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HgMnTe磁性半导体研究概述 被引量：1
1
作者 朱亮清 褚君浩 《红外》 CAS 2011年第5期1-8,共8页
HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱... HgMnTe是一种典型的Mn基Ⅱ-Ⅵ族窄禁带磁性半导体材料,已成功应用在红外发光和光电探测领域。同时由于磁性元素Mn的引入,HgMnTe材料中存在两类重要的磁交换作用:d-d交换和sp-d交换,导致HgMnTe具有诸如自旋玻璃转变、(巨)负磁阻、磁场诱导绝缘体-金属相变、巨Faraday旋转效应、光致磁化效应和磁极化子效应等特殊光电特性和磁学特性。因此,HgMnTe材料具有许多潜在应用,如磁控光电子器件、量子计算和量子通讯,并可能是实现自旋电子学的一种候选材料。 展开更多
关键词 hgmnte 磁性半导体 磁交换作用 自旋电子学
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红外半导体材料Hg Mn Te的缺陷腐蚀 被引量：2
2
作者 李宇杰 刘晓华 介万奇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第9期765-769,共5页
窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀液．从实验结果来看... 窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，研究了ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀工艺，探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ 的腐蚀液．从实验结果来看，该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等，而且腐蚀质量高．以此为基础，我们还分析了ＡＣＲＴ 和Ｂｒｉｄｇｍ ａｎ 两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ 展开更多
关键词 红外半导体材料 hgmnte 缺陷腐蚀
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Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B法生长过程中的溶质再分配
3
作者 介万奇 李宇杰 刘晓华 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z1期469-473,共5页
基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg1-xMnxTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降... 基于对溶质传输特性的定量估算,确定了Hg1-xMnxTe晶体在ACRT-B生长过程溶质再分配的简化条件和计算模型,并用于晶体生长过程成分偏析的计算.结果表明,在ACRT-B法生长的Hg1-xMnxTe e晶体中由于分凝Mn含量在初始区远高了平均值,随后逐渐降低.未端溶质含量则远低于平均值.只在晶锭中部很小的范围获得满足成分要求的晶段.而采用偏离理想成分配比的配料也能获得满足成分要求的晶段,并且在一定成分范围内随配料成分的降低,该晶段增大,其位置向结晶质量更高的初始区移动.欲生长x=0.11的Hg1-xMnxTe晶体,推荐采用x0＜0.11的配料成分.在计算的基础上,采用直径Φ5mm的Hg0.89Mn0.11Te晶锭进行了ACRT-B晶体生长实验研究.通过电子探针成分分析获得了沿晶体长度的成分分布.在晶锭的主要区段,实验结果与计算结果一致.仅在初始区实验结果低于实验值,未端区高于实验值.分析认为这是由于计算模型中关于液相中溶质均匀混合的假设在初始区和未端区不满足造成的. 展开更多
关键词 hgmnte 晶体生长 布里奇曼法 ACRT 溶质再分配 偏析
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p—Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te的磁阻振荡及霍耳系数振荡
4
作者 沈金熙 郑国珍 +1 位作者 郭少令 汤定元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第8期474-483,共10页
p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟合计算了各峰值位置,表明此组份Hg_(1-x)-Mn_xTe的重空穴价带b_v(-1)已交叠到导带a_c(1)之上。霍... p型零禁带Hg_(0.97)Mn_(0.03)Te在深低温(T<4.2K)弱磁场(B<0.6T)区出现磁阻振荡及霍耳系数振荡。用补充了交换互作用项的P-B模型拟合计算了各峰值位置,表明此组份Hg_(1-x)-Mn_xTe的重空穴价带b_v(-1)已交叠到导带a_c(1)之上。霍耳系数出现清晰的振荡行为,拟合计算表明这是由于费米能级为受主能级所钉扎引起的载流子浓度的振荡。 展开更多
关键词 化合物半导体 hgmnte 磁阻振荡
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垂直Bridgman法变速生长Hg_(1-x)Mn_xTe晶体 被引量：1
5
作者 谷智 李国强 +1 位作者 张龙 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-140,共4页
在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分... 在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度。 展开更多
关键词 垂直Bridgman法 Hg1-xMnxTe晶体 固液界面迁移 变速生长机理 组分均匀性
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制作红外探测器的新三元合金材料的进展
6
作者 周茂树 陈洪钧 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期1-4,共4页
本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应... 本文对近年来国际上研究较多的新三元红外探测器合金材料的性能及研究进展作了简要论述,特别注重了与碲镉汞材料的对比,同时讨论了用作各种外延的优质衬底材料CdZnTe晶体的现有水平。认为对于新三元窄禁带半导体HgMnTe及HgZnTe,国内应尽早进行技术跟踪研究,8～14μm光谱范围探测器材料的研究重点仍应继续放在HgCdTe材料上。对于优质外延衬底材料CdZnTe的研究,应在现有基础上继续深入下去。 展开更多
关键词 红外探测器 材料 合金 hgmnte
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