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MPCVD金刚石生长中的尺寸参数测量方法研究
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作者 李洁 赵凤霞 +1 位作者 赵建国 张琳娜 《机械设计与制造》 北大核心 2026年第3期146-150,共5页
针对微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石的形貌尺寸在线检测需求,研究了一种基于视觉图像分析的金刚石尺寸在线检测方法。采用工业相机在线采集金刚石生长图像后,首先在H分量图像上进行阈值分割、形态学处理、连通域分析等操作... 针对微波等离子化学气相沉积(MPCVD)制备的金刚石的形貌尺寸在线检测需求,研究了一种基于视觉图像分析的金刚石尺寸在线检测方法。采用工业相机在线采集金刚石生长图像后,首先在H分量图像上进行阈值分割、形态学处理、连通域分析等操作分离出每个金刚石图像;然后基于CLAHE方法增强每个分离出的金刚石图像,基于Canny算法提取出金刚石的内外边缘;最后对提取的金刚石边缘提出一种基于概率霍夫变换的尺寸测量方法,并对测得的尺寸进行了尺寸校正。实验验证结果表明,该方法能准确地实现金刚石轮廓尺寸的在线测量,长、宽、高的平均测量精度分别为98.727、99.071、97.999%,满足MPCVD金刚石的测量需求。 展开更多
关键词 mpcvd金刚石 参数测量 图像处理 相机标定 机器视觉
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MPCVD制备金刚石装置和技术的发展与趋势
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作者 任飞桐 杨志亮 +6 位作者 任国钊 刘宇晨 解承东 陈良贤 刘金龙 魏俊俊 李成明 《材料热处理学报》 北大核心 2026年第3期32-54,共23页
金刚石集超硬特性、极高热导率、宽光谱透光性和高载流子迁移率等优异性能于一身,在力学、热学、光学与电学领域具有广阔应用前景。在多种化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)制备方法中,微波等离子体CVD(Microwave plasma che... 金刚石集超硬特性、极高热导率、宽光谱透光性和高载流子迁移率等优异性能于一身,在力学、热学、光学与电学领域具有广阔应用前景。在多种化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)制备方法中,微波等离子体CVD(Microwave plasma chemical vapor deposition,MPCVD)因能实现无污染和均匀稳定的等离子体,被视作合成高质量、大面积金刚石最具潜力的技术路径。本文系统梳理了MPCVD装置的工作原理与发展历程,综述了其在单晶与多晶金刚石制备方面的技术进展,并探讨了金刚石材料在多个领域中的应用现状,以期为相关研究与发展提供参考。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 金刚石薄膜 金刚石制备装置
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A Novel Method of Fabricating a Well-Faceted Large-Crystal Diamond Through MPCVD 被引量:3
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作者 满卫东 翁俊 +3 位作者 吴宇琼 陈朋 余学超 汪建华 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2009年第6期688-692,共5页
A novel method was developed to deposit a large crystal diamond with good facets up to 1000 μm on a tungsten substrate using a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD). This method consists of tw... A novel method was developed to deposit a large crystal diamond with good facets up to 1000 μm on a tungsten substrate using a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MPCVD). This method consists of two steps, namely single-crystal nucleation and growth. Prior to the fabrication of the well-faceted, large crystal diamond, an investigation was made into the nucleation and growth of the diamond which were affected by the O2 concentration and substrate temperature. Deposited diamond crystals were characterized by scanning electron microscopy and micro-Raman spectroscopy. The results showed that the conditions of single-crystal nucleation were appropriate when the ratio of H2/CH4/O2 was about 200/7.0/2.0, while the sub- strate temperature Ts of 1000℃ to 1050℃ was the appropriate range for single-crystal diamond growth. Under the optimum parameters, a well-faeeted large crystal diamond was obtained. 