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PbZrO_3含量对PZN-PZ-PT因溶体弥散性相变的影响
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作者 江向平 方健文 +3 位作者 初宝进 曾华荣 陈大任 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期565-568,共4页
报道了相界附近PZN-PZ-PT三元系固溶体弥散性相变,并研究了PbZrO3含量对PZN-PZ-PT固溶体弥散性相变的影响,发现随着PbZrO3含量的增加,PZN-PZ-PT固溶体弥散程度有所增加.
关键词 PbZrO3 PZN-PZ-PT 固溶体 弥散性相变 铁电体
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Ti^(4+)掺杂PbZrO_3反铁电纳米粉的制备及其结构表征
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作者 姚海云 胡艳华 +1 位作者 余占军 王丽霞 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期1876-1880,共5页
选取Ti^(4+)对PbZrO_3进行掺杂改性,采用溶胶-凝胶技术制备了PZ及PZT干凝胶粉。XRD结果表明,单一钙钛矿型PZ的煅烧温度为900℃,而单一钙钛矿型PZT(95/5)的煅烧温度为750℃。SEM观察发现,经900℃煅烧,PZ已被烧结成陶瓷,且晶界明显。而经... 选取Ti^(4+)对PbZrO_3进行掺杂改性,采用溶胶-凝胶技术制备了PZ及PZT干凝胶粉。XRD结果表明,单一钙钛矿型PZ的煅烧温度为900℃,而单一钙钛矿型PZT(95/5)的煅烧温度为750℃。SEM观察发现,经900℃煅烧,PZ已被烧结成陶瓷,且晶界明显。而经750℃煅烧,PZT(95/5)的粒径约为150 nm。TEM和EDS结果表明,所制备的粉体为单一钙钛矿型的PZT(95/5)反铁电纳米粉。DSC-TGA结果表明,由于Ti^(4+)的添加,形成大量Ti^(4+)羟基类物质。Ti^(4+)羟基类物质的分解,放出了大量的热,促进了PZT(95/5)的结晶。 展开更多
关键词 锆酸铅 锆钛酸铅 钙钛矿相 掺杂 结构表征
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兼具高电致应变和居里温度的La掺杂Pb基压电陶瓷的制备
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作者 卢铭鑫 周黎阳 +7 位作者 许晓宇 冯晓颖 王挥 阎彬 许杰 陈超 梅辉 高峰 《无机化学学报》 北大核心 2025年第2期329-338,共10页
采用传统固相法制备了La^(3+)掺杂的0.28Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-0.32Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.3PbTiO_(3)-0.1PbZrO_(3)(PIN-PZN-PZT)四元压电陶瓷,研究了La^(3+)掺杂量对PIN-PZN-PZT四元压电陶瓷微观结构和电学性能的影响。结... 采用传统固相法制备了La^(3+)掺杂的0.28Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O_(3)-0.32Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.3PbTiO_(3)-0.1PbZrO_(3)(PIN-PZN-PZT)四元压电陶瓷,研究了La^(3+)掺杂量对PIN-PZN-PZT四元压电陶瓷微观结构和电学性能的影响。结果表明:引入La^(3+)可以增强压电陶瓷局部结构异质性,进而提升介电弛豫特性并提高压电性能。当La_(2)O_(3)含量为1.5%时,获得了兼具高电致应变(0.23%)和高居里温度(206℃)的压电陶瓷材料。 展开更多
关键词 0.28Pb(In_(1/2)Nb_(1/2))O3-0.32Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_(3)-0.3PbTiO_(3)-0.1PbZrO_(3) 压电陶瓷 电致应变 居里温度
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锆酸铅薄膜的生长特性与表面化学态 被引量:1
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作者 唐振方 蒋力立 +2 位作者 刘彭义 孙汪典 唐新桂 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期142-145,169,共5页
以醋酸铅和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚为溶剂。通过溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出不开裂的钙钛矿PbZrO3薄膜。用XRD和原子力显微镜测量了薄膜随退火温度变化的结构和表面形貌特征,用XPS测试了650... 以醋酸铅和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚为溶剂。通过溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片成功地制备出不开裂的钙钛矿PbZrO3薄膜。用XRD和原子力显微镜测量了薄膜随退火温度变化的结构和表面形貌特征,用XPS测试了650°C退火PbZrO3薄膜的表面化学态。 展开更多
关键词 PbZrO3 薄膜 溶胶-凝胶 表面形貌 化学态
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厚度对反铁电锆酸铅薄膜光学折射率的影响
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作者 刘奇能 唐新桂 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2004年第1期59-61,71,共4页
用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了厚度分别为89nm和137nm的PbZrO3(PZ)薄膜。X-射线衍射结果表明晶化好的PZ薄膜是钙钛矿结构。用椭偏光谱仪在波长345~1700nm范围内,测量了不同厚度的PZ薄膜的椭偏光谱。获得了不同厚度薄膜的... 用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)上制备了厚度分别为89nm和137nm的PbZrO3(PZ)薄膜。X-射线衍射结果表明晶化好的PZ薄膜是钙钛矿结构。用椭偏光谱仪在波长345~1700nm范围内,测量了不同厚度的PZ薄膜的椭偏光谱。获得了不同厚度薄膜的光学常数谱(折射率n和消光系数k)。结果表明在633nm处,厚度分别为89nm和137nm的PZ薄膜,其折射率n分别为2.090和2.236。 展开更多
关键词 PbZrO3薄膜 椭偏光谱 光学特性
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基于PZT薄膜的高频压电式微机械超声换能器的仿真与制备 被引量:1
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作者 刘亚琦 陈明珠 +8 位作者 张巧珍 赵祥永 王巨杉 唐艳学 王飞飞 王书豪 汪尧进 苗斌 李加东 《上海师范大学学报(自然科学版)》 2023年第5期597-608,共12页
