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TiB_2含量对B_4C-SiC-Si-TiB_2复合材料力学性能的影响 被引量：1
1
作者 徐昱峰 茹红强 +2 位作者 乔海波 王伟 岳新艳 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第S1期702-705,共4页
以B4C、TiO2、酚醛树脂和金属Si为原料,通过两步反应控制制备出B4C-SiC-Si-TiB_2复合材料,并利用XRD、SEM、材料电子拉伸机等手段研究TiB_2含量对复合材料相组成、显微组织和力学性能的影响。结果表明:复合材料由BxC、B12(C,Si,B)3、SiC... 以B4C、TiO2、酚醛树脂和金属Si为原料,通过两步反应控制制备出B4C-SiC-Si-TiB_2复合材料,并利用XRD、SEM、材料电子拉伸机等手段研究TiB_2含量对复合材料相组成、显微组织和力学性能的影响。结果表明:复合材料由BxC、B12(C,Si,B)3、SiC、Si和TiB_2等相组成,游离Si填充在均匀分布的BxC、Si C和TiB_2等相的空隙处。随着复合材料中TiB_2含量的增加,硬度和抗弯强度逐渐增加、断裂韧性先增加后稍微降低,当TiB_2含量为20%(质量分数)时,复合材料的硬度、抗弯强度和断裂韧性分别为22.53 GPa、445 MPa和4.5 MPa·m1/2。复合材料中各相之间的热膨胀系数失配导致的裂纹偏转作用是提高复合材料断裂韧性的主要原因。复合材料的断裂方式主要为穿晶断裂和沿晶断裂的混合断裂方式。 展开更多
关键词 B4c-si c-si-Ti B2复合材料 TI B2 真空渗Si 显微组织 力学性能
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气压对VHF-PECVD制备的μc-Si∶H薄膜特性影响的研究 被引量：14
2
作者 张晓丹 朱锋 +8 位作者 赵颖 侯国付 魏长春 孙建 张德坤 任慧志 薛俊明 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期414-418,共5页
本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的... 本文主要研究了用VHF PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明 :沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大 ;光敏性 (光电导 /暗电导 )和激活能测试结果给出了相同的变化规律 ;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性 ; 展开更多
关键词 VHF-PECVD 制备方法 气压 μc-si:H 薄膜 微晶硅材料 太阳能电池 光致衰退效应 SWE
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Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究 被引量：2
3
作者 孙国胜 孙艳玲 +5 位作者 王雷 赵万顺 罗木昌 李建平 曾一平 林兰英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期130-134,共5页
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C Si... 利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C SiC/p Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C SiC/p Si异质结的I V,C V特性及I V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C SiC/p Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C SiC/SiGe/p Si异质结构的I V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C SiC/p Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1 95。 展开更多
关键词 硅衬底 Si(100)衬底 n-3c-siC/p-Si异质结 结构研究 3c-siC外延膜 碳化硅 扫描电子显微镜 SEM
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SiC晶须增韧B_4C-Si复合陶瓷材料 被引量：10
4
作者 张卫珂 常杰 +3 位作者 张敏 谭训彦 张玉军 高利珍 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2014年第1期62-65,共4页
