InAs衬底上液相外延生长InAsPSb的溶体组份、晶格失配及表面形貌

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摘要对InAs衬底上液相外延生长四元系InAs_(1-x-y)P_xSb_y(x=0.2,y=0.09)材料进行了研究,此材料适合于2.5μm中红外波段的光源及光探测器应用。实验发现InAsPSb/InAs外延片的表面形貌与晶体失配之间有确定的关系,据此可以方便地调节溶体组份以生长高质量的异质结构。对其机理进行了探讨,已生长了InAsPSb pn结并获得满意的载流子剖面分布。

作者张永刚周平陈慧英潘慧珍

机构地区中国科学院上海冶金研究所

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期245-249,共5页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 INAS INASPSB 外延生长

分类号 TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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稀有金属

1991年第4期

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