展开更多
关键词 diamond mpcvd single crystal two-step method well-faceted
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Emission spectra of microwave plasma and MPCVD transparent diamond film 被引量:1
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作者 周健 何伟 +2 位作者 袁润章 姜德生 汪建华 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2000年第4期502-504,共3页
The emission spectra of microwave plasma was in line measured in visible light wave band using a self made optical fiber spectrometer, the change rule of the atomic hydrogen ( H ) and double carbon radical( C 2) was g... The emission spectra of microwave plasma was in line measured in visible light wave band using a self made optical fiber spectrometer, the change rule of the atomic hydrogen ( H ) and double carbon radical( C 2) was given under different CH 4/H 2 ratios of volume flow. The effect of atomic hydrogen ( H ) on CVD diamond, deposited high quality and transparent diamond film by microwave plasma CVD (MPCVD) was analyzed according to the measured results by scanning electron microscopy(SEM), laser Raman spectrometry(Raman), and Fourier transform infrared spectrometry(FTIR). The results showed that the diamond film consisted of (220) orientation and it was homogeneous, compact, low defective, high quality film, its infrared transmissibility was about 70%, approached theoretical transmissibility of diamond. It was key conditions that a large number of atomic hydrogen ( H γ ) and double carbon radical( C 2) exist in the course of high quality diamond film growth. The research provided a rapid method for technology exploration of microwawe plasma CVD, and a reliable basis for research on growth mechanism of diamond film. 展开更多
关键词 EMISSION SPECTRA H γ C 2 mpcvd tansparent diamond FILM
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高功率MPCVD谐振腔体的优化设计和数值模拟 被引量:1