通过SiC晶须增韧B4C-Si复合陶瓷,改善其韧性,研究了晶须加入量对复合陶瓷材料的弯曲强度和断裂韧性的影响,并分析了其显微结构。碳化硅晶须加入量5%为佳,其弯曲强度和断裂韧性分别达到467.99MPa和5.77MPa?m1/2,断裂韧性提高了近35%。
关键词 碳化硅晶须 增韧 碳化硼 B4c-si复合陶瓷
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功率密度对VHF-PECVD制备μc-Si:H的影响 被引量：3
5
作者 郭学军 卢景霄 +4 位作者 文书堂 杨根 陈永生 张庆丰 谷锦华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1160-1163,共4页
在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉... 在不同功率密度下用甚高频化学气相沉积(VHF-PECVD)法制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并对薄膜的微观结构进行了研究.重点研究了在较低的功率密度下,功率密度的改变对薄膜沉积速率和结晶状况的影响.结果表明,随着功率密度的提高,沉积速率逐渐加大,进一步提高功率密度时,沉积速率趋于饱和;与此同时,薄膜的孵化层厚度和形核密度随功率密度而变化. 展开更多
关键词 μc-si:H VHF-PECVD 功率密度 孵化层 成核密度
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激光熔覆Fe-C-Si-B的研究 被引量：22
6
作者 谭文 刘文今 贾俊红 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期15-17,共3页
采用FeCSiB粉末在灰铸铁基体上进行了一系列的激光熔覆试验,获得了预期的按介稳系结晶的组织,其细化程度高于CSiB激光合金化。形成的熔覆层金属对灰铸铁具有良好的润湿性。采用预置粉末法进行激光熔覆时在一定的工艺参数下会出现熔深的... 采用FeCSiB粉末在灰铸铁基体上进行了一系列的激光熔覆试验,获得了预期的按介稳系结晶的组织,其细化程度高于CSiB激光合金化。形成的熔覆层金属对灰铸铁具有良好的润湿性。采用预置粉末法进行激光熔覆时在一定的工艺参数下会出现熔深的波动现象,多道搭接熔覆时裂纹产生的几率比单道熔覆高,FeCSiB粉末中添加少量CaF2可显著改善熔覆粉末的工艺性能。 展开更多
关键词 激光熔覆 Fe-c-si-B CAF2 灰口铁 表面改性
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大鼠主动脉内皮剥脱后平滑肌细胞增殖和c-sis基因表达的关系 被引量：2
7
作者 杨和平 刘革修 +7 位作者 张新华 万腊香 曾锋 杨永宗 涂玉林 唐朝枢 周爱儒 汤健 《临床与实验病理学杂志》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期152-153,T008,共2页
用Forgarty导管对35只大鼠行主动脉内皮细胞剥脱。在1、5、10、15d时,主动脉平滑肌细胞增生和内膜增厚以及c-sis基因表达随时间的延长而增加。内皮剥脱20d时,内膜增厚的程度与15d时相比变化不大,但c-sis基因表达较15d的低。结果提示,c-... 用Forgarty导管对35只大鼠行主动脉内皮细胞剥脱。在1、5、10、15d时,主动脉平滑肌细胞增生和内膜增厚以及c-sis基因表达随时间的延长而增加。内皮剥脱20d时,内膜增厚的程度与15d时相比变化不大,但c-sis基因表达较15d的低。结果提示,c-sis可能在平滑细胞增殖和内膜增厚过程中起重要作用。 展开更多
关键词 动脉 平滑肌细胞 c-siS 基因表达
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2型糖尿病肾病患者血清转化生长因子-β1、原癌基因蛋白质c-sis的水平及其临床意义 被引量：7
8
作者 杜俊文 吴韬 +1 位作者 南国珍 苏胜偶 《临床荟萃》 CAS 北大核心 2007年第11期793-794,共2页
关键词 糖尿病肾病 转化生长因子-Β1 原癌基因蛋白质c-sis
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人肺癌组织中C-Ha-ras,C-myc和C-sis基因的扩增 被引量：2
9
作者 何玲 詹德进 +3 位作者 陈家堃 易菲 吴中亮 杜应秀 《癌症》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1995年第4期259-261,共3页
