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FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究 被引量：3
1
作者 罗宏伟 杨银堂 +2 位作者 朱樟明 解斌 王金延 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期174-176,181,共4页
分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因... 分析了影响FLOTOXEEPROM可靠性的主要因素,包括可编程窗口的退化,电荷保持特性的退化以及与时间有关的氧化层击穿等.FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关.隧穿氧化层中产生的缺陷(陷阱电荷)是引起FLOTOXEEPROM性能退化的主要原因.实验证实氧化层中的陷阱电荷对FLOTOXEEPROM性能的退化起主要作用. 展开更多
关键词 flotox结构 EEPROM 可靠性 隧穿氧化层 退化 快闪存储器
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双层多晶FLOTOX E^2PROM的阈值电压退化特性 被引量：1
2
作者 罗宏伟 恩云飞 +3 位作者 杨银堂 朱樟明 解斌 王金延 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期18-21,共4页
基于FLOTOXE2 PROM结构 ,分析了影响FLOTOXE2 PROM可靠性的主要因素 ,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿 (TDDB)等 ,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关 .实验表明 ,擦 /写电压应力周期、... 基于FLOTOXE2 PROM结构 ,分析了影响FLOTOXE2 PROM可靠性的主要因素 ,包括可编程窗口退化、电荷保持特性退化及与时间有关的隧道氧化层击穿 (TDDB)等 ,发现FLOTOX的可靠性与隧穿氧化层的质量密切相关 .实验表明 ,擦 /写电压应力周期、脉冲电压应力大小及脉冲宽度的变化都会影响FLOTOXE2 PROM阈值电压的变化 ,分析认为隧穿氧化层中产生的缺陷 (陷阱电荷 )是引起FLOTOXE2 PROM阈值电压退化的主要原因 ,隧道氧化层中的陷阱电荷通过影响注入电场使阈值电压增加或减少 . 展开更多
关键词 flotox E^2PROM 阈值电压 陷阱电荷 可靠性
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FLOTOX-E^2PROM阈值电压的研究
3
作者 熊大菁 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期20-24,共5页
本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。
关键词 flotox 存储器 电可擦写存储器 阈值电压
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双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证 被引量：2
4
作者 黄飞鸿 郑国祥 吴瑞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期637-642,共6页
介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可... 介绍了 EEPROM的电学模型 ,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系 .根据模拟结果 ,采用 0 .6μm CMOS工艺 ,对双层多晶硅 FL OTOX EEPROM进行了流片 ,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性 . 展开更多
关键词 flotox EEPROM 阈值电压 写入 隧道氧化层
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基于FLOTOX的EEPROM的工作机制研究 被引量：2
5
作者 王保恒 《计算机工程与科学》 CSCD 1999年第2期66-69,共4页
本文通过分析ＦＬＯＴＯＸ结构及其存储信息的原理，对基于ＦＬＯＴＯＸ的ＥＥＰＲＯＭ的工作机制进行了深入研究。
关键词 flotox EEPROM 存储器 工作机制
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高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究
6
作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第3期329-336,共8页
利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老... 利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法，测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性，为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２，平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２，有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ，界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １，平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。 展开更多
关键词 浮栅隧道氧化层 陷阱电荷 应力 MOS晶体管
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SONOS结构EEPROM单元辐射效应分析 被引量：1
7
作者 吕纯 蒋婷 周昕杰 《电子与封装》 2010年第12期32-35,共4页
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:... 随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足应用的需要,文章比较了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,分析了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出:SONOS结构的EEPROM单元,其抗辐射性能优于FLOTOX结构。并分析了在辐射条件下,SONOS结构受辐射影响的数学模型。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM研究提供了理论基础。 展开更多
关键词 SONOS EEPROM 辐射效应 非易失性存储器 flotox
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EEPROM单元辐射机理研究 被引量：1
8
作者 王晓玲 张国贤 周昕杰 《电子与封装》 2010年第3期19-22,共4页
随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元... 随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SONOS单元。同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。 展开更多
关键词 EEPROM 辐射机理 SONOS flotox
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EEPROM单元结构的变革及发展方向 被引量：11
9
作者 于宗光 许居衍 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期233-240,共8页
扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。
关键词 场效应型 半导体集成电路 存储器
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EEPROM中浮栅MOS晶体管阈值电压的研究 被引量：1
10
作者 古亮 邵丙铣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期121-126,共6页
重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。
关键词 EEPROM 浮栅MOS管 阈值电压
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