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作者 高子博 戚俊成 +3 位作者 马博翔 孙馨月 程秀云 张惠芳 《真空与低温》 2025年第2期140-147,共8页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置能够非常高效地产出高质量的金刚石薄膜,由于波长和腔体结构的限制,传统2.45 GHz MPCVD装置所沉积出的薄膜面积直径通常维持在50~70 mm之间。以增大金刚石膜沉积面积为目标,通过对微波电场进行仿真... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置能够非常高效地产出高质量的金刚石薄膜,由于波长和腔体结构的限制,传统2.45 GHz MPCVD装置所沉积出的薄膜面积直径通常维持在50~70 mm之间。以增大金刚石膜沉积面积为目标,通过对微波电场进行仿真分析,优化设计腔体尺寸,并对电子密度和温度的分布特性进行数值模拟,以保证等离子体能够均匀分布于沉积片上,将沉积直径扩增至90 mm。模拟结果表明,当腔内微波源功率为6 000 W,压力为14.7 kPa时,沉积片上可以产生电子密度和温度分别为1.76×10^(18) m^(-3)和4.7×10^(4) K的高密度且均匀的等离子体。 展开更多
关键词 微波等离子体 mpcvd 金刚石膜 数值模拟
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MPCVD法生长多晶金刚石厚膜的研究
6
作者 庞雨桐 许坤 +2 位作者 李文成 段肖楠 郭森森 《郑州航空工业管理学院学报》 2025年第5期95-102,共8页
为了实现高速率、高品质多晶金刚石厚膜的生长,通过自研微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)设备,调节生长温度和甲烷流量,优化了多晶金刚石厚膜的生长工艺,制备出膜层平整度和质量较好、杂质... 为了实现高速率、高品质多晶金刚石厚膜的生长,通过自研微波等离子体化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition,MPCVD)设备,调节生长温度和甲烷流量,优化了多晶金刚石厚膜的生长工艺,制备出膜层平整度和质量较好、杂质较少的多晶金刚石膜,并结合拉曼光谱和X射线衍射分析,探讨了生长温度和甲烷流量与金刚石膜生长品质的关系。研究结果表明,生长速率和晶粒尺寸与生长温度及甲烷流量呈正相关,但过高或过低的生长温度、甲烷流量均不适于制备高品质多晶金刚石厚膜。因此,确定了生长温度800℃,甲烷流量35 sccm是生长高品质多晶金刚石厚膜的最佳条件。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 多晶金刚石厚膜 生长温度
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MPCVD装置冷却水温度的自抗扰控制策略
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作者 张贺斌 任天平 苏宇锋 《现代电子技术》 北大核心 2025年第3期104-110,共7页
针对MPCVD装置冷却水温度控制中存在的调节时间长、稳定性能差的弊端,提出一种将改进后的混沌蛇鹫优化算法(CSBOA)与自抗扰控制(ADRC)算法结合的控制策略。首先,给出了冷却水温度控制系统的结构及数学模型,设计自抗扰控制器;其次,通过... 针对MPCVD装置冷却水温度控制中存在的调节时间长、稳定性能差的弊端,提出一种将改进后的混沌蛇鹫优化算法(CSBOA)与自抗扰控制(ADRC)算法结合的控制策略。首先,给出了冷却水温度控制系统的结构及数学模型,设计自抗扰控制器;其次,通过混沌蛇鹫优化算法对自抗扰控制器的部分参数迭代寻优,解决人工调整参数的问题。对系统进行了仿真和实验验证,结果表明:相比于传统PID控制,该控制系统稳态时的温度误差更小,具有更好的温度控制效果,有效避免了冷却水温度波动对金刚石薄膜制备产生的不良影响。 展开更多
关键词 mpcvd 冷却水温度 自抗扰控制 蛇鹫优化算法 参数整定 金刚石薄膜制备
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新型MPCVD谐振腔装置仿真设计研究
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作者 范兰兰 邱俊杰 《真空》 2025年第6期9-15,共7页
利用数值模拟技术,结合COMSOL Multiphysics软件,提出了一种新型MPCVD装置,利用微波电场对装置结构参数进行了仿真优化,并在最优尺寸下模拟计算了装置的流场分布,以及腔体的等离子体和电场分布,最后开展了金刚石薄膜的制备试验,研究了... 利用数值模拟技术,结合COMSOL Multiphysics软件,提出了一种新型MPCVD装置,利用微波电场对装置结构参数进行了仿真优化,并在最优尺寸下模拟计算了装置的流场分布,以及腔体的等离子体和电场分布,最后开展了金刚石薄膜的制备试验,研究了甲烷、氧气含量对金刚石薄膜生长的影响。结果表明:最佳尺寸下基片台上方的电场强度最高,可达6430 V/m,输入功率为4.5 k W、压强为80 torr时可得到完全覆盖基片台的稳定半球形等离子体;装置最佳进气口位于正上方,两排气口位置对称分布在下方;随CH_(4)含量增加,金刚石的沉积速率加快,但CH_(4)含量过高会造成晶体质量变差,CH_(4)与H_(2)体积比为6%时,晶体质量较好;随着O_(2)的增加,金刚石的沉积速率先增大后减小,当O_(2)与H_(2)体积比为2%时沉积速率接近0,O_(2)与H_(2)体积比为0.5%时,晶体质量较好。由拉曼测试结果可知,适宜浓度的O_(2)可以提高金刚石的晶体质量,促进沉积速率。 展开更多
关键词 mpcvd 金刚石薄膜 数值模拟 等离子体 微波谐振腔
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新型高功率MPCVD金刚石膜装置的数值模拟与实验研究 被引量:10
9
