摘要
本文叙述了采用单变容管调谐的4～8GHz共漏反沟道GaAs FET VCO的设计和研究结果。振荡器的直接输出功率大于16.5dBm,功率平坦度为±2dBm,线性度优于3:1(电调灵敏度之比)。并给出了振荡器其他性能。
This paper describes the design of an octave bandwidth GaAs FET VCO covering 4-8 GHz. The oscillator is revers channel common-drain configura-tion and single varactor tuned. This paper also reports the experimental results: maximum output power of 16. 5 dBm, power flatness of 2 dBm,and linearity
of 3 :1.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第2期149-152,共4页
Research & Progress of SSE
