CdSe单晶体的生长及其特性研究 被引量：9

1

作者 邵双运 金应荣 +4 位作者 朱世富 赵北君 宋芳 王学敏 朱兴华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期119-122,共4页

本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe... 本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe单晶 ,设备简单 ,易于操作 ,在提纯和生长过程中不需要转移原料 ,有利于减少晶体中的杂质含量 ,降低位错密度 ,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。 展开更多

关键词 cdse单晶体 多级提纯 气相生长 电阻率 特性

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富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性 被引量：4

2

作者 金应荣 朱世富 +5 位作者 赵北君 邵双运 李奇峰 王雪敏 于丰亮 宋芳 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1139-1142,共4页

用改进的垂直气相法生长的富镉 Cd Se单晶 ,其电阻率为 10 7Ω· cm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,且能将注入其中的部分电荷储存起来。分析认为 ,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由 Se空位引起的 .

关键词 气相生长 cdse单晶 电子陷阱 电学特性

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高质量CdSe单晶生长及其OPO性能研究 被引量：2

3

作者 李宝珠 高彦昭 +3 位作者 王健 程红娟 陈毅 姚宝权 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1517-1522,共6页

本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为∅54 mm×25 mm的高质量CdSe单晶,晶体为纤锌矿结构,(002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽分别为54.4″和45.6″。使用红外显微镜和扫描电镜-能谱分析仪对晶体内部的夹杂相进行测试,表明晶体内部... 本文利用有籽晶的HPVGF法生长了尺寸为∅54 mm×25 mm的高质量CdSe单晶,晶体为纤锌矿结构,(002)和(110)面的XRD摇摆曲线半高宽分别为54.4″和45.6″。使用红外显微镜和扫描电镜-能谱分析仪对晶体内部的夹杂相进行测试,表明晶体内部存在小尺寸富Se夹杂相。CdSe晶片在2.5~20μm范围内的透过率高于68%,平均吸收系数为0.037 cm^-1。制备出尺寸为10 mm×12 mm×50 mm且满足第Ⅱ类相位匹配条件的CdSe晶柱,在重频1 kHz,波长2.09μm的Ho∶YAG调Q泵浦源激励下,实现了中心波长为11.47μm,线宽为33.2 nm的激光输出,最大输出功率为389 mW。 展开更多

关键词 cdse单晶 结晶质量 夹杂相 非线性光学晶体 光参量振荡器

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CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡 被引量：1

4

作者 金应荣 朱世富 +3 位作者 赵北君 王学敏 宋芳 李奇峰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期305-309,共5页

化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响。本文根据相平衡原理 ,利用热力学分析方法 ,分析了CdSe单晶体的气相生长过程 ,阐明了控制化学配比的原理 ,指出只有在固 -液 -气三相平衡或接近三相平衡的条件下 ,才能生长出符合化学配比的CdS... 化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响。本文根据相平衡原理 ,利用热力学分析方法 ,分析了CdSe单晶体的气相生长过程 ,阐明了控制化学配比的原理 ,指出只有在固 -液 -气三相平衡或接近三相平衡的条件下 ,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体 ;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料 ,在 112 0～ 1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体。 展开更多

关键词 cdse单晶体 气相生长过程 相平衡 热力学分析

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HPVB法生长的CdSe单晶性能研究 被引量：3

5

作者 高彦昭 杨瑞霞 +1 位作者 张颖武 王健 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期669-673,共5页

采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°。使... 采用有籽晶的高压垂直布里奇曼法(HPVB)生长了直径35 mm的大尺寸CdSe单晶。使用X射线衍射仪测试了晶体的结晶质量,结果表明生长的晶体为纯六方相CdSe单晶,(002)晶面的摇摆曲线峰型尖锐且对称性好,峰值半高宽(FWHM)可达0.082°。使用辉光放电质谱法(GDMS)、霍尔效应测试、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)对晶体生长轴向的微量杂质含量及分布、电学性能和光学性能进行测试和分析,结果表明微量杂质在晶体轴向方向呈现出不同的分凝特性,杂质的不均匀分布影响晶体的电学性能和光学性能。晶体呈现出较高的电阻率(10~8Ω·cm)和优良的红外透过性能,在8~12μm范围内平均透过率约为70%,吸收系数小于0.058 cm^(-1)。 展开更多

关键词 cdse单晶 籽晶 HPVB法 红外透过率 非线性光学晶体

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硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究 被引量：2

6

作者 温才 赵北君 +5 位作者 朱世富 王瑞林 何知宇 任锐 罗政纯 李艺星 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1538-1541,共4页

通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似... 通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料. 展开更多

关键词 cdse单晶体 核辐射探测器 霍尔效应

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硒添加量对硒化镉单晶电学和光学性能的影响研究

7

作者 窦瑛 王英民 +1 位作者 高彦昭 程红娟 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第8期1403-1409,共7页

