Al_2O_3添加剂对合成MgTiO_3陶瓷相组成及介电性能的影响 被引量：20

1

作者 王康宋 罗澜 +1 位作者 陈玮 张干城 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期509-514,共6页

研究了添加剂Ａｌ２Ｏ３对ＭｇＯ和ＴｉＯ２合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,ＸＲＤ分析结果表明:没有添加Ａｌ２Ｏ３时,合成的ＭｇＴｉＯ３陶瓷中只含有ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相;加入Ａｌ２Ｏ３后,... 研究了添加剂Ａｌ２Ｏ３对ＭｇＯ和ＴｉＯ２合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷烧结性、物相组成和微波介电性能的影响,ＸＲＤ分析结果表明:没有添加Ａｌ２Ｏ３时,合成的ＭｇＴｉＯ３陶瓷中只含有ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相;加入Ａｌ２Ｏ３后,ＭｇＴｉＯ３陶瓷中除了ＭｇＴｉＯ３和ＭｇＴｉ２Ｏ５相外,还出现了ＭｇＡｌ２Ｏ４相,这是由于Ａｌ２Ｏ３和 ＭｇＯ发生固相反应．ＭｇＡｌ２Ｏ４的出现虽然阻碍材料的致密化并导致密度下降,但是可以降低反应烧结合成ＭｇＴｉＯ３陶瓷的相对介电常数和介电损耗． 展开更多

关键词 AL2O3 添加剂 mgtio3陶瓷 相组成 介电性能 相对介电常数 介电损耗 钛酸镁陶瓷

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添加剂对MgTiO_3陶瓷性能的影响 被引量：8

2

作者 朱海奎 刘敏 +2 位作者 周洪庆 杨春霞 梁斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期24-26,30,共4页

研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料... 研究了H3BO3,CaO-SiO2-B2O3玻璃料及V2O5的添加对MgTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:合适的添加剂能够使MgTiO3陶瓷在1240～1300℃之间烧结;添加质量分数为3%的H3BO3,V2O5或1%的CaO-SiO2-B2O3玻璃料的MgTiO3陶瓷的介电常数分别为20.8,17.5和19.8,在5～20MHz下,介电损耗低,多为10-4数量级;在10kHz下,介电常数的温度系数在-66×10-6/℃左右,是一种性能良好的微波介质材料。 展开更多

关键词 钛酸镁 烧结温度 介电性能 mgtio3 陶瓷性能 添加剂 H3BO3 微波介质材料 V2O5 介电常数

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MgTiO_3基微波介质陶瓷研究进展 被引量：8

3

作者 赵莉 沈春英 丘泰 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期866-869,892,共5页

本文综述了MgTiO3基微波介质陶瓷的性能与最新研究进展,分析了不同添加剂对MgTiO3微波介电性能的影响;总结了MgTiO3材料改性研究的途径及性能;指出了MgTiO3基材料存在的问题与今后的发展方向。

关键词 微波介质陶瓷 mgtio3 介电性能 改性研究

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高品质因素MgTiO_3-SrTiO_3系微波陶瓷介电性能的研究 被引量：8

4

作者 汪婷 李月明 +2 位作者 王竹梅 沈宗洋 洪燕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第S1期336-340,共5页

以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密... 以分析纯MgO、TiO2、SrCO3为原料,采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(x=0～0.065)系列微波介质陶瓷材料,研究了添加SrTiO3后,体系的晶相组成、显微结构、微波介电性能之间的变化规律。研究表明,随着SrTiO3添加量的增加,陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035时,陶瓷可在1380℃保温2 h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数:τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素:Q×f=16714 GHz、介电常数:εr=21.5。 展开更多

关键词 (1-x)mgtio3-xSrTiO3微波陶瓷 谐振频率温度系数 微波介电性能

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ZnO掺杂MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能 被引量：4

