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基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅱ:模拟结果与讨论
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作者 张青磊 朱基亮 +4 位作者 谭浚哲 于光龙 吴家刚 朱建国 肖定全 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期140-143,共4页
根据本文作者提出的以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和... 根据本文作者提出的以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜成长机制以及基于MonteCarlo方法的三维模型及模拟算法(详见另文),编制了模拟软件,模拟了不同沉积速率、不同的基底温度下的薄膜组成.模拟过程中两个输入参数选为薄膜的沉积速率和沉积温度,并根据一般研究中采用的实验条件,分别取沉积速率为0.00125ML/s和0.004ML/s(单层/秒,Mono-layer/second,以下同),基底温度为500K~800K.模拟结果表明,随着基底温度的升高,薄膜中SrO分子和Ti O2分子的数目逐渐减少,当超过某一临界温度,薄膜为完全的SrTi O3薄膜;而且随着沉积速率的升高,同质外延生长SrTi O3的最低温度也随之升高. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 分子源 srtio_3薄膜 氧化物
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基于分子源SrTiO_3薄膜同质外延生长的Monte Carlo模拟Ⅰ:生长机制、模型与算法
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作者 张青磊 朱基亮 +4 位作者 谭浚哲 于光龙 吴家刚 朱建国 肖定全 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第S1期135-139,共5页
提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过... 提出了一种在极低的生长速率下(例如分子外延技术),以SrTi O3为代表的ABO3型氧化物薄膜的生长机理,并针对这一生长机制,给出了基于Monte Carlo方法的三维模型和模拟算法.模拟基于Solid on Solid模型,并采用周期性的边界条件;模拟中通过库仑作用势引入了基底对沉积分子的影响;Monte Carlo事件由沉积事件、扩散事件、吸附成核事件组成;分子扩散能力与扩散激活能相关. 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 薄膜生长 分子源 srtio_3薄膜 氧化物
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金属元素掺杂对SrTiO_3光吸收特性的影响 被引量:3
3
作者 朱少坤 吴广文 +2 位作者 祝智萌 金放 张春桂 《工业催化》 CAS 2010年第4期31-35,共5页
采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿结构的SrTiO_3、Sr_(0.95)A_(0.05)TiO_3(A=Ph、Bi)和SrTi_(0.95)Co_(0.05)O_3光催化剂。采用X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见光吸收等技术对样品形貌及光吸收特性进行了表征。以高压汞灯和碘钨灯为实验光源... 采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿结构的SrTiO_3、Sr_(0.95)A_(0.05)TiO_3(A=Ph、Bi)和SrTi_(0.95)Co_(0.05)O_3光催化剂。采用X射线衍射、扫描电镜和紫外-可见光吸收等技术对样品形貌及光吸收特性进行了表征。以高压汞灯和碘钨灯为实验光源,通过对甲基橙和罗丹明B的脱色率考察样品的光催化活性。结果表明,各金属离子掺杂增强了SrTiO_3光吸收活性,使其在高压汞灯下对染料溶液的脱色率提高3~5倍,减小了带隙能,在不同程度上拓展了光吸收波长范围。 展开更多
关键词 催化化学 离子掺杂 srtio_3 光催化 吸收特性
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醋酸和丙三醇对制备SrTiO_3的影响 被引量:10
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作者 颜秀茹 霍明亮 +2 位作者 王建萍 王菲 曾淑兰 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期64-66,共3页
醋酸和丙三醇对制备SrTiO_3的影响颜秀茹,霍明亮,王建萍,王菲,曾淑兰(天津大学化学系天津300072)关键词 冰醋酸,溶胶-凝胶过程,丙三醇,SrTiO_3SrTiO3是电子材料中使用最广的材料之一,有关它的制备... 醋酸和丙三醇对制备SrTiO_3的影响颜秀茹,霍明亮,王建萍,王菲,曾淑兰(天津大学化学系天津300072)关键词 冰醋酸,溶胶-凝胶过程,丙三醇,SrTiO_3SrTiO3是电子材料中使用最广的材料之一,有关它的制备已有不少报道。一般可以通过SrCO... 展开更多
关键词 醋酸 溶胶-凝胶过程 丙三醇 钛酸锶
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掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究 被引量:9
5
作者 周晓华 SφrensenO.Toft +1 位作者 曹全喜 徐毓龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期927-932,共6页
