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Effects of Un-transposed UHV Transmission Line on Fault Analysis of Power Systems
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作者 王安宁 陈青 周占平 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2008年第3期231-234,共4页
The conventional fault analysis method based on symmetrical components supposes that the three-phase parameters of un-transposed transmission line are symmetrical in case of fault. The errors caused by the method with... The conventional fault analysis method based on symmetrical components supposes that the three-phase parameters of un-transposed transmission line are symmetrical in case of fault. The errors caused by the method with the symmetrical distributed parameter circuit model as the equivalent circuit of the un-transposed ultra high voltage(UHV) transmission line were studied under both normal operation and fault,and the corresponding problems arising were pointed out. By contrast with electromagnetic transient and power electronics(EMTPE) simulation results with the asymmetrical distributed parameter circuit model of un-transposed line, it is shown that the conventional method cannot show the existence of negative and zero sequences before fault happening and there are many errors on voltage and current after fault happening which are different with fault types. The error ranges of voltage and current are 2.13%-81.13% and -7.82%- -86.15%, respectively. 展开更多
关键词 EMTPE fault calculation SIMULATION un-transposed uhv transmission line
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China upgrades its first UHV electricity transmission system
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《China's Foreign Trade》 2012年第1期39-39,共1页
According to Xinhua on December 16, China put into operation a project extending its ultra high voltage (UHV) system to boost electricity transmission capacity from the country's energy-rich northern regions to th... According to Xinhua on December 16, China put into operation a project extending its ultra high voltage (UHV) system to boost electricity transmission capacity from the country's energy-rich northern regions to the power-short 展开更多
关键词 特高压输电系统 中国 超高电压 传输能力 北部地区 资源丰富 新华社 uhv
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An In-Depth Study of Complex Power System Dynamic Behavior Characteristics for Chinese UHV Power Grid Security
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作者 Ding Daoqi State Grid Information & Telecommunication Co.,Ltd.Zhao Fang 《Electricity》 2009年第2期45-51,共7页
In this paper,a series of major policy decisions used to improve the power grid reliability,reduce the risk and losses of major power outages,and realize the modernization of 21st century power grid are discussed. The... In this paper,a series of major policy decisions used to improve the power grid reliability,reduce the risk and losses of major power outages,and realize the modernization of 21st century power grid are discussed. These decisions were adopted by American government and would also be helpful for the strategic development of Chinese power grid. It is proposed that China should take precaution,carry out security research on the overall dynamic behaviour characteristics of the UHV grid using the complexity theory,and finally provide safeguard for the Chinese UHV grid. It is also pointed out that,due to the lack of matured approaches to controll a cascading failure,the primary duty of a system operator is to work as a "watchdog" for the grid operation security,eliminate the cumulative effect and reduce the risk and losses of major cascading outages with the help of EMS and WAMS. 展开更多
