MCM-D多层金属布线互连退化模式和机理 被引量：2

1

作者 何小琦 徐爱斌 章晓文 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第5期6-10,共5页

介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施。实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷... 介绍了MCM-D多层金属互连结构的工艺及材料特点,并就Cu薄膜布线导体的结构特点和元素扩散特性,说明了多层布线互连退化的模式和机理,以及防止互连退化的技术措施。实验分析表明,Au/Ni/Cu薄膜布线结构的互连退化原因是,Cu元素沿导带缺陷向表层扩散后,被氧化腐蚀,导致互连电阻增大,而Cu元素在温度应力作用下向PI扩散,导致PI绝缘电阻下降。 展开更多

关键词 mcm-d 多层金属布线 多芯片组件 通孔 退化

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基于MCM-D工艺的3D-MCM工艺技术研究 被引量：2

2

作者 刘欣 谢廷明 +2 位作者 罗驰 刘建华 唐哲 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期291-294,299,共5页

基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品... 基于MCM-D薄膜工艺,开展了3D-MCM相关的无源元件内埋置、芯片减薄、芯片叠层组装、低弧度金丝键合、芯片凸点,以及板级叠层互连装配等工艺技术研究。通过埋置型基板、叠层芯片组装、板级叠层互连,实现了3D-MCM结构,制作出薄膜3D-MCM样品;探索出主要的工艺流程及关键工序控制方法,实现了薄膜3D-MCM封装。 展开更多

关键词 3D-MCM 内埋置基板 叠层型结构 三维叠层互连

原文传递

MCM-D的设计与制作一例

3

作者 肖汉武 《电子与封装》 2001年第1期26-28,共3页

介绍了 MCM-D 的设计和 MCM-D 多层布线基板的制作、组装情况。

关键词 mcm-d设计 多层布线基板 组装

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MCM-D技术电热特性综述

4

作者 杨建生 《电子与封装》 2005年第7期17-22,共6页

本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃-100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、... 本文主要说明了淀积型多芯片组件(MCM-D)技术所使用的主要材料的热特性。此技术采用倒装片技术把硅芯片安装到硅基板上。阐述了薄膜电阻和接触电阻的测量与所使用金属的温度范围-28℃-100℃的比较。一套典型的试验结构诸如开尔文接触、横桥电阻(CBR)及Van der Pauw 结构不仅已用于此技术,而且为了测试通过球倒装片连接的接触电阻,采用一新的开尔文式结构。已获得MCM封装的热模型,并考虑由此类封装增加的所有的热电阻。 展开更多

关键词 凸点压焊 电试验结构 MCM—D 多芯片组件 热分析

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MCM-D:一种先进的微电子封装技术

5

作者 肖汉武 《微电子技术》 1997年第4期33-36,共4页

关键词 微电子封装技术 mcm-d 集成电路 制造工艺

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MCM─D工艺技术的研究 被引量：1

6

作者 刘瑞丰 李书军 白光显 《微处理机》 1997年第3期25-27,共3页

MCM－D是近年来发展起来的高密度多芯片组装技术，其制做工艺同IC工艺相兼容，因此在IC生产厂家发展得很快。本文主要介绍用IC加工工艺和设备制备MCM－D技术以及MCM—D的芯片安装技术。

关键词 多芯片组件 电子组装 mcm-d 工艺

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三维多芯片组件 被引量：5

7

作者 张经国 杨邦朝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第2期28-30,共3页

三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。

关键词 三维多芯片组件 系统集成 WSI 组装 单片IC

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3-DMCM实用化的进展 被引量：1

8

作者 杨邦朝 胡永达 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2000年第4期28-32,共5页

介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。

关键词 MCM 封装模式 集成电路

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3-D MCM封装技术及其应用 被引量：3

9

作者 王玉菡 曹全喜 《电子科技》 2006年第3期9-12,16,共5页

介绍了超大规模集成电路(VLSI)用的3-DMCM封装技术的最新发展,重点介绍了3-DMCM封装垂直互连工艺,分析了3-DMCM封装技术的硅效率、复杂程度、热处理、互连密度、系统功率与速度等问题,并对3-DMCM封装的应用作了简要说明。

关键词 3-D MCM技术 封装 垂直互连 热处理 互连密度

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MCM-41分子筛催化D-葡萄糖酸制备D-葡萄糖酸-δ-内酯的研究 被引量：4