作者 安康 刘小萍 +4 位作者 李晓静 钟强 申艳艳 贺志勇 于盛旺 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1544-1550,共7页
根据高功率MPCVD装置所需要具备的条件,提出一种新型的高功率MPCVD装置结构。先使用HFSS软件对模型的各部分尺寸进行了初步优化;然后使用COMSOL软件通过对高功率、高气压条件下气体电离形成等离子体时的电场和等离子体分布的模拟,并对... 根据高功率MPCVD装置所需要具备的条件,提出一种新型的高功率MPCVD装置结构。先使用HFSS软件对模型的各部分尺寸进行了初步优化;然后使用COMSOL软件通过对高功率、高气压条件下气体电离形成等离子体时的电场和等离子体分布的模拟,并对气体进出方式进行了验证;最后根据模拟结果建立了新型MPCVD装置,并使用所制造的装置在高功率、高气压条件下进行了大面积金刚石膜的制备。结果表明:所提出的高功率MPCVD装置模型经过结构优化后,在基片上方对电场具有较好的聚焦能力,强度高于同类装置;高功率、高气压条件下所产生的等离子体也仅在基片上方均匀分布,与石英环之间被中间腔体隔离,有效避免其对石英环的刻蚀;所设计的进出气方式能够保证反应气体在基片表面均匀分布;使用所制造的装置能够在高功率、高气压条件下实现大面积高品质金刚石膜的快速沉积。 展开更多
关键词 mpcvd装置 金刚石膜 高功率 数值模拟
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MPCVD法纳米金刚石膜的制备及分析 被引量:7
10
作者 杨武保 吕反修 +2 位作者 唐伟忠 佟玉梅 于文秀 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期54-58,共5页
利用MPCVD方法在玻璃基片上成功的制备了非常光滑、致密均匀的纳米金刚石膜。沉积工艺分为两步 :成核 ,CH4 /H2 =3% ;生长 ,O2 /CH4 /H2 =0 .3∶3∶10 0 ;沉积过程中保持工作压力为 4 .0kPa ,衬底温度 50 0℃。拉曼、透射电镜、红外光... 利用MPCVD方法在玻璃基片上成功的制备了非常光滑、致密均匀的纳米金刚石膜。沉积工艺分为两步 :成核 ,CH4 /H2 =3% ;生长 ,O2 /CH4 /H2 =0 .3∶3∶10 0 ;沉积过程中保持工作压力为 4 .0kPa ,衬底温度 50 0℃。拉曼、透射电镜、红外光谱、表面轮廓仪等的测试表明 :膜层由纳米级金刚石晶粒组成 ,最大晶粒尺寸小于 10 0nm ,成核密度大于 10 11/cm2 。成核面晶粒的点阵常数较大 ,表明存在较多缺陷 ,表面粗糙度小于 2nm ,在可见光区完全透明 。 展开更多
关键词 mpcvd 纳米金刚石膜 拉曼光谱 红外光谱 薄膜
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椭球谐振腔式MPCVD装置高功率下大面积金刚石膜的沉积 被引量:7
11
作者 于盛旺 范朋伟 +2 位作者 李义锋 刘艳青 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1145-1149,共5页
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验... 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为9 kW,沉积压力为1.7×104 Pa和不同的气体流量条件下制备了金刚石膜。利用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,利用椭球谐振腔式MPCVD装置能够在较高的功率下进行大面积金刚石膜的沉积;在高功率条件下,较高质量的金刚石膜的沉积速率可以达到4~5μm.h-1的水平,而气体的流量则会显著影响金刚石膜的品质及其沉积速率。 展开更多
关键词 椭球谐振腔式mpcvd装置 金刚石膜 高功率 气体流量 生长速率
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新型MPCVD装置在高功率密度下高速沉积金刚石膜 被引量:9
12
作者 于盛旺 李晓静 +4 位作者 张思凯 范朋伟 黑鸿君 唐伟忠 吕反修 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1722-1726,共5页
使用自行研制的新型MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为5kW,沉积压力分别为13.33、26.66kPa和不同的甲烷浓度下制备了金刚石膜。利用等离子体发射光谱法对等离子体中的H原子和含碳的活性基团浓度进行了分析。用扫描电镜、激光拉曼... 使用自行研制的新型MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在输入功率为5kW,沉积压力分别为13.33、26.66kPa和不同的甲烷浓度下制备了金刚石膜。利用等离子体发射光谱法对等离子体中的H原子和含碳的活性基团浓度进行了分析。用扫描电镜、激光拉曼谱对金刚石膜的表面和断口形貌、金刚石膜的品质等进行了表征。实验结果表明,使用新型MPCVD装置能够在较高的功率密度下进行金刚石膜的沉积;提高功率密度能使等离子体中H原子和含碳活性基团的浓度明显增加,这将提高金刚石膜的沉积速度,并保证金刚石膜具有较高的质量。 展开更多
关键词 新型mpcvd装置 金刚石膜 功率密度 生长速率
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气体流量对TYUT型MPCVD装置沉积大面积金刚石膜的影响 被引量:2