关键词 EMS 2003 WAMS An In-Depth Study of Complex Power system Dynamic Behavior Characteristics for Chinese uhv Power Grid Security
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UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 被引量:9
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作者 成步文 李代宗 +5 位作者 黄昌俊 于卓 张春晖 王玉田 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期250-254,共5页
以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了... 以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si1- xGex/Si多量子阱材料的 展开更多
关键词 锗化硅 异质结 uhv/CVD 生长
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UHVDC换流变压器油纸绝缘缺陷直流局部放电发展过程 被引量:22
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作者 聂德鑫 邓建钢 +3 位作者 张连星 杜振波 贺细雄 刘诣 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期3249-3260,共12页
特高压换流变压器绝缘承受的直流电压高,绝缘缺陷劣化发展迅速,且单凭局部放电(PD)量值和放电次数无法对绝缘缺陷的发展阶段进行分析诊断。为此,研究了特高压换流变压器内部油纸绝缘缺陷直流局部放电特征及其发展过程,构建了油纸针-板等... 特高压换流变压器绝缘承受的直流电压高,绝缘缺陷劣化发展迅速,且单凭局部放电(PD)量值和放电次数无法对绝缘缺陷的发展阶段进行分析诊断。为此,研究了特高压换流变压器内部油纸绝缘缺陷直流局部放电特征及其发展过程,构建了油纸针-板等7种局部放电模型。采用阶梯式升压法研究在长期外加电压作用下,绝缘纸板从起始放电到被击穿的整个缺陷发展过程中脉冲电流信号的实时特征及其统计特性,通过拍照的方式给出各模型各发展阶段纸板表面电腐蚀状态,并给出各相应发展阶段电场的空间分布。结果表明:直流局部放电发展过程复杂,初期以大放电脉冲为主,放电频率低,等待恢复时间随机性强;中期和末期以小脉冲放电为主,等待恢复时间均匀分布;临界击穿时等待恢复时间分布集中。结合多种放电模型直流局部放电试验,可断定不同缺陷结构从起始直流局部放电到击穿的过程中,其局部放电的总体发展趋势表现一致。 展开更多
关键词 特高压(uhv) 换流变压器 直流(DC) 局部放电(PD) 油纸绝缘 放电模型 电场
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UHV/CVD低温生长硅外延层的性能研究 被引量:6
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作者 叶志镇 曹青 +6 位作者 张侃 陈伟华 汪雷 李先杭 赵炳辉 李剑光 卢焕明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期565-568,共4页
本文利用自行研制的一台超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)系统,在780℃下进行了硅低温外延,取得了表面平整、缺陷密度低、界面质量良好。
关键词 uhv/CVD ULSI 外延生长 分子外延
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弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长 被引量:5
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作者 罗广礼 林小峰 +4 位作者 刘志农 陈培毅 林惠旺 钱佩信 刘安生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期682-685,共4页
利用自制的冷壁石英腔 UHV/CVD设备 ,60 0℃条件下 ,通过 Ge组分渐变缓冲层技术 ,在 Si( 1 0 0 )衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的 Si0 .83Ge0 .17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 .另外 ,还在 550℃下生长了同... 利用自制的冷壁石英腔 UHV/CVD设备 ,60 0℃条件下 ,通过 Ge组分渐变缓冲层技术 ,在 Si( 1 0 0 )衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的 Si0 .83Ge0 .17外延层 ,并在其上获得了具有张应变的 Si盖帽层 .另外 ,还在 550℃下生长了同样结构的样品 ,发现此样品厚度明显变薄 ,组分渐变层的应变释放不完全 ,位错网稀疏而且不均匀 ,其上的 Si0 .83Ge0 . 展开更多
关键词 外延层 uhv/CVD 锗化硅
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UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析 被引量:7
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作者 朱培喻 陈培毅 +4 位作者 黎晨 罗广礼 贾宏勇 刘志农 钱佩信 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期464-467,共4页
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法... 本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。 展开更多
关键词 Raman SIGE合金 uhv/CVD 弛豫 应变 硅锗膜 拉曼光谱分析 半导体薄膜
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UHV/CVD 设备及其特性 被引量:6
9
作者 雷震霖 赵科新 +7 位作者 余文斌 任国豪 谢琪 余金中 成步文 于卓 王启明 杨乃恒 《真空》 CAS 北大核心 1997年第6期14-17,共4页
