摘要
重点讨论了在斜波脉冲条件下，EEPROM中fiotox管在浮栅充电放电过程中阈值电压的变化，对原有模型进行了补充，修正，所得结果与实验相符。
The threshold voltage of flotox MOSFET under RAMP pulse condition is discussed. The classical model is supplemented. The theoretical results are coincided with experiments.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第2期121-126,共6页
Research & Progress of SSE