5

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第5期732-734,共3页

采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧... 采用固相反应法制备(Mg0.95-xZnxCa0.05)TiO3介质陶瓷。研究了ZnO掺杂对MCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,ZnO掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,随着ZnO掺杂量的增加,有第二相产生,为Zn2TiO4。ZnO掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度到1250℃,且对介电常数温度系数αc有调节作用。当x=0.02时在1250℃温度烧结2.5h获得最佳性能,即介电常数εr=21.7,介电损耗tanδ=1×10-5,介电常数温度系数αc=2.12×10-5。 展开更多

关键词 mgtio3-CaTiO3 微波陶瓷 ZnO掺杂 介电性能

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MgH_2+20%(w)MgTiO_3复合材料的吸/放氢性能(英文) 被引量：2

6

作者 王家盛 韩树民 +2 位作者 李媛 沈娜 张伟 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2014年第12期2323-2327,共5页

为了降低MgH2的吸放氢温度,提高其吸放氢动力学性能,本文通过球磨方法制备了MgH2+20%(w)MgTiO3复合储氢材料,并研究了其储氢性能.X射线衍射(XRD)结果表明,MgTiO3在与MgH2球磨过程中生成Mg2TiO4和TiO2,并且Mg2TiO4和TiO2在体系的吸放氢... 为了降低MgH2的吸放氢温度,提高其吸放氢动力学性能,本文通过球磨方法制备了MgH2+20%(w)MgTiO3复合储氢材料,并研究了其储氢性能.X射线衍射(XRD)结果表明,MgTiO3在与MgH2球磨过程中生成Mg2TiO4和TiO2,并且Mg2TiO4和TiO2在体系的吸放氢过程中保持稳定,能够对MgH2的吸放氢过程产生催化作用.程序升温脱附和吸/放氢动力学测试结果表明,添加MgTiO3后MgH2的初始放氢温度从389°C降至249°C.150°C下的吸氢量从0.977%(w)提高到2.902%(w),350°C下的放氢量从2.319%(w)提高到3.653%(w).同时,MgH2放氢反应的活化能从116kJ·mol-1降至95.7kJ·mol-1.与MgH2相比,MgH2+20%(w)MgTiO3复合材料的热力学与动力学性能均有显著提高,这主要是由于球磨和放氢过程中原位生成的TiO2和Mg2TiO4具有良好的催化活性. 展开更多

关键词 储氢性能 MgH2 mgtio3 催化活性 活化能

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BiVO_4对MgTiO_3陶瓷烧结及介电性能的影响 被引量：2

7

作者 张启龙 童建喜 +1 位作者 杨辉 王焕平 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2007年第4期432-434,共3页

研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和... 研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。 展开更多

关键词 低温共烧陶瓷 介电性能 BIVO4 mgtio3

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某涂料用MgTiO_3粉体的制备研究 被引量：3

8

作者 刘晓光 陈大明 +1 位作者 仝建峰 李宝伟 《中国粉体技术》 CAS 2006年第1期5-7,共3页

为克服传统固相法和液相法制粉的缺点,本文以工业级碱式碳酸镁和钛白粉为原料,采用液-固凝胶合成技术,并首次使用快速煅烧工艺制得高性能MgTiO3粉体。研究发现,1100℃×4h制备的MgTiO3粉体形状规则,且分布均匀,没有发现大的团聚体存... 为克服传统固相法和液相法制粉的缺点,本文以工业级碱式碳酸镁和钛白粉为原料,采用液-固凝胶合成技术,并首次使用快速煅烧工艺制得高性能MgTiO3粉体。研究发现,1100℃×4h制备的MgTiO3粉体形状规则,且分布均匀,没有发现大的团聚体存在,d50在0.82μm左右,比表面积为2.38m2/g,MgTiO3相含量可达98%以上,酸可溶物小于1%,较适合作为涂料用填料材料。 展开更多

关键词 液-固凝胶 mgtio3粉体 煅烧 涂料

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MgTiO_3: Cr^(3+)晶体中占位的研究 被引量：1

9

作者 李玲 张廷蓉 余万伦 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1997年第4期69-72,共4页