本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系.在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20~900℃的温度区间和3.8×10-4~2.6×10-1atm的氧分压范围被测试.结果表明,所... 本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系.在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol%,所有样品均在20~900℃的温度区间和3.8×10-4~2.6×10-1atm的氧分压范围被测试.结果表明,所有样品均呈现p型半导体的导电特征,样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关.根据X光衍射图和缺陷化学理论,实验结果得到适当的解释. 展开更多
关键词 钛酸锶陶瓷 缺陷 电导率 陶瓷 掺镁
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SrTiO_3复合功能陶瓷中烧结助剂的研究 被引量:8
6
作者 徐庆 陈文 +1 位作者 赵雷康 袁润章 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1999年第1期76-80,共5页
采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷,着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明:组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结,改善微观结构,并相应优化SrTiO3... 采用一次烧成法制备出SrTiO3电容—压敏复合功能陶瓷,着重研究了SiO2-TiO2-Al2O2系烧结助剂对SrTiO3陶瓷的结构和复合功能特性的影响。研究结果表明:组成合理的烧结助剂有助于促进SrTiO3陶瓷的烧结,改善微观结构,并相应优化SrTiO3陶瓷的复合功能。研究确定,优化的烧结助剂组成为0.5wt%SiO2-0.2wt%TiO2-0.05wt%Al2O3。 展开更多
关键词 烧结助剂 复合功能陶瓷 钛酸锶 陶瓷 半导体
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Bi^(3+)气相扩散对SrTiO_3基功能陶瓷晶界的影响 被引量:3
7
作者 鲍慈光 杨宗璐 +2 位作者 孙献忠 赵景畅 李琳 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 1999年第2期224-228,共5页
用均匀设计法设计实验方案,在扩散温度为1000~1250℃,扩散后的降温速度为200~600℃/h,扩散时间为20~270min及扩散源中铋含量为25%~50%的范围内研究了用Bi2O3作为扩散源进行气相扩散时诸因素对SrTiO3半导体陶瓷进行晶界绝缘处... 用均匀设计法设计实验方案,在扩散温度为1000~1250℃,扩散后的降温速度为200~600℃/h,扩散时间为20~270min及扩散源中铋含量为25%~50%的范围内研究了用Bi2O3作为扩散源进行气相扩散时诸因素对SrTiO3半导体陶瓷进行晶界绝缘处理的影响。对实验结果进行统计回归处理的结果表明了各因素对样品的介电常数。的影响。用SEM、EPMA对陶瓷断面和晶界附近铋含量的分布测定表明,在高温下气相扩散物Bi2O3可沿晶界快速扩散进入陶瓷体内,在整个陶瓷体内分布较均匀,在晶界上会发生富集,同时部分从晶界向晶粒内扩散,扩散厚度一般小于3μm。在此条件下,Bi3+的扩散系数为2.72×10-12cm2/s。对晶界势垒的研究表明,势垒符合叠加模型。 展开更多
关键词 SRTIO3 陶瓷 晶界 扩散 半导体陶瓷 偏钛酸锶
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SrTiO_3双功能陶瓷的施主掺杂研究 被引量:7
8
作者 李建英 李盛涛 庄严 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期193-197,共5页
研究了25%N_2+75%H_2(体积分数)强还原烧结气氛下施主添加剂 Nb_2O_ 5、La_2O_3对SrTiO3双功能陶瓷半导化的作用规律,结果表明随着添加量的增大, Nb_2O_5掺杂试样的表观电阻率单调下降,而 La_2... 研究了25%N_2+75%H_2(体积分数)强还原烧结气氛下施主添加剂 Nb_2O_ 5、La_2O_3对SrTiO3双功能陶瓷半导化的作用规律,结果表明随着添加量的增大, Nb_2O_5掺杂试样的表观电阻率单调下降,而 La_2O_3掺杂试样的表观电阻率呈“ U”形曲线.研究了在 La_2O_3高、低两种添加量下,烧结温度对半导化的作用规律,实验结果表明随着烧结温度的升高,高掺杂试样的表观电阻率逐渐上升,而低掺杂试样逐渐下降.在XRD、IR、PAT等现代测试手段分析的基础上。 展开更多
关键词 SrTiO3陶瓷 施主掺杂 半导化
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Ca固溶对SrTiO_3结构的影响 被引量:4
9
作者 缪卫国 吴音 周和平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期48-52,共5页
(CaxSr1-x)TiO3的晶胞体积随Ca固溶量的增大而减少.XPS研究表明,虽然这种体积减少有使原子间结合能增大的趋势,但由于TiO6八面体的倾斜旋转,造成原子间键长加长,反而使得结合能有所降低.Ca的固溶会变化,导致晶界处化学环境的... (CaxSr1-x)TiO3的晶胞体积随Ca固溶量的增大而减少.XPS研究表明,虽然这种体积减少有使原子间结合能增大的趋势,但由于TiO6八面体的倾斜旋转,造成原子间键长加长,反而使得结合能有所降低.Ca的固溶会变化,导致晶界处化学环境的变化,使晶界吸附氧含量明显增大.(CaxSr1-x)TiO3优良的压敏特性归因于晶胞体积的收缩及化学势的变化. 展开更多
关键词 固溶 XPS 钛酸锶 铁电体
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SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径 被引量:5
10
作者 季惠明 郝俊杰 梁辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第3期5-6,共2页
