈

原文传递

CMOS带隙基准源研究现状 被引量：44

19

作者 幸新鹏 李冬梅 王志华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期57-63,71,共8页

带隙基准源是集成电路中的重要单元,输出不随温度、电源电压变化的基准电压或电流。简单介绍了CMOS带隙基准源的基本工作原理;指出了限制其性能的主要因素;分析了低电源电压、低功耗、高精度和高PSRR四种类型的CMOS带隙基准源。

关键词 带隙基准源 低电源电压 低功耗 高精度 高psrr

在线阅读 下载PDF 职称材料

低功耗、高电源抑制比基准电压源的设计 被引量：6

20

作者 应建华 陈嘉 王洁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期975-979,共5页

提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片... 提出一种新颖的自偏置有源负载放大器,设计构成了低功耗、高电源抑制比的基准电压源,并对基准电压源的低频电源抑制比和自偏置有源负载放大器的开环增益进行了分析.此基准电压源已用于一款电源管理芯片中,在德国XFAB公司XB06工艺上流片实现,芯片实测结果基准电压为1.206V,静态电流为6μA,温度系数为40ppm/℃,低频电源抑制比为85dB. 展开更多

关键词 基准电压源 低功耗 电源抑制比 自偏置有源负载放大器

在线阅读 下载PDF 职称材料