10

作者 张军 林鹿 《现代食品科技》 EI CAS 2011年第1期60-62,66,共4页

以MCM-41分子筛为催化剂,由D-葡萄糖酸制备D-葡萄糖酸-δ-内酯。考察了反应温度、反应时间、催化剂用量以及催化剂循环使用次数对D-葡萄糖酸-δ-内酯产率的影响。实验结果表明,MCM-41是制备D-葡萄糖酸-δ-内酯较好的催化剂。最佳工艺条... 以MCM-41分子筛为催化剂,由D-葡萄糖酸制备D-葡萄糖酸-δ-内酯。考察了反应温度、反应时间、催化剂用量以及催化剂循环使用次数对D-葡萄糖酸-δ-内酯产率的影响。实验结果表明,MCM-41是制备D-葡萄糖酸-δ-内酯较好的催化剂。最佳工艺条件为:催化剂用量为30%,反应温度80℃,反应时间2 h,D-葡萄糖酸-δ-内酯产率达到90.39%。 展开更多

关键词 MCM-41分子筛 D-葡萄糖酸 D-葡萄糖酸-δ-内酯

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三维封装叠层技术 被引量：2

11

作者 郝旭丹 金娜 王明皓 《微处理机》 2001年第4期16-18,共3页

三维封装技术是一种符合电子系统轻重量、小体积、高性能、低功耗的发展趋势的先进的封装技术。本文对三维封装技术进行了简要介绍 ,重点介绍了三维封装的叠层工艺和互连技术 ,阐述了三维封装技术的优点 。

关键词 三维封装 裸芯片叠层 PCB 集成电路芯片

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三维(3-D)封装技术 被引量：13

12

作者 何金奇 《微电子技术》 2001年第4期32-41,共10页

3 -D多芯片组件 (MCM)是未来微电子封装的发展趋势。本文介绍了超大规模集成(VLSI)用的 3-D封装技术的最新进展 ,详细报导了垂直互连技术 ,概括讨论了选择 3-D叠层技术的一些关键问题 ,并对 3-D封装和 2

关键词 集成电路 三维封装 微电子封装

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3-D MCM 的种类

13

作者 胡永达 杨邦朝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期23-27,30,共6页

介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连... 介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。 展开更多

关键词 2-DMCM 3-DMCM 叠层 集成电路芯片 封装技术

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MCM—D自动光学检测系统计算机软件的研究

14

作者 何晓峰 王孟先 等 《印制电路与贴装》 2001年第6期59-66,共8页

本文介绍了MCM－D自动光学检测系统研制过程中计算机软件的研究。MCM－D基板线条精细，布线宽度高，介质层采用透明介质，上下层图形均可见，给自动检测带来很大困难。软件着重研究了顶层图形分离、故障提取和识别技术以及对精密移动系... 本文介绍了MCM－D自动光学检测系统研制过程中计算机软件的研究。MCM－D基板线条精细，布线宽度高，介质层采用透明介质，上下层图形均可见，给自动检测带来很大困难。软件着重研究了顶层图形分离、故障提取和识别技术以及对精密移动系统的控制。 展开更多

关键词 自动光学检测系统 mcm-d 表面贴装 计算机软件 技术指标

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MCM:从二维到三维

15

作者 杨邦朝 胡永达 《电子元器件应用》 2000年第11期21-24,34,共5页

三維多芯片组件(3-D MCM)是在二维多芯片组件(2-D MCM)基础上发展起来的,是90年代微组装技术的标志。由于它的封装密度高,结构紧凑,延迟时间短,日益受到国际微电子工业界的重视。本文阐述了3-D MCM的优点,并且指出了需要进一步完善的方面。

关键词 MCM 多芯片组件 集成电路

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多芯片模块制作工艺

16

作者 曾毅 《电气制造》 2007年第7期70-74,共5页

多芯片模块(MCM)就是将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM—L,MCM—C和MCM—D三大类。MCM—L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印制基板的组件,布线密度不怎么高,成本较低。MCM—C是用厚膜技术形成多... 多芯片模块(MCM)就是将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM—L,MCM—C和MCM—D三大类。MCM—L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印制基板的组件,布线密度不怎么高,成本较低。MCM—C是用厚膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件,与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似,两者无明显差别,布线密度高于MCM—L。MCM—D是用薄膜技术形成多层布线,以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件,布线密度在三种组件中是最高的,但成本也高。详细地介绍了对多芯片组装工艺的一些经验。 展开更多