以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺杂等手段来修正基本系统 ,以降低压敏电压。结果表明 ,以上措施可有效地降低压敏电压 ,改善压敏 -介电性能。
关键词 SRTIO3 压敏电阻器 压敏电压 压敏陶瓷
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氧扩散热处理SrTiO_3压敏电阻的非线性和界面势垒 被引量:10
11
作者 陈志雄 庄严 +3 位作者 周方桥 李红耘 熊西周 梁鸿东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第9期11-13,16,共4页
伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理... 伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明。 展开更多
关键词 SRTIO3压敏电阻 非线性 界面势垒 氧扩散热处理
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SrTiO_3单晶体生长过程中的溢流问题 被引量:3
12
作者 毕孝国 黄菲 +2 位作者 何风鸣 赵洪生 孙旭东 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期328-331,共4页
本文以氯化锶和氯化钛为原料,采用控制水解法制备SrTiO3 原料粉末,使用焰熔法生长了SrTiO3 单晶体。晶体生长参数为:原料粉末粒度为-200+250目,炉膛气氛的氢氧比H/O为6. 00,生长速度为12mm/h,获得了直径30mm,长60mm的单晶。晶体生长过程... 本文以氯化锶和氯化钛为原料,采用控制水解法制备SrTiO3 原料粉末,使用焰熔法生长了SrTiO3 单晶体。晶体生长参数为:原料粉末粒度为-200+250目,炉膛气氛的氢氧比H/O为6. 00,生长速度为12mm/h,获得了直径30mm,长60mm的单晶。晶体生长过程中,晶体顶部熔体的溢流是妨碍获得大尺寸完整晶体的一个最主要的问题。本文详细讨论了SrTiO3 单晶体生长过程中的溢流的成因和解决办法。 展开更多
关键词 SRTIO3 晶体生长 溢流 焰熔法 钙钛矿 晶胞 制备方法 折射率
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溶胶-凝胶法制备高取向Bi_4Ti_3O_(12)/SrTiO_3(100)薄膜 被引量:3
13
作者 顾豪爽 王世敏 +5 位作者 吴新民 邝安祥 马世安 汪连山 赵建洪 李兴教 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第1期63-66,共4页
Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of ... Highly oriented Bi4Ti3O12 thin films were prepared by Sol-Gel technique on SrTiO3(100) single crystal, using Bi(NO3)3.5H2O, Ti(OC4H9)4 and CH3COOH as raw materials. The c-axis orientation was about 96%. The effect of pH value of solution on quality of the thin films was studied. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 高取向薄膜 钛酸锶
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B掺杂SrTiO_3电子结构的第一性原理计算 被引量:3
14
作者 刘晨吉 贾云龙 +3 位作者 刘红 吴一 刘磊 郑树凯 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期616-622,共7页
利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO_3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明:B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO_3电子... 利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势法,对未掺杂、B替位Sr、B替位Ti、B替位O和B间隙掺杂SrTiO_3的晶格参数、Mulliken电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行计算。结果表明:B替位Sr和B替位Ti掺杂对SrTiO_3电子结构和光学性质的影响不显著;B替位O掺杂则在SrTiO_3的禁带中引入3条杂质能级,杂质能级上的电子可以吸收能量较小的光子跃迁至导带,光吸收强度从可见光长波段550nm开始逐渐增加,光谱吸收边红移;B以间隙原子的形式掺杂时,SrTiO_3的禁带宽度大幅增大,电子跃迁能增加,光谱吸收边蓝移。 展开更多
关键词 SRTIO3 B掺杂 第一性原理 电子结构
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SrTiO_3基陶瓷的介电谱研究 被引量:4
15
作者 肖鸣山 张承琚 +1 位作者 王成建 兰建胜 《功能材料》 EI CAS CSCD 1996年第5期441-442,共2页
采用标准的固相反应法制备成0.91(Sr(0.84)Pb(0.16))TiO3+0.09(Bi2O3·3TiO2)介电陶瓷(缩记为SrTiO3基陶瓷),并详细地研究了此种陶瓷的介电谱,即介电温度谱和介电频率谱。由... 采用标准的固相反应法制备成0.91(Sr(0.84)Pb(0.16))TiO3+0.09(Bi2O3·3TiO2)介电陶瓷(缩记为SrTiO3基陶瓷),并详细地研究了此种陶瓷的介电谱,即介电温度谱和介电频率谱。由介电谱确定了此种陶瓷的结构相变、居里温度、介电弛豫频率和介电弛豫时间,并对它们进行了讨论。 展开更多
关键词 陶瓷 介电温度 钛酸锶 介电频率谱
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烧结工艺对纳米SrTiO_3陶瓷介电性能的影响 被引量:4