本文用完全对角化方法研究了３ｄ３组态在ＭｇＴｉＯ３：Ｃｒ３＋晶体中的零场分裂参量Ｄ．结果表明：Ｃｒ３＋（１）占位可以解释为Ｃｒ３＋Ｍｇ－Ｔｉ４＋Ｔｉ，同时Ｃｒ３＋沿着Ｃ３轴远离向八面体中心移动０．０５±０．０１... 本文用完全对角化方法研究了３ｄ３组态在ＭｇＴｉＯ３：Ｃｒ３＋晶体中的零场分裂参量Ｄ．结果表明：Ｃｒ３＋（１）占位可以解释为Ｃｒ３＋Ｍｇ－Ｔｉ４＋Ｔｉ，同时Ｃｒ３＋沿着Ｃ３轴远离向八面体中心移动０．０５±０．０１；Ｃｒ３＋（２）占位为Ｃｒ３＋Ｍｇ－Ｍｇ２＋Ｔｉ，Ｃｒ３＋向八面体中心移动０．０９±０．０１，这与前人用微扰公式得到的结果一致．本文同时还指出Ｃｒ３＋（１）占位的另一种解释，即Ｍｇ２＋Ｍｇ－Ｃｒ３＋Ｔｉ，向八面体中心移动０．０７５±０． 展开更多

关键词 mgtio3 晶体 占位 零场分裂 掺铬

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氧化锌和铅硼玻璃料对MgTiO_3微波介质陶瓷的影响 被引量：3

10

作者 陈云霞 刘维良 +1 位作者 肖尊文 吴坚强 《中国陶瓷工业》 CAS 北大核心 2003年第1期17-20,共4页

研究了氧化锌和铅硼玻璃料的加入对MgTiO_3微波介质陶瓷的烧结和微波介电特性的影响。结果表明:氧化锌和铅硼玻璃料均可以使MgTiO_3微波介质陶瓷的烧结温度降低,在等量添加的条件下,铅硼玻璃料降低烧结温度的效果更佳,可使烧结温度降至1... 研究了氧化锌和铅硼玻璃料的加入对MgTiO_3微波介质陶瓷的烧结和微波介电特性的影响。结果表明:氧化锌和铅硼玻璃料均可以使MgTiO_3微波介质陶瓷的烧结温度降低,在等量添加的条件下,铅硼玻璃料降低烧结温度的效果更佳,可使烧结温度降至1200℃,且器件在2～6GHz的频率范围内具有良好的介电性能。 展开更多

关键词 钛酸镁 添加剂 微波介电特性 氧化锌 铅硼玻璃料 mgtio3 微波介质陶瓷 影响

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添加剂对MgTiO_3系统陶瓷介电性能的影响 被引量：3

11

作者 苏皓 吴顺华 颜海洋 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2004年第3期31-34,共4页

用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影... 用电子陶瓷工艺制备主晶相为MgTiO3,附加晶相为CaTiO3的介电陶瓷。MgTiO3是具有钛铁矿结构的晶体,属于六方晶系。调节MgTiO3与CaTiO3的比例可以把该系统的温度系数调节到零附近,并适当提高εro研究硼掺杂对MgTiO3系统陶瓷的介电性能的影响:硼掺杂降低了陶瓷的烧结温度,同时加快了陶瓷的致密化过程,而且对Q值(Q=1/tanδ)没有明显的负面影响。硼在烧结中以液相存在,因而促进了烧结中反应的进行,起到了助熔剂的作用。 展开更多

关键词 添加剂 mgtio3 介电性能 介电陶瓷 CATIO3 硼掺杂 温度系数 烧结温度 致密化 助熔剂

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V_2O_5掺杂MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的介电性能 被引量：2

12

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第10期32-34,共3页

采用固相反应法制备了V2O5掺杂的MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷。研究了V2O5掺杂量对陶瓷晶相组成、烧结温度和介电性能的影响。结果表明:V2O5掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,当掺杂量较低时,有第二相CaVO3产生;V2O5掺杂... 采用固相反应法制备了V2O5掺杂的MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷。研究了V2O5掺杂量对陶瓷晶相组成、烧结温度和介电性能的影响。结果表明:V2O5掺杂的MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,当掺杂量较低时,有第二相CaVO3产生;V2O5掺杂能降低MCT陶瓷的烧结温度并使其介电性能得到改善。当x(V2O5)为1%时,在1250℃烧结2.5h获得最佳性能:εr为20.17,tanδ为2×10–3,αε为4.9×10–5/℃。 展开更多