压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿... 压电式微机械超声换能器(PMUT)是当前生物医学超声成像领域的研究热点.锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3),PZT)压电薄膜是近年来微机械超声换能器使用的核心压电材料.基于PZT压电薄膜,使用有限元软件COMSOL Multiphysics创建了三维有限元仿真模型,并在(0,1)模态下研究了压电薄膜结构的几何参数,其谐振频率达到222.12 MHz,有效机电耦合系数(keff)为5.13%.采用光刻和刻蚀方法制备了PZT压电薄膜的PMUT单元原型器件.该器件的空腔结构完整,谐振频率在(0,1)模态下为25.87 MHz,仿真与测试结果相似,振动模态较纯,振动位移性能较好.研究结果表明:采用PZT压电薄膜的PMUT在高分辨率、高频医学超声成像中具有较好的应用前景. 展开更多
关键词 压电式微机械超声换能器(PMUT) 高频 锆钛酸铅(PbZrO_(3)-PbTiO_(3) PZT)薄膜 器件制备
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基于微波照射储能用PbZrO_(3)反铁电薄膜的制备 被引量:2
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作者 王占杰 房胤 白宇 《沈阳工业大学学报》 CAS 北大核心 2022年第6期636-641,共6页
为了获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜,采用微波照射技术在LaNiO_(3)电极薄膜上制备了PbZrO_(3)薄膜,并研究了PbZrO_(3)薄膜的微结构、电学性能和储能性能随微波照射时间的变化规律.结果表明:通过微波照射在750℃下只需要180 ... 为了获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜,采用微波照射技术在LaNiO_(3)电极薄膜上制备了PbZrO_(3)薄膜,并研究了PbZrO_(3)薄膜的微结构、电学性能和储能性能随微波照射时间的变化规律.结果表明:通过微波照射在750℃下只需要180 s就可以获得晶粒大小均匀且微结构致密的钙钛矿相PbZrO_(3)薄膜;在1640 kV/cm电场下PbZrO_(3)薄膜的储能密度可达27.3 J/cm^(3),储能效率可达59%,表现出良好的储能性能.因此,在结晶过程中使用微波照射技术可以有效获得具有优良储能性能的PbZrO_(3)反铁电薄膜. 展开更多
关键词 介电电容器 LaNiO_(3)电极 PbZrO_(3)薄膜 铁电性能 储能性能 微波照射 溶胶凝胶法 退火
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Al_(2)O_(3)层厚度对PbZrO_(3)/Al_(2)O_(3)异质结薄膜储能性能的影响
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作者 王占杰 于海义 +2 位作者 邵岩 王子权 白宇 《沈阳工业大学学报》 CAS 北大核心 2024年第1期72-76,共5页
为了提高Pt/PbZrO_(3)/Pt电介质电容器的储能密度,通过热蒸镀和自然氧化方法在Pt/Ti/SiO_(2)/Si基板上沉积了厚度为0~10 nm的Al_(2)O_(3)(AO)层,采用化学溶液沉积法制备PbZrO_(3)薄膜,研究了Al_(2)O_(3)层厚度对PbZrO_(3)/Al_(2)O_(3)(P... 为了提高Pt/PbZrO_(3)/Pt电介质电容器的储能密度,通过热蒸镀和自然氧化方法在Pt/Ti/SiO_(2)/Si基板上沉积了厚度为0~10 nm的Al_(2)O_(3)(AO)层,采用化学溶液沉积法制备PbZrO_(3)薄膜,研究了Al_(2)O_(3)层厚度对PbZrO_(3)/Al_(2)O_(3)(PZO/AO)异质结薄膜储能性能的影响。结果表明:随着AO层厚度的增加,PZO/AO异质结薄膜的击穿电场强度逐渐增大,极化电场电滞回线由反铁电特征转变为铁电特征。当PZO/AO异质结薄膜的AO层厚度为5 nm时,储能密度最大值为21.2 J/cm^(3)。 展开更多
关键词 电介质电容器 PbZrO_(3)薄膜 Al_(2)O_(3)插层 铁电 反铁电 储能性能 热蒸镀 化学溶液沉积法
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Substitution of Pb with (Li_(1/2)Bi_(1/2)) in PbZrO_(3)-based antiferroelectric ceramics
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作者 Binzhi Liu Anand P.S.Gaur +1 位作者 Jun Cui Xiaoli Tan 《Journal of Advanced Dielectrics》 2024年第1期74-81,共8页
PbZrO_(3)-based antiferroelectric(AFE)ceramics are promising dielectrics for high-energy-density capacitors due to their reversible phase transitions during charge-discharge cycles.In this work,a new composition serie... PbZrO_(3)-based antiferroelectric(AFE)ceramics are promising dielectrics for high-energy-density capacitors due to their reversible phase transitions during charge-discharge cycles.In this work,a new composition series,[Pb_(0.93-x)La_(0.02)(Li_(1/2)Bi_(1/2))_(x)Sr_(0.04)][Zr_(0.57)Sn_(0.34)Ti_(0.09)]O_(3),with Li^(+)and Bi^(3+)substitution of Pb^(2+)at x=0,0.04,0.08,0.12,0.16 is investigated for the microstructure evolution,ferroelectric(FE)and dielectric properties.It is found that Li^(+) and Bi^(3+) substitution can significantly reduce the sintering temperature and simultaneously enhance the dielectric breakdown strength.An ultrahigh energy efficiency(94.0%)and a large energy density(3.22 J/cm^(3))are achieved in the composition of x=0.12 with a low sintering temperature(1075℃). 展开更多
关键词 PbZrO_(3)-based antiferroelectrics LiþBi substitution energy storage energy efficiency
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