采用有籽晶的高压布里奇曼法生长出CdSe单晶,并对不同Se添加量的CdSe单晶进行了性能研究。结果表明,添加的Se填充了单晶中的V_(Se),降低了Cd/Se质量比,并未影响晶体的Raman特征峰。进而对添加Se的CdSe晶体的电学性能、光学性能和夹杂相... 采用有籽晶的高压布里奇曼法生长出CdSe单晶,并对不同Se添加量的CdSe单晶进行了性能研究。结果表明,添加的Se填充了单晶中的V_(Se),降低了Cd/Se质量比,并未影响晶体的Raman特征峰。进而对添加Se的CdSe晶体的电学性能、光学性能和夹杂相进行了分析,数据表明,添加的Se填充V_(Se)后,降低了CdSe单晶中的自由载流子浓度,提升了单晶电阻率,减弱了自由载流子对红外光子的吸收,同时添加Se增强了CdSe单晶结构的稳定性,降低了夹杂相密度,二者协同作用,优化了CdSe单晶的电学和光学性能,CdSe单晶呈现出高电阻率,达到10^(8)Ω·cm以上,8~12μm波段红外透过率提升到69%,为其在长波红外固体激光器等领域的应用提供了借鉴意义。 展开更多

关键词 cdse单晶 添加Se 电阻率 红外透过率 夹杂相密度 电学性能 光学性能

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红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征 被引量：16

8

作者 曾体贤 赵北君 +4 位作者 朱世富 何知宇 卢大洲 陈宝军 唐世红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期326-329,345,共5页

采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XR... 采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达φ26mm×45mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论。采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰。晶锭密度为5.74g/cm3,与理论计算值接近。退火处理后的晶片在1000～7000cm-1红外波段范围内透过率达到70%。采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件。 展开更多

关键词 cdse单晶 气相生长 VUVG法 性能表征

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CdSe晶片的红外透过率研究 被引量：9

9

作者 何知宇 赵北君 +5 位作者 朱世富 叶林森 钟雨航 王立苗 杨慧光 曾体贤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1211-1214,共4页

将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含... 将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含量进行了测试,依据晶片对红外光的吸收机理,讨论了CdSe晶片在中红外区域透过率的理论值和影响其红外透过率的主要因素,研究了红外透过率与晶片性能的内在联系,为探测器级CdSe晶片的筛选提供了一种简便有效的方法。 展开更多

关键词 探测器材料 cdse单晶体 红外光谱 吸收机制

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制备室温CdSe探测器的研究 被引量：2

10

作者 宋芳 赵北君 +6 位作者 朱世富 金应荣 邵双运 杨文彬 王学敏 于丰亮 李正辉 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期25-29,共5页

报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理... 报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 . 展开更多

关键词 多级提纯垂直气相法 cdse单晶体 半导体探测器

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硒化镉单晶体的研究进展 被引量：2

11

作者 杨辉 张志勇 +3 位作者 张敏 王茂州 陈太红 曾体贤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期2269-2273,共5页

总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量。介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdS... 总结了CdSe单晶体的多种生长方法,包括温度梯度熔体法,移动区熔法,助熔剂法和气相提拉法等,其中气相提拉法能有效提高CdSe单晶体的晶体纯度及光学质量。介绍了CdSe晶体用于红外非线性光学器件以及室温核辐射探测器件的研究进展,并对CdSe晶体制作中红外偏振测量用波片进行了展望。 展开更多

关键词 cdse单晶体 气相提拉法 非线性光学器件 中红外波片

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CdSe晶体及掺Cr^2+激光器的研究进展

12

作者 杨辉 杨明 +3 位作者 孔博 张敏 安辛友 曾体贤 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第8期1412-1416,共5页

以CdSe晶体光参量振荡器为代表的中红外激光器在生物、医疗和军事等诸多领域有着广泛的应用前景。本文总结了生长CdSe单晶的工艺方法包括熔体法、熔剂法和气相法等,其中常用的为气相法,近年来高压垂直梯度冷凝(HPVGF)技术也逐渐被采用... 以CdSe晶体光参量振荡器为代表的中红外激光器在生物、医疗和军事等诸多领域有着广泛的应用前景。本文总结了生长CdSe单晶的工艺方法包括熔体法、熔剂法和气相法等,其中常用的为气相法,近年来高压垂直梯度冷凝(HPVGF)技术也逐渐被采用。国内外将本征CdSe晶体用于光参量振荡器件(OPO),适用于多种激光器泵浦源,且输出功率不断提高。而Cr^2+的掺杂能有效提高泵浦效率,实现波长的连续可调。 展开更多

关键词 cdse单晶 气相法 高压垂直梯度冷凝 OPO器件 Cr^2+掺杂 激光器

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