基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级...基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率。流片结果表明,在工作电压为3.3 V时,射频功率放大器的1 d B线性压缩输出功率(P1d B)可达27 d Bm,当误差向量幅度(EVM)为3%时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 d Bm,满足标准规范要求。展开更多
介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配...介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 d B。实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值。展开更多
文摘基于2μm的In Ga P/Ga As异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器。为了提高射频功率放大器的线性度,采用了负反馈镜像电路提供直流工作点,设计了良好的输入、输出和级间匹配电路来提高射频功率放大器的线性输出功率。流片结果表明,在工作电压为3.3 V时,射频功率放大器的1 d B线性压缩输出功率(P1d B)可达27 d Bm,当误差向量幅度(EVM)为3%时,2.4 GHz64 QAM激励下,输出功率可达19.8 d Bm,满足标准规范要求。
文摘介绍了如何利用场效应管的小信号散射(S)参数设计射频功率放大器,并采用此设计方法,选用场效应管,设计了一种工作在160 MHz频段的金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)功率放大器。在工作频段内,功率放大器增益大于23 d B,输入端口的匹配网络的回波损耗S11优于-19 d B。实例证明:该设计方法仿真简单,易于实现,具有重要的工程应用价值。
