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GaAs FET振荡频率理论研究

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摘要本文从设计理上系统地推导和分析了共源、共栅和共漏组态下的GaAsFET振荡频率,并研究了温漂和时漂等问题,理论能较好地解释实验结果。

作者李效白

出处《半导体情报》 1989年第6期1-10,共10页 Semiconductor Information

关键词振荡频率理论 GAASFET

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1989年第6期

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