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作者 郑可 钟强 +5 位作者 高洁 黑鸿君 申艳艳 刘小萍 贺志勇 于盛旺 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2359-2363,共5页
使用自行研制的频率为2.45 GHz的TYUT型MPCVD装置,以H2和CH4为气源,在功率为8 k W、基片温度为1000℃、气体流量为100-800 sccm条件下,进行了直径为65 mm的大面积金刚石膜的沉积实验。使用扫描电镜、X射线衍射仪、数字千分尺和Raman光... 使用自行研制的频率为2.45 GHz的TYUT型MPCVD装置,以H2和CH4为气源,在功率为8 k W、基片温度为1000℃、气体流量为100-800 sccm条件下,进行了直径为65 mm的大面积金刚石膜的沉积实验。使用扫描电镜、X射线衍射仪、数字千分尺和Raman光谱仪等仪器分别对金刚石膜的表面形貌、取向、厚度和品质进行了表征。实验结果表明,气体流量的变化会对金刚石膜的晶粒尺寸,晶体取向,沉积速率,厚度均匀性和品质产生较大的影响。气体流量在300-600 sccm范围内制备的金刚石膜才兼具晶粒尺寸均匀性好、表面缺陷少和品质高的优点。 展开更多
关键词 气体流量 mpcvd 金刚石膜 均匀性 晶粒取向 品质
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高功率MPCVD金刚石膜透波窗口材料制备研究 被引量:12
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作者 于盛旺 刘艳青 +3 位作者 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期896-899,共4页
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在沉积功率8 kW条件下,对大面积金刚石膜透波窗口材料进行了制备研究。分别使用扫描电镜、Raman、分光光谱仪、热导率测试仪和空腔谐振法对金刚石膜的表面形貌、品质、光透过率、... 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在沉积功率8 kW条件下,对大面积金刚石膜透波窗口材料进行了制备研究。分别使用扫描电镜、Raman、分光光谱仪、热导率测试仪和空腔谐振法对金刚石膜的表面形貌、品质、光透过率、热导率和微波复介电常数等进行了表征及测试。实验结果表明,使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,能够满足较高功率下高品质金刚石膜的快速沉积;抛光后的自支撑金刚石膜具有高的光学透过率和热导率,在23~36 GHz频率范围内微波介电损耗小于1×10-4,有着良好的微波介电性能,是较为理想的透波窗口材料。 展开更多
关键词 金刚石膜 mpcvd 微波复介电常数 透波窗口材料
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工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究 被引量:7
15
作者 于盛旺 刘艳青 +3 位作者 唐伟忠 申艳艳 贺志勇 唐宾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期868-871,共4页
使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件... 使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜。使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究。实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响。在CH4浓度由0.5%上升到1.0%时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.0%上升到2.5%时,则由(111)转变为(220)以及(311);在700~1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长;在气体流速为200~1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加。当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低。 展开更多
关键词 金刚石膜 高功率mpcvd 工艺参数 择优取向
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MPCVD法在基片边缘生长大颗粒金刚石的研究 被引量:15
16
作者 满卫东 翁俊 +3 位作者 吴宇琼 吕继磊 董维 汪建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期53-59,共7页