用同位素ａ－３２ＰｄＣＴＰ标记癌基因Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ，Ｃ－ｍｙｃ和Ｖ－ｓｉｓ基因片段，通过点杂交和Ｓｏｕｔｈｅｒｎ杂交法检测１７例鳞癌，９例腺癌，６例其它类型肺癌组织和６例非肺癌组织中Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ，Ｃ－ｍｙｃ和Ｃ... 用同位素ａ－３２ＰｄＣＴＰ标记癌基因Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ，Ｃ－ｍｙｃ和Ｖ－ｓｉｓ基因片段，通过点杂交和Ｓｏｕｔｈｅｒｎ杂交法检测１７例鳞癌，９例腺癌，６例其它类型肺癌组织和６例非肺癌组织中Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ，Ｃ－ｍｙｃ和Ｃ－ｓｉｓ基因扩增的情况．结果发现：４６．８％（１５／３２）的肺癌组织有Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ基因扩增，其中１０例（５８．８ ％）鳞癌，３例腺癌（３３．３ ％）出现Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ基因扩增。２５％（８／３２）的肺癌组织中出现Ｃ－ｍｙｃ基因扩增，其中 ４例（２３．５％）鳞癌，３例（３３．３％）腺癌出现Ｃ－ｍｙｃ基因扩增。１８．８％（６／３２）的肺癌组织有Ｃ－ｓｉｓ基因扩增，其中４例（２３．５％）鳞癌，１例（１１．１％）腺癌出Ｃ－ｓｉｓ基因扩增。而６例非肺癌组织都役有这三种癌基因扩增。同时我们也发现有５例肺癌组织（４例鳞癌和１例腺癌）出现两种癌基因的扩增。上述结果提示：Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ，Ｃ－ｍｙｃ和Ｃ－ｓｉｓ基因的扩增与肺癌的发生有关，特别是Ｃ－Ｈａ－ｒａｓ基因扩增在肺鳞癌的形成过程中可能起着重要作用。同时还提示：肺癌的发生与两种癌基因的扩增可能有一定关系。 展开更多
关键词 癌基因 基因扩增 肺肿瘤 C-HA-RAS C-MYC c-siS
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API_(0134)对凝血酶诱导内皮细胞表达c-sis mRNA/PDGF-B链蛋白的影响 被引量：12
10
作者 王宏伟 赵华月 熊一力 《中药药理与临床》 CAS CSCD 1998年第3期13-15,共3页
用免疫组化和原位杂交方法观察了ＡＰＩ０１３４（ＡＰＩ）对凝血酶诱导猪主动脉内皮细胞表达原癌基因ｃｓｉｓｍＲＮＡ和血小板源生长因子（ＰＤＧＦ）Ｂ链蛋白的影响。结果表明，凝血酶能诱导内皮细胞ｃｓｉｓｍＲＮＡ转录和促... 用免疫组化和原位杂交方法观察了ＡＰＩ０１３４（ＡＰＩ）对凝血酶诱导猪主动脉内皮细胞表达原癌基因ｃｓｉｓｍＲＮＡ和血小板源生长因子（ＰＤＧＦ）Ｂ链蛋白的影响。结果表明，凝血酶能诱导内皮细胞ｃｓｉｓｍＲＮＡ转录和促进ＰＤＧＦＢ链蛋白表达，ＡＰＩ则能显著抑制凝血酶的上述诱导作用，剂量增大抑制作用增强。 展开更多
关键词 API0134 内皮细胞 凝血酶 血小板源生长因子 抗动脉粥样硬化 再狭窄 血管成形术 免疫组织化学 c-siS MRNA基因 PDGF-B链蛋白
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纳米硅(nc-Si∶H)/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池计算机模拟 被引量：2
11
作者 胡志华 夏朝凤 +1 位作者 徐德林 廖显伯 《云南师范大学学报（自然科学版）》 2003年第3期23-26,共4页
文章运用美国宾州大学发展的 AMPS程序模拟计算了 n-型纳米硅 ( n+ -nc-Si∶ H) /p-型晶体硅 ( p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性。结果显示 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 ( VOC和填充因子 ( F F)。计... 文章运用美国宾州大学发展的 AMPS程序模拟计算了 n-型纳米硅 ( n+ -nc-Si∶ H) /p-型晶体硅 ( p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性。结果显示 ,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素 ,显著影响电池的开路电压 ( VOC和填充因子 ( F F)。计算得到了这种电池理想情况下 (无界面态、有背面场、正背面反射率分别为 0和 1 )的理论极限效率 ηmax=3 1 .1 7% ( AM1 .5 1 0 0 MW/cm2 0 .40～ 1 .1 0 μm波段 )。 展开更多
关键词 nc-si:H/c-si异质结 太阳电池 纳米硅 晶体硅 光伏特性 计算机模拟 极限效率
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Mn和Ce对Fe-Ni-Mn-C-Si-Ce系合金组织和性能的影响 被引量：5
12
作者 卢铃 朱定一 汪才良 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期909-915,共7页
