宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 被引量：2

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作者 郝冠军 夏先齐 李剑平 《微波学报》 CSCD 北大核心 1994年第2期40-44,共5页

本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极... 本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关.芯片尺寸为0.97×1.23mm.在DC—10GHz频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,开关时间小于1ns,在5GHz下的功率处理能力大于20dBm.此开关具有极低的直流功率耗散. 展开更多

关键词 单片集成电路 单刀双掷开关 gaasfet 微波开关

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GaAsFET放大器五种基本的偏置设计

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作者 G.D.Vendelin 赵中慧 《微纳电子技术》 1980年第6期71-75,共5页

不要忘记 GaAsFET 的直流偏置,迄今一直强调 S 参量和增益压缩点的数据表。但是,如果没有合适的无源参量,你就不可能得到这些有源参量的图表。

关键词 偏置点 放大器 电子设备 gaasfet

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GaAsFET的表面漏电

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作者 李效白 马农农 侯晓远 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期47-52,共6页

GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表... GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表面漏电的研究进展。 展开更多

关键词 砷化镓场效应管 击穿电压 漏虫 Na^+沾污 硫钝化

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高线性高输出功率Ku波段GaAsFET

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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第6期22-22,共1页

东芝美洲电子元器件公司新添了两款用于卫星通信的高线性、高输出功率内匹配Ku波段功率GaAsFET。上述两款中的9 W Toshiba FIM1414-9L型GaAs FET的频率范围为14. 0 GHz-14.5 GHz,它用于甚小孔径终端(VSAT)用途的Ku波段收发机中的上变频... 东芝美洲电子元器件公司新添了两款用于卫星通信的高线性、高输出功率内匹配Ku波段功率GaAsFET。上述两款中的9 W Toshiba FIM1414-9L型GaAs FET的频率范围为14. 0 GHz-14.5 GHz,它用于甚小孔径终端(VSAT)用途的Ku波段收发机中的上变频器组件。该器件的封装尺寸为9.7 mm×17 mm。 展开更多

关键词 高线性 Ku波段gaasfet 输出功率 上变频器 收发机 VSAT 封装尺寸 TOSHIBA 频率范围 行波管

原文传递

东芝美洲电子元件公司研制出卫星用90WC波段GaAsFET

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作者 陈裕权 《半导体信息》 2003年第6期20-20,共1页

东芝美洲电子元件公司宣布研制出业界首只90wC波段GaAsFET。这种型号为TIM5964—90SL的90w器件,5.9～6.4 GHz的典型输出功率为49.5 dBm,其目标用途是用于卫星通信基站或卫星通信地面站以及陆基通信微波数字无线电设备的固态功率放大器... 东芝美洲电子元件公司宣布研制出业界首只90wC波段GaAsFET。这种型号为TIM5964—90SL的90w器件,5.9～6.4 GHz的典型输出功率为49.5 dBm,其目标用途是用于卫星通信基站或卫星通信地面站以及陆基通信微波数字无线电设备的固态功率放大器。此外,东芝美洲电子元件公司研制的TIM 4450—60 展开更多

关键词 卫星通信地面站 WC波段gaasfet 通信基站 无线电设备 输出功率 陆基 行波管

原文传递

微波GaAs FET放大电路灾变现象的仿真研究

6

作者 穆玉珠 黄卡玛 《西南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2007年第4期846-848,共3页

任何含有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性,同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会导致信号的正反馈,从而引起放大电路的灾变.本文采用GaAsFET的Curtice-3大信号模型,应用电路定律建立微... 任何含有有源器件的微波放大电路在一定情况下都会表现出非线性特性,同时GaAsFET自身存在的内部反馈和电路元器件的电磁辐射可能会导致信号的正反馈,从而引起放大电路的灾变.本文采用GaAsFET的Curtice-3大信号模型,应用电路定律建立微波放大电路的状态方程,并在时域中用龙格-库塔法求解.最后编程模拟了正反馈情况下电路的灾变现象. 展开更多

关键词 gaasfet 非线性 Curtice-3 龙格-库塔法 正反馈 灾变

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FET混频参数的计算

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作者 叶宇煌 缪瑞康 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1998年第3期103-106,共4页