本文描述超高真空化学气相淀积系统(UHV/CVD)的设计思想、系统的结构和性能,着重介绍超高真空的获得和系统的特点,将为“第二代硅”SiGe/Si异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。
关键词 IC 设计 uhv/CVD 半导体薄膜技术
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H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响 被引量:2
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作者 赵星 叶志镇 +3 位作者 吴贵斌 刘国军 赵炳辉 唐九耀 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期78-81,共4页
利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯... 利用超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)成功实现了Si1-xGex的低温选择性外延生长,并研究了H2对选择性外延生长的影响及其作用机理.以Si H4和GeH4为反应气源,在开有6mm×6mm窗口氧化硅片上进行Si1-xGex外延层的生长.首先分别以不含H2(纯GeH4)和含H2(90%H2稀释的GeH4)的两种Ge源进行选择性外延生长.通过SEM观察两种情况下氧化硅片表面,发现H2的存在对选择性外延生长有至关重要的作用.接着以90%H2稀释的GeH4为Ge源,变化Si源和Ge源的流量比改变H2分压,以获得Si H4和GeH4(90%H2)的最佳流量比,使外延生长的选择性达到最好.利用SEM观察在不同流量比时,经40min外延生长后各样品的表面形貌,并对其进行比较,分析了H2分压在Si1-xGex选择性外延生长中的作用机理. 展开更多
关键词 选择性外延生长 uhv/CVD SI1-XGEX
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用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn^-型硅外延研究 被引量:1
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作者 黄文韬 陈长春 +5 位作者 李希有 沈冠豪 张伟 刘志弘 陈培毅 钱佩信 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1666-1671,共6页
利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显... 利用超高真空化学气相淀积 (UHV/ CVD)设备 ,在掺 As n+ 型 Si衬底上生长了掺 P n- 型 Si外延层 .用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和 PH3气体流量下生长的 Si外延层的过渡区厚度 .结果表明 ,生长温度对 n+ - Si衬底的 As外扩有明显影响 ,在 70 0℃下生长的 Si外延层的过渡区厚度为 0 .16 μm,而在 5 0 0℃下仅为 0 .0 6 μm,且杂质分布非常陡峭 .X射线双晶衍射分析表明在 70 0℃下生长的 Si外延层的质量很高 .制作的锗硅异质结晶体管(Si Ge HBT)的击穿特性很硬 ,击穿电压为 14 .5 V,在 VCB=14 .0 V下的漏电流仅为 0 .3μA;输出特性很好 ,在 VCE=5 V,IC=3m A时的放大倍数为 6 展开更多
关键词 uhv/CVD 硅外延 杂质分布 SIGE HBT
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UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 被引量:1
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作者 于卓 李代宗 +5 位作者 成步文 黄昌俊 雷震霖 余金中 王启明 梁骏吾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期564-569,共6页
利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子... 利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 。 展开更多
关键词 uhv/CVD 外延生长 锗化硅 表面反应动力学
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UHV/CVD生长SiGe/Si材料分析及应用研究 被引量:2
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作者 周志文 叶剑锋 《深圳信息职业技术学院学报》 2011年第3期29-32,共4页
以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV/CVD系统在Si(100)衬底上生长了Si1-xGex合金和Si1-xGex/Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金... 以Si2H6和GeH4为生长气源,采用UHV/CVD系统在Si(100)衬底上生长了Si1-xGex合金和Si1-xGex/Si多量子阱结构。采用X射线双晶衍射仪、扫描电子显微镜和原子力显微镜等仪器设备对样品的组份、界面和表面形貌等晶体质量进行了研究。SiGe合金中Si和Ge摩尔分数的比值随着Si2H6和GeH4流量比的增加按比例线性增加,比例因子为2.57。生长的Si0.88Ge0.12合金样品的界面清晰,表面平整,平均粗糙度仅为0.4 nm,位错密度低于104/cm2。六周期Si0.88Ge0.12/Si多量子阱的X射线双晶衍射摇摆曲线中存在多级卫星峰和Pendellosung条纹。这些结果表明SiGe合金和SiGe/Si多量子阱均具有很好的晶体质量。 展开更多
关键词 SIGE合金 SiGe/Si多量子阱 外延生长 uhv/CVD
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UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
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作者 黄文韬 陈长春 +4 位作者 刘志农 邓宁 刘志弘 陈培毅 钱佩信 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期418-420,424,共4页
 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量...  采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。 展开更多
关键词 uhv/CVD 多晶锗硅 快速热退火 成核时间 外延
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UHV输电暂态信号的动力学分析新方法 被引量:1
