采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RHEED衍射花样与STM扫描图片,获得In As量子点表面形貌与生长层数的对应关系,揭示了In As/Ga As量子点的生...采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RHEED衍射花样与STM扫描图片,获得In As量子点表面形貌与生长层数的对应关系,揭示了In As/Ga As量子点的生长变化规律.研究发现,当外延In As厚度在1.7 m L以下时样品保持平整状态,几乎没有出现任何量子点结构;当In As外延厚度超过1.7 m L时,外延层生长模式将从2D模式向3D模式过渡,从而形成In As量子点,证明1.7 m L就是In As在Ga As表面外延时的临界厚度;进一步增加In As沉积量后(1.8,2.0,3.0 m L),量子点将通过自组装生长从逐渐增多到不断增大然后再到数量和体积都迅速增大的转变过程.展开更多
文摘采用分子束外延方法,通过RHEED的实时监控在Ga As(001)衬底上外延生长In As量子点.利用改变生长厚度(1.7,1.8,2.0,3.0 m L),结合RHEED衍射花样与STM扫描图片,获得In As量子点表面形貌与生长层数的对应关系,揭示了In As/Ga As量子点的生长变化规律.研究发现,当外延In As厚度在1.7 m L以下时样品保持平整状态,几乎没有出现任何量子点结构;当In As外延厚度超过1.7 m L时,外延层生长模式将从2D模式向3D模式过渡,从而形成In As量子点,证明1.7 m L就是In As在Ga As表面外延时的临界厚度;进一步增加In As沉积量后(1.8,2.0,3.0 m L),量子点将通过自组装生长从逐渐增多到不断增大然后再到数量和体积都迅速增大的转变过程.