关键词 多芯片模块 制作工艺 mcm-d 基板材料 布线密度 玻璃陶瓷 多层陶瓷基板 多层布线

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MCM封装技术新进展 被引量：4

17

作者 胡燕妮 《电子与封装》 2016年第3期12-14,共3页

MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价... MCM封装是多芯片组件,它可以将裸芯片在Z方向叠层,更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟,但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价位低,但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用,它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。 展开更多

关键词 封装 MCM—L MCM—C MCM—D

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一种MCM12位A／D转换器的设计和研制

18

作者 何遐龄 曾大富 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第6期390-397,共8页

介绍了一种ＭＣＭ１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器ＳＡＤ５０３的特点和工作原理，探讨了它的系统设计、电路设计、工艺技术，阐述了其研制及应用。这种Ａ／Ｄ转换器在３６．５ｍｍ×１０．５ｍｍ的双层薄膜布线陶瓷基板上组装了１８... 介绍了一种ＭＣＭ１２位逐次逼近型Ａ／Ｄ转换器ＳＡＤ５０３的特点和工作原理，探讨了它的系统设计、电路设计、工艺技术，阐述了其研制及应用。这种Ａ／Ｄ转换器在３６．５ｍｍ×１０．５ｍｍ的双层薄膜布线陶瓷基板上组装了１８个ＩＣ裸芯片和其他片式器件及电阻网络，并封装于３２引出端双列直插式陶瓷管壳中。线性误差±１／２ＬＳＢ，微分线性误差＜±１ＬＳＢ，转换时间６μｓ。 展开更多

关键词 模拟电路 多芯片组件 模/数转换器 设计

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固定化苯丙氨酸脱氨酶拆分D,L苯丙氨酸制备D苯丙氨酸

19

作者 房月芹 朱龙宝 +4 位作者 黄楠 周丽 丁重阳 刘颖 周哲敏 《食品工业科技》 CAS CSCD 北大核心 2015年第11期243-246,共4页

为了建立新的D-苯丙氨酸生产工艺,对固定化苯丙氨酸解氨酶(PAL)拆分D,L-苯丙氨酸进行了研究。以介孔材料(MCM-41)为载体固定PAL,将其用于拆分消旋体D,L-苯丙氨酸制备高光学纯的D-苯丙氨酸。最佳的固定化条件是载酶量为50mg/g、壳聚糖浓... 为了建立新的D-苯丙氨酸生产工艺,对固定化苯丙氨酸解氨酶(PAL)拆分D,L-苯丙氨酸进行了研究。以介孔材料(MCM-41)为载体固定PAL,将其用于拆分消旋体D,L-苯丙氨酸制备高光学纯的D-苯丙氨酸。最佳的固定化条件是载酶量为50mg/g、壳聚糖浓度为0.1%(w/v)、戊二醛浓度为0.05%(v/v),固定化酶的活性达到最大,酶活保留达到92%,重复利用20次后,活性仍能保持85%。将制备的固定化酶应用于D,L-苯丙氨酸的拆分,反应24h L-苯丙氨酸转化率达到98%,D-苯丙氨酸的ee值达到96%,且连续拆分10个批次后固定化酶对L-苯丙氨酸的转化率仍保持在95%以上。因此,高效稳定的固定化PAL在拆分D,L-苯丙氨酸生产D-苯丙氨酸中具有良好的应用前景。 展开更多

关键词 苯丙氨酸脱氨酶 介孔材料MCM-41 固定化 D L-苯丙氨酸拆分

原文传递

薄膜高密度互连技术及其应用 被引量：3

20

作者 云振新 《电子与封装》 2006年第4期1-5,14,共6页

高密度互连(HDI)基片在微电子集成技术中用来缩小尺寸、减轻重量和提高电气性能。薄膜技术是获得高密度互连的最佳技术。文章介绍了薄膜高密度互连技术的概念、特点、设计与工艺考虑,并指出其主要领域的应用情况。

关键词 高密度互连 薄膜技术 淀积薄膜型多芯片组件

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