采用熔炼法制备出新型高耐磨的Fe-20Ni-xMn-3.5C-2.5Si系固体自润滑材料,研究稀土元素Ce对Fe-20Ni-xMn-3.5C-2.5Si系合金中石墨的球化作用及Mn含量对力学性能及摩擦磨损性能的影响。结果表明:随着Mn含量的增加,合金凝固组织中奥氏体的... 采用熔炼法制备出新型高耐磨的Fe-20Ni-xMn-3.5C-2.5Si系固体自润滑材料,研究稀土元素Ce对Fe-20Ni-xMn-3.5C-2.5Si系合金中石墨的球化作用及Mn含量对力学性能及摩擦磨损性能的影响。结果表明:随着Mn含量的增加,合金凝固组织中奥氏体的硬度逐渐增大,特别是Fe-20Ni-xMn-3.5C-2.5Si-0.75Ce系合金在摩擦过程中的表面硬度大幅度提高,呈现出高锰钢特有的表面加工硬化性质,通过TEM可以观察到磨损表面生成孪晶型马氏体;添加0.75%(质量分数)的稀土Ce可以使结晶的石墨球化,使抗拉强度和抗弯强度大幅度提高,大约比未经球化处理的提高3～5.8倍;稀土Ce的加入可以促进Fe1.1Mn3.9C2型碳化物的生成,使材料的耐磨性进一步提高,其中Fe-20Ni-16Mn-3.5C-2.5Si-0.75Ce合金的磨损率最低,大约是QT500球墨铸铁的1/13。 展开更多
关键词 Fe-Ni-Mn-c-si-Ce合金 高锰奥氏体 MnCe 加工硬化 摩擦 磨损
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不同分子量聚碳硅烷的性能及对C/C-SiC复合材料增密的影响 被引量：2
13
作者 黄剑 李辉 +2 位作者 嵇阿琳 王玲玲 刘博 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期43-47,共5页
以四种分子量级别聚碳硅烷(PCS)为浸渍剂,采用CVD和浸渍-裂解工艺制备了C/C-Si C复合材料,分析了四种分子量级别PCS的分子量、软化点,分子结构和热失重性能,采用压汞法测试试件的孔隙分布特性。分析表明,PCS的软化点和800℃转化率都随... 以四种分子量级别聚碳硅烷(PCS)为浸渍剂,采用CVD和浸渍-裂解工艺制备了C/C-Si C复合材料,分析了四种分子量级别PCS的分子量、软化点,分子结构和热失重性能,采用压汞法测试试件的孔隙分布特性。分析表明,PCS的软化点和800℃转化率都随着分子量的提高而提高;四种分子量级别的PCS热分解过程基本相同,分子的支化程度差异不大。数均分子量为1178、1333的PCS的整体致密化效率要高于数均分子量为1550的PCS,经过7个周期致密后,分子量为1178的PCS所致密试样的累积孔隙容积最高,分子量为1550的PCS所致密的试样最低。前5个浸渍裂解致密周期采用分子量为1550的PCS,以后周期采用分子量为1178或1333的PCS,可以达到较高的致密效率。 展开更多
关键词 聚碳硅烷 分子量 C/c-si C复合材料 密度
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苯海索对局灶性脑缺血-再灌注大鼠大脑皮质Ca^(2+)含量、海马c-fos、c-sis基因表达的影响 被引量：1
14
作者 谢松强 杨保华 +2 位作者 姬汴生 胡香杰 张贵卿 《中南药学》 CAS 2004年第5期273-276,共4页
目的 观察苯海索对大鼠局灶脑缺血-再灌注损伤后大脑皮质Ca2+含量、海马c-fos、c-sis基因表达的影响。方法 选用高血压大鼠制成大脑中动脉闭塞再灌注模型,大鼠于缺血1 h再灌注2 h断头取脑,用原位杂交技术观察海马c-fos、c-sis基因表达... 目的 观察苯海索对大鼠局灶脑缺血-再灌注损伤后大脑皮质Ca2+含量、海马c-fos、c-sis基因表达的影响。方法 选用高血压大鼠制成大脑中动脉闭塞再灌注模型,大鼠于缺血1 h再灌注2 h断头取脑,用原位杂交技术观察海马c-fos、c-sis基因表达及荧光法测量大脑皮质钙离子的变化。结果 苯海索可显著降低模型大鼠大脑皮质Ca2+含量,海马c-fos、c-sis基因表达。结论 苯海索对大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤有明显保护作用。 展开更多
关键词 苯海索 c-fos、c-sis基因 游离钙 局灶性脑缺血
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单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟 被引量：2
15
作者 陈云 蔡厚道 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第12期2287-2291,2307,共6页
单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化,n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺... 单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化,n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm^-3,p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm^-3时,太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响,发现界面态密度超过1011 cm^-2·eV-1时会严重影响太阳电池的光伏性能。 展开更多