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作者 李毅 吴政球 +2 位作者 汪沨 刘开培 陆佳政 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第10期44-51,共8页
特高压交流输电线路故障的正确识别与快速切除对于保障整个系统的安全、稳定和可靠运行具有重要意义。通过PSCAD-EMTDC仿真,在比较不同故障类型下故障相、非故障相最大过电流大小的基础上,本文从动力学角度分析了故障信号混沌特征的变... 特高压交流输电线路故障的正确识别与快速切除对于保障整个系统的安全、稳定和可靠运行具有重要意义。通过PSCAD-EMTDC仿真,在比较不同故障类型下故障相、非故障相最大过电流大小的基础上,本文从动力学角度分析了故障信号混沌特征的变化规律。利用Duffing混沌系统对于环境噪声具有较好的抗干扰性的特点,以检测到的故障信号作为该系统的摄动输入,得到了不同故障类型下的相轨迹图,再利用小波边缘检测技术提取到了各相图中的故障指纹信息。最后对某750kV输电线路的故障信号进行了识别,结果表明,该系统具有较好的故障识别能力,验证了该方法的正确性。 展开更多
关键词 特高压 线路故障 动力学 Duffing混沌系统 小波
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500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
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作者 赵雷 左玉华 +4 位作者 李传波 成步文 罗丽萍 余金中 王启明 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期5-9,共5页
利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显... 利用UHV/CVD系统,在一个相对较低的温度500℃下,研究了Si1-xGex层中的Ge含量与生长条件之间的关系,此时的Si1-xGex层处于一种亚稳的状态。并直接在Si衬底上生长制备了10个周期的3.0 nm-Si0.5Ge0.5/3.4 nm-Si多量子阱。拉曼谱、高分辨显微电镜和光荧光谱对其结构和光学性能进行的表征表明这种相对较厚的Si0.5Ge0.5/Si多量子阱结构基本上仍是近平面生长的,内部没有位错,其在电学和光学器件上具有潜在的应用。 展开更多
关键词 uhv/CVD 拉曼测量 光荧光 Si0.5Ge0.5
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UHV/CVD自对准生长Ge量子点(英文)
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作者 黄文韬 邓宁 +2 位作者 陈培毅 罗广礼 钱佩信 《微纳电子技术》 CAS 2004年第2期17-22,共6页
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量... 在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化其生长温度和时间,在550℃,15s的条件下生长出尺寸最小的量子点,直径30nm,高约2nm。最上层多层结构Ge量子点中岛状量子点的比例为75%,其直径66nm,高11nm,密度4.5×109cm-2。利用透射电子显微镜分析了垂直自对准的Ge量子点的截面形貌,结果表明多层结构Ge量子点是垂直自对准的。Ge量子点及其浸润层的喇曼谱峰位分别为299cm-1和417cm-1,说明Ge量子点是应变的并且界面存在互混现象。采用光荧光谱分析了Ge量子点的光学特性。 展开更多
关键词 uhv/CVD 自对准生长 GE量子点 超高真空化学汽相淀积设备 自组织生长 垂直自对准 PL谱
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基于定关断面积的分层接入UHVDC系统换流器协调控制策略 被引量:5
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作者 韩平平 孙浩然 +3 位作者 童青洋 张炎 陈忠 杨为 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第7期316-325,共10页
基于分层接入特高压直流输电(UHVDC)系统逆变侧高低端的耦合特性,分析叠弧面积增加引发换流器换相失败的机理,提出一种抑制分层接入UHVDC系统非故障层换流器换相失败的协调控制策略。该策略通过补偿交流故障后非故障层换流器所需的叠弧... 基于分层接入特高压直流输电(UHVDC)系统逆变侧高低端的耦合特性,分析叠弧面积增加引发换流器换相失败的机理,提出一种抑制分层接入UHVDC系统非故障层换流器换相失败的协调控制策略。该策略通过补偿交流故障后非故障层换流器所需的叠弧面积,使晶闸管具有足够的关断面积完成去游离过程,从而防止换相失败的发生。最后基于PSCAD/EMTDC搭建实际系统模型并进行了仿真验证,结果表明所提协调控制策略能有效抑制不同故障程度下受端电网对称和不对称故障下非故障层换流器的换相失败,可提升系统的稳定性。 展开更多
关键词 风力发电 特高压直流输电 分层系统 换相 协调控制
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用超高真空扫描隧道显微镜UHV—STM研究多晶铌和单晶铌的表面结构
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作者 李艳宁 安白 +3 位作者 福山诚司 横川清志 吉村雅满 胡小唐 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期429-433,共5页
作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了... 作者使用超高真空扫描隧道显微镜UHV STM和表面成分分析仪器俄歇谱仪 (AugerElectronSpectroscopy(AES) )研究了多晶铌和Nb(0 0 1)。实验中采用净化样品的主要方法是离子轰击和高温加热。经过重结晶后 ,在多晶铌和Nb(0 0 1)表面形成了特征性的表面超结构。在多晶铌表面 ,作者观测到了 (110 )和 (10 0 )面 ,在 (10 0 )面上形成的是 (n× 1)超结构 ,而在 (110 )面上形成的是 0 2 8nm× 0 4 0nm的周期性超结构。在Nb(0 0 1)表面作者观测到C(2× 2 )的典型结构。AES实验表明 ,不纯物“氧”仍然以氧化物的形式存在于单晶和多晶铌样品中。基于这些实验结果 ,结合铌的微观晶格结构 ,作者给出了所观测到的超结构的合理的解释 。 展开更多
关键词 多晶铌 单晶铌 扫描隧道显微镜 STM 俄歇谱仪 AES 超高真空 uhv Nb 表面超结构
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UHV系统及变压器发展之设想
20
作者 贺以燕 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期28-31,共4页
介绍了UHV系统的发展方式、绝缘水平以及国外变压器和变压器单台极限容量,对下个世纪中国的UHV变压器等科研物质准备工作讲行了设想。
关键词 uhv系统 变压器 发展
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