关键词 无机非金属材料 mgtio3-CaTiO3陶瓷 V2O5掺杂 介电性能

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不同基片对溅射制备MgTiO_3-CaTiO_3薄膜的影响 被引量：2

13

作者 董树荣 王德苗 +1 位作者 金浩 余厉阳 《真空》 CAS 北大核心 2004年第2期29-33,共5页

微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性... 微波介质器件的薄膜化已经成为微波器件的一个研究热点,本文从微波介质陶瓷薄膜化角度在不同低介电常数的介质衬底上溅射制备了MCT陶瓷薄膜,实验结果表明:(110)晶面的单晶SiO2片上的可以在较低温度(610℃)下获得良好结晶情况,介电特性可以和块状材料的多晶MCT陶瓷薄膜相媲美。随着衬底温度升高,薄膜晶体结构逐步由游离MgO向微晶MCT、多晶MCT到粗大的柱状晶MCT变化。较好沉积温度是610℃～650℃。 展开更多

关键词 mgtio3-CaTiO3陶瓷薄膜 制备工艺 介电常数 溅射法

原文传递

电化学方法制备纳米MgTiO_3及表征 被引量：2

14

作者 陈永红 朱传高 +1 位作者 魏亦军 褚道葆 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期41-43,3,共4页

以金属阳极溶解法制得MgTiO3前驱体MgTi(OCH2CH3)(6-y)(acac)y[acac为乙酰丙酮基];讨论了影响电合成镁、钛醇盐配合物的主要因素。在pH=8.5的条件下,将含有前驱体的电解液直接水解形成凝胶,凝胶经洗涤、干燥后,在500℃下煅烧2h,制得纳米... 以金属阳极溶解法制得MgTiO3前驱体MgTi(OCH2CH3)(6-y)(acac)y[acac为乙酰丙酮基];讨论了影响电合成镁、钛醇盐配合物的主要因素。在pH=8.5的条件下,将含有前驱体的电解液直接水解形成凝胶,凝胶经洗涤、干燥后,在500℃下煅烧2h,制得纳米Mg-TiO3粉体。采用红外(IR)、热重-差热分析(TG-DTA)、X-射线衍射(XRD)、电子透射技术(TEM)等对前驱体和纳米Mg-TiO3进行了表征。实验表明,在使用导电盐Bu4NBr浓度0.04mol/L,控制电解液温度35～40℃之间的条件下,制得的纳米Mg-TiO3粉体纯度高,平均粒径在20～30nm之间。 展开更多

关键词 mgtio3 电化学方法 纳米 表征 热重-差热分析 制备 X-射线衍射 电解液温度 前驱体 阳极溶解 电子透射 平均粒径 电合成 配合物 钛醇盐 500 凝胶 粉体 水解 煅烧

原文传递

MnCO_3添加剂对MgTiO_3-CaTiO_3系瓷改性的研究 被引量：1

15

作者 吴坚强 施阳和 +1 位作者 曾敏 郑乃章 《中国陶瓷工业》 CAS 北大核心 2002年第6期40-43,共4页

用单因素法分析了MnCO3添加量对MgTiO3-CaTiO3系瓷的结构、吸水率、介电常数、介电损耗和温度系统的影响 ,用XRD确定了其物相组成。结果表明 ,在 10GHz时介电常数为 2 1、频率温度系数为 - 6.3× 10 - 6 ℃、Q(10GHz)≥ 42 0 0的... 用单因素法分析了MnCO3添加量对MgTiO3-CaTiO3系瓷的结构、吸水率、介电常数、介电损耗和温度系统的影响 ,用XRD确定了其物相组成。结果表明 ,在 10GHz时介电常数为 2 1、频率温度系数为 - 6.3× 10 - 6 ℃、Q(10GHz)≥ 42 0 0的高致密度介电陶瓷 。 展开更多