16
作者 徐云龙 余蓉蓉 钱秀珍 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第2期16-19,共4页
采用 sol-gel 方法制备 SrTiO_3陶瓷粉体,利用 TG-DTA 分析 SrTiO_3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO_3陶瓷预烧和烧结温度,采用 SEM 研究了 SrTiO_3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对 SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。研... 采用 sol-gel 方法制备 SrTiO_3陶瓷粉体,利用 TG-DTA 分析 SrTiO_3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO_3陶瓷预烧和烧结温度,采用 SEM 研究了 SrTiO_3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对 SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。研究表明,当采用在空气气氛下以 5 ℃/min 的升温速率直接升温至 1 000℃,保温 0.5 h,再降温至 750℃保温 0.5 h 后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO_3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于 100 nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达 3 000 左右。 展开更多
关键词 无机非金属材料 钛酸锶陶瓷 烧结工艺 介电性能 纳米SrTiO3陶瓷
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SrTiO_3双功能陶瓷中CaTiO_3掺杂的研究 被引量:3
17
作者 李建英 李盛涛 +1 位作者 庄严 屠德民 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期281-282,共2页
研究了CaTiO3 掺杂对SrTiO3 电容 -压敏陶瓷材料微观结构和电性能的作用。XRD和IR分析结果表明过量Ca2 +掺杂使得晶格结构的对称性和分子规整度降低。电性能测试表明Ca2 + 掺杂利于降低烧结后的表观电阻率 ,压敏电压和表观介电常数随CaT... 研究了CaTiO3 掺杂对SrTiO3 电容 -压敏陶瓷材料微观结构和电性能的作用。XRD和IR分析结果表明过量Ca2 +掺杂使得晶格结构的对称性和分子规整度降低。电性能测试表明Ca2 + 掺杂利于降低烧结后的表观电阻率 ,压敏电压和表观介电常数随CaTiO3 含量的增大分别表现出最小、最大值。 展开更多
关键词 半导化 钛酸钙掺杂 钛酸锶陶瓷
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生长温度对PLD原位生长SrTiO_3薄膜结构与非线性介电性能的影响 被引量:2
18
作者 何世明 李言荣 +2 位作者 刘兴钊 陶伯万 段滨 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期246-249,共4页
采用脉冲激光沉积法 ( PLD ) 制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长 SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构。通过对 SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒... 采用脉冲激光沉积法 ( PLD ) 制备的Y1B2Cu3O7-x薄膜作为叉指底电极,然后生长 SrTiO3介质薄膜,形成叉指型压控电容结构。通过对 SrTiO3薄膜的原位生长温度与薄膜微观结构及非线性介电性能之间的关系研究,发现随生长温度的升高薄膜晶粒逐步增大然后变小,薄膜的介电常数可调率和本征介电损耗随晶粒大小的增大而增加,而非本征损耗则随晶粒取向的增加而减小。 展开更多
关键词 SRTIO3薄膜 介电性能 叉指电容 非线性
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低温烧结SrTiO_3晶界层电容器材料的体深能级的研究 被引量:2
19
作者 李峥 王评初 +1 位作者 徐保民 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期162-166,共5页
本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体... 本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体深能级的等效电路模型,计算机拟合结果与实验数据基本相符. 展开更多
关键词 钛酸锶 晶界层 电容器 介电性 体深能级 陶瓷
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用PAT研究SrTiO_3双功能陶瓷的缺陷结构 被引量:2
20
作者 李建英 李盛涛 庄严 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第8期127-128,共2页
测定了不同气氛烧结的SrTiO3 双功能陶瓷的正电子湮灭 (PAT)寿命谱 ,其平均寿命随着烧结气氛中H2含量的增加而减小 .这是还原烧结气氛使瓷体中形成较多的氧缺位 ,氧缺位捕获两个弱束缚电子形成F′ 色心所致 .弱束缚电子在禁带内形成局... 测定了不同气氛烧结的SrTiO3 双功能陶瓷的正电子湮灭 (PAT)寿命谱 ,其平均寿命随着烧结气氛中H2含量的增加而减小 .这是还原烧结气氛使瓷体中形成较多的氧缺位 ,氧缺位捕获两个弱束缚电子形成F′ 色心所致 .弱束缚电子在禁带内形成局域能级 ,并使材料的电子浓度增大 .x衍射分析结果证明了材料晶体结构的变化 . 展开更多
关键词 SrTiO3陶瓷 PAT 双功能陶瓷 缺陷结构
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