ＧａＡｓＦＥＴ的散射参数与工作状态有关，采用散射参数不能直接求出混频增益．本文介绍一种ＧａＡｓＦＥＴ的混频参数的计算方法．由散射参数求得混频参数，从而求得ＧａＡｓＦＥＴ的混频增益．

关键词 gaasfet 混频器 参数

原文传递

4～8GHz倍频程GaAs FET VCO

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作者 施恩泽 曾耘 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期149-152,共4页

本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。

关键词 gaasfet 电调振荡器 振荡器

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微波功率GaAs FET研究开发水平及微波发射系统的固态化进展 被引量：1

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作者 黄廷荣 《微波与卫星通信》 1989年第2期51-65,共15页

关键词 微波 gaasfet 微波发射系统 固态化

原文传递

宽带GaAs FET功率放大器的计算机辅助设计

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作者 奚新民 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期399-405,共7页

本文叙述了采用静态法模拟GaAs FET大信号模型和以该大信号模型设计宽带GaAsFRT功率放大器的方法.在分析电路时,提出了一种对非线性电路进行交流大信号稳态分析的有效方法:时一频转换循环迭代法.编写了一个优化设GaAs FET功率放大器的... 本文叙述了采用静态法模拟GaAs FET大信号模型和以该大信号模型设计宽带GaAsFRT功率放大器的方法.在分析电路时,提出了一种对非线性电路进行交流大信号稳态分析的有效方法:时一频转换循环迭代法.编写了一个优化设GaAs FET功率放大器的计算机程序GFPA.采用该程序设计制作了一个单级宽带GaAs FET功率放大器.在未作任何调整的情况下,该放大器的实测性能与其理论计算符合较好. 展开更多

关键词 gaasfet 功率放大器 CAP

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HWADAR华达微波科技有限公司 HWADAR Ka系列低噪声放大器 LKa20000系列Ka波段LNA

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《卫星与网络》 2010年第8期46-46,共1页

介绍 华达微波科技有限公司Ka系列低噪声放大器是专门设计的卫星地球站的接收前端，也可以作为其他通讯系统的接收前端。可以用于固定站中，也可以用于移动站中。这些精心设计的放大器应用最新的HEMT和GaAsFET技术，在其他一些常用的... 介绍 华达微波科技有限公司Ka系列低噪声放大器是专门设计的卫星地球站的接收前端，也可以作为其他通讯系统的接收前端。可以用于固定站中，也可以用于移动站中。这些精心设计的放大器应用最新的HEMT和GaAsFET技术，在其他一些常用的频段，我们拥有更低的噪声温度、以及更高性能的产品。 展开更多

关键词 低噪声放大器 科技 微波 gaasfet 接收前端 卫星地球站 通讯系统 HEMT

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GaAs FET振荡频率理论研究

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作者 李效白 《半导体情报》 1989年第6期1-10,共10页

本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结果。

关键词 振荡频率 理论 gaasfet

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PECVD SiN及其在GaAs MESFET中的应用——第1部分:PECVD SiN的制备及其组分和键结构 被引量：1

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作者 罗海云 《半导体情报》 1993年第6期20-27,共8页

叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD SiN性能及其与工艺条件的关系,着重叙述在GaAs器件中的应用... 叙述了PECVD SiN的制备、性能及其在GaAs场效应器件中的应用。第一部分叙述PECVD SiN的一般概念、设备及淀积条件,阐明其键结构以及它们与工艺条件的关系。第二部分叙述PECVD SiN性能及其与工艺条件的关系,着重叙述在GaAs器件中的应用和对器件性能的影响。 展开更多

关键词 等离子淀积 氮化硅 场效应晶体管

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GaAsMESFET和DHEMT的中子辐射效应研究 被引量：1

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作者 王长河 《半导体情报》 1995年第4期31-37,共7页

本文介绍了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数Ｎ＿Ｄ、Ｎ＿ｓ、Ｖ＿ｓ，μ和电参数Ｉ＿ＤＳ、ｇ＿ｍ、Ｖ＿ｐ、Ｇ等。

关键词 HEMT 中子辐射效应 砷化镓 化合物 半导体器件

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