本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出晶粒尺寸达500μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h的沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石。在实验中,利用SEM和Ram an光谱对... 本研究在自制的5 kW大功率MPCVD装置中,利用边缘效应成功的在基片边缘处以50μm/h的沉积速率沉积出晶粒尺寸达500μm左右的大颗粒金刚石并以70μm/h的沉积速率同质外延修复长大了一颗天然的单晶金刚石。在实验中,利用SEM和Ram an光谱对基片边缘区域和中央区域所沉积的金刚石颗粒进行了表征。结果表明,边缘处沉积的金刚石颗粒与中央区域沉积的金刚石颗粒相比,具有更大的晶粒尺寸和更好的质量。通过仔细观察实验条件,对边缘效应产生的原因进行了分析,发现由于基片边缘放电,使得基片表面的电场强度和温度分布发生变化,从而导致基片边缘区域的等离子体密度和温度高于中央区域,高等离子体密度和温度的综合作用是使得在基片边缘能以较高的沉积速率沉积出大尺寸金刚石颗粒的主要原因。 展开更多
关键词 mpcvd 边缘效应 大颗粒金刚石
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MPCVD方法制备军用光学元件纳米金刚石膜 被引量:6
17
作者 王小兵 吝君瑜 +4 位作者 王古常 孙斌 程勇 吕反修 杨武保 《光学技术》 CAS CSCD 2004年第2期184-186,共3页
介绍了用MPCVD方法制备纳米金刚石膜的工艺。用MPCVD方法实验研究了在光学玻璃上镀纳米金刚石膜:膜层厚度为0 4551μm,粒度小于200nm,表面粗糙度小于29 5nm,最大透过率为80%;平均显微硬度为34 9GPa,平均体弹性模量为238 9GPa,均接近天... 介绍了用MPCVD方法制备纳米金刚石膜的工艺。用MPCVD方法实验研究了在光学玻璃上镀纳米金刚石膜:膜层厚度为0 4551μm,粒度小于200nm,表面粗糙度小于29 5nm,最大透过率为80%;平均显微硬度为34 9GPa,平均体弹性模量为238 9GPa,均接近天然金刚石的力学性能。与衬底材料表面应力-2 78GPa相比,具有较好的抗压和耐磨效果。 展开更多
关键词 军用光学元件 纳米金刚石膜 mpcvd 制备 微波等离子体辅助化学气相沉积
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MPCVD生长单晶金刚石及发射光谱分析 被引量:4
18
作者 吴超 马志斌 +3 位作者 高攀 黄宏伟 付秋明 王传新 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期2734-2738,共5页
在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)生长单晶金刚石过程中,测量了近衬底附近等离子体发射光谱(OES),研究了甲烷浓度对等离子体中基团谱峰强度的影响,分析了等离子体中基团谱峰相对强度与金刚石生长速率、质量的关系。利用激光拉曼光谱(R... 在微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)生长单晶金刚石过程中,测量了近衬底附近等离子体发射光谱(OES),研究了甲烷浓度对等离子体中基团谱峰强度的影响,分析了等离子体中基团谱峰相对强度与金刚石生长速率、质量的关系。利用激光拉曼光谱(Raman)和扫描电镜(SEM)对生长之后的单晶金刚石进行表征。结果表明:随着甲烷浓度的提高,Hα基团谱峰几乎不变,C2、Hβ、Hγ和CH基团谱峰强度均增加,而C2基团增加显著。同时,基团谱峰相对强度比值I(Hγ)/I(Hβ)、I(C2)/I(CH)和I(C2)/I(Hα)也都随着甲烷浓度的提高而增加。I(C2)/I(CH)比值的升高不利于单晶金刚石的生长。生长速率测试表明,单晶金刚石的生长速率随I(C2)/I(Hα)比值的增大而增加,当I(C2)/I(Hα)小于0.35时,生长速率呈现指数快速增加,超过这个值之后,增长趋势变缓,生长速率呈线性增加。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 单晶金刚石 发射光谱 甲烷浓度
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MPCVD法同质外延生长单晶金刚石 被引量:7
19
作者 严垒 马志斌 +3 位作者 陈林 付秋明 吴超 高攀 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期92-96,共5页
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在高温高压(HPHT)下制备的单晶片上进行单晶金刚石同质外延生长,研究了甲烷浓度和衬底温度对金刚石生长的影响。利用扫描电子显微镜与激光拉曼光谱仪对生长前后的样品进行表征。结果表明,利用HPH... 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在高温高压(HPHT)下制备的单晶片上进行单晶金刚石同质外延生长,研究了甲烷浓度和衬底温度对金刚石生长的影响。利用扫描电子显微镜与激光拉曼光谱仪对生长前后的样品进行表征。结果表明,利用HPHT单晶片上生长时,主要为层状生长和丘状生长模式,丘状生长易出现多晶结构。降低甲烷浓度能够降低丘状生长密度,提高金刚石表面平整度;金刚石生长速率随甲烷浓度、工作气压和衬底温度的增加而提高,但过高的甲烷浓度(72%)和衬底温度(1150℃)会降低金刚石的质量。所生长出的单晶金刚石质量较为理想,衬底与生长层之间过渡比较自然,金刚石结晶度高,缺陷密度小,但随膜层增厚,非晶碳含量有所增加。 展开更多
关键词 微波等离子体化学气相沉积 同质外延 单晶金刚石
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