关键词 二硫化钼 c-si 异质结太阳电池 转换效率 二维材料 数值模拟
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电场作用下Mo-C-Si系的SHS过程数值模拟 被引量：2
16
作者 凌宏江 谢宏 严有为 《武汉理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期45-48,共4页
采用有限差分法对电场作用下Mo-C-Si反应体系的SHS过程进行了数值模拟,系统研究了外加电场强度对体系SHS过程的影响,并分析了电场的作用机理。结果表明:随着外加电场强度的增加,体系发生SHS反应的点火时间缩短,而燃烧温度、燃烧波蔓延... 采用有限差分法对电场作用下Mo-C-Si反应体系的SHS过程进行了数值模拟,系统研究了外加电场强度对体系SHS过程的影响,并分析了电场的作用机理。结果表明:随着外加电场强度的增加,体系发生SHS反应的点火时间缩短,而燃烧温度、燃烧波蔓延速度和产物的转化率均增加;在SHS过程中,电流密度主要集中在燃烧区域,并使该区域的电流密度和燃烧温度均处于最大值,从而导致燃烧波的自动持续蔓延。模拟结果与实测数据具有较好的一致性。 展开更多
关键词 电场 Mo-c-si系 SHS 数值模拟
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a-Si/c-Si异质结结构太阳能电池设计分析 被引量：7
17
作者 林鸿生 马雷 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期470-475,495,共7页
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )... 通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 ,着重阐述在 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池中嵌入 i( a- Si:H)缓冲薄层的作用 ,指出采用嵌入 i( a- Si:H )缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,同时还讨论 p+ ( a- Si:H)薄膜厚度和 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si/ c- 展开更多
关键词 太阳能电池 a-Si/c-si异质结结构 牛顿-拉普森解法 氢化非晶硅隙态密度 载流子收集 物理模型
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低温n+μc-Si在大面积a-Si太阳电池上的应用 被引量：2
18
作者 耿新华 孟志国 +1 位作者 陆靖谷 孙仲林 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期247-254,共8页
为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池... 为了提高大面积pin单结集成型非晶硅太阳电池的特性,采用掺磷低温微晶化硅(n^+μc-Si)做电池的n^+层,结果使10×0cm^2电池的开路电压从8.5V以下提高到9.0V以上,填充因子从0.62提高到0.65。本文对n^+μc-Si材料的特性及用于太阳电池的实验情况做了详细的介绍,并对实验结果进行了讨论。 展开更多
关键词 太阳能电池 A-SI n^+μc-si 低温
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单向凝固Fe-C-Si共晶合金的组织与性能 被引量：3
19
作者 蒋建清 舒光冀 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期53-59,共7页
本文研究了单向凝固Fe-C-Si共晶合金的凝固速度ν,对组织及纵向力学性能的影响,得出ν=2.0 μm/s时,抗拉强度和延伸率均出现峰值;考察了硅含量和基体组织对性能的影响,并分析了拉伸断口形貌。
关键词 Fe-c-si共晶 单向凝固 合金
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μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应 被引量：1
20
作者 徐明 王洪涛 +5 位作者 冯良桓 周心明 蔡亚平 冯技文 徐宁 麦振洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期435-439,共5页
利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸... 利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 . 展开更多
关键词 射频辉光放电法 周期性结构 μc-si:H/a-Si:H多层膜 量子尺寸效应 半导体
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