关键词 单因素法 高致密度介电陶瓷 MnCO3添加剂 mgtio3-CaTiO3系瓷 改性 研究

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Zn-Al共掺MgTiO_3-CaTiO_3陶瓷的结构与性能 被引量：1

16

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 张东 宋天秀 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2010年第3期461-463,共3页

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷。研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明,Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效降低95MCT陶瓷的烧结温度至1 300℃,且得到致密的晶粒结构,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用。当掺杂Zn2+、Al3+的摩尔分数均为0.02时,在1 300℃烧结2.5 h获得最佳性能:介电常数为20.35,介电损耗为2.0×10-6,介电常数温度系数为-1.78×10-6。 展开更多

关键词 mgtio3-CaTiO3陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能

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Zn-Al共掺对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3介电性能的影响 被引量：1

17

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期371-373,共3页

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相M... 采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时,在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr=20.35,tgδ=2.0×10-6,αc=-1.78×10-6. 展开更多

关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3介质陶瓷 Zn-Al共掺杂 介电性能

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Co_2O_3掺杂对0.965MgTiO_3-0.035SrTiO_3微波介质陶瓷性能的影响

18

作者 李月明 汪婷 +3 位作者 沈宗洋 洪燕 王竹梅 汪启轩 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期4-8,共5页

采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.5%～5.0%,质量分数)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST0.035)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST0.035陶瓷的烧结性能、晶相结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明:Co2O3的掺杂促进了... 采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.5%～5.0%,质量分数)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST0.035)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST0.035陶瓷的烧结性能、晶相结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。结果表明:Co2O3的掺杂促进了MST0.035陶瓷的烧结。随着Co2O3掺杂量的增加,陶瓷介电常数略有下降,谐振频率温度系数以及品质因数增加,同时中间相MgTi2O5逐渐减少直至完全消失。当Co2O3掺杂量为质量分数3.0%时,MST0.035陶瓷的烧结温度由1 380℃降低到1 290℃,其烧结所得的样品具有优良的微波介电性能:谐振频率温度系数τf=–2.53×10–6/℃,高的品质因数Q·f=19 006 GHz和介电常数εr=20.5。 展开更多

关键词 微波介质陶瓷 mgtio3 微波介电性能 Co2O3掺杂

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Sb掺杂对0.95MgTiO_3-0.05CaTiO_3陶瓷介电性能的影响

19

作者 王岩 丁士华 +2 位作者 宋天秀 那文菊 王久石 《西华大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第4期35-38,共4页

采用固相反应法制备了(Mg0.95-X Ca0.05 SbX)TiO3微波介质陶瓷。研究了Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明:Sb掺杂95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相,有中间相MgTi2O5的产生;Sb掺杂能有效的降低95MCT... 采用固相反应法制备了(Mg0.95-X Ca0.05 SbX)TiO3微波介质陶瓷。研究了Sb掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷性能的影响。结果表明:Sb掺杂95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相,有中间相MgTi2O5的产生;Sb掺杂能有效的降低95MCT陶瓷的烧结温度至1 250℃,同时使其致密度增大,改善了介电性能,并能够调节得到零介电常数温度系数。在Sb3+掺杂量为0.04 mol,烧结温度为1 250℃时获得最佳性能:εr=20.50,tgδ=2.33×10-4,αc=2.38×10-5。 展开更多

关键词 0.95mgtio3-0.05CaTiO3陶瓷 Sb掺杂 介电性能

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CoO掺杂MgTiO_3-CaTiO_3介质陶瓷的介电性能

20

作者 杨秀玲 丁士华 +1 位作者 宋天秀 张东 《西华大学学报（自然科学版）》 CAS 2008年第3期47-49,共3页

采用了固相反应法制备了CoO掺杂的MgTiO3-CaTiO3(MCT)介质陶瓷。研究了CoO掺杂对MCT介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明:CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的烧结温度至1250℃;CoO掺杂能有效地降低MCT陶瓷的介电损耗(～10-5)。

关键词 mgtio3-CaTiO3微波陶瓷 CoO掺杂 介电性能

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