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InAs衬底上液相外延生长InAsPSb的溶体组份、晶格失配及表面形貌: 1; 作者张永刚周平 +1 位作者陈慧英潘慧珍《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期245-249,共5页; 对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测器应用。实验发现InAsPSb/InAs外延片的表面形貌与晶体失配之间有确定的关系,据此可以方便地调节溶体组... 展开更多; 关键词 INAS inaspsb 外延生长; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长温度、过冷度对InAsPSb外延层表面形貌影响的研究: 2; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期47-51,共5页; 本文采用恒温液相外延生长方法，研究了ＩｎＡｓＰＳｂ四元材料外延层表面形貌与生长温度、过冷度之间的关系．实验结果表明，生长温度、过冷度对外延晶体质量及表面形貌的影响较为明显，同时对其它因素的影响也做了分析．; 关键词生长温度过冷度 inaspsb 表面形貌光电材料; 在线阅读下载PDF 职称材料

在LPE生长中降温和恒温对InAsPSb外延层组分分布的影响: 3; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期153-155,共3页; 采用ＬＰＥ技术，生长出ＩｎＡｓＰＳｂ外延层，研究了降温、恒温两种方法对外延层组分分布的影响．结果表明，用恒温方法生长时，外延层中Ｐ、Ｓｂ组分分布较为均匀，在脉冲电流激发下，得到了３．０９μｍ激光输出．; 关键词 LPE inaspsb 降温和恒温组分分布; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAsPSb/InAs中红外光电探测器: 4; 作者张永刚周平 +1 位作者单宏坤潘慧珍《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第10期623-628,共6页; 本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz^(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).; 关键词光电探测器 inaspsb/InAs; 在线阅读下载PDF 职称材料

2～4μm波长的InAsPSb异质结激光管材料的液相外延: 5; 作者王永珍金长春吕贵进《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期327-331,共5页; 采用液相外延方法，生长出外延层与衬底之间的失配度△α／α≤１．６×１０－３界面平直、组分恒定的ＩｎＡｓＰＳｂ／ＩｎＡｓ外延晶体．单异质结外延层，得到了３．０９μｍ波长的激光输出，双异质结外延片也得到了较好的伏－安... 展开更多; 关键词液相外延异质结激光管铟砷磷化锑; 在线阅读下载PDF 职称材料

LPEInAsPSb外延层组分分布的均匀性的研究: 6; 作者王永珍金长春吕贵进《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期58-61,共4页; 本文采用ＬＰＥ生长技术，分析、研究了降温、恒温两种方法生长的ＩｎＡｓＰＳｂ外延层组分分布。实验结果表明，用恒温方法生长的外延层，Ｐ、Ｓｂ组分分布均匀不变。; 关键词化合物半导体外延生长外延层分布均匀性; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAsPSb／InAs四元系异质结液相外延: 7; 作者王永珍金长春吕贵进《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1994年第4期55-58,共4页; 利用液相外延技术，考察了与ＩｎＡｓ衬底晶格匹配的ＩｎＡｓＰＳｂ四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响．; 关键词异质结液相外延四元系化合物; 在线阅读下载PDF 职称材料

InAsPSb／InAs中红外光电探测器: 8; 作者张永刚周平《科技通讯（上海）》 CSCD 1991年第4期29-32,64,共5页; 关键词 inaspsb/InAs 红外线光电探测器; 原文传递

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