多晶硅CVD反应器中新型热管的开发与仿真 被引量：5

1

作者 王晓静 马东云 +1 位作者 李文艳 张灿 《压力容器》 2016年第8期13-19,26,共8页

基于已有的新型多晶硅CVD反应器,设计出有利于获得理想速度场和温度场的特殊热管结构,并对其进行了有限元强度分析和结构改进。对不同壁面发射率和不同壁面温度的热管进行了CFD仿真,计算得出:随着热管壁面温度的升高,多晶硅还原炉内环... 基于已有的新型多晶硅CVD反应器,设计出有利于获得理想速度场和温度场的特殊热管结构,并对其进行了有限元强度分析和结构改进。对不同壁面发射率和不同壁面温度的热管进行了CFD仿真,计算得出:随着热管壁面温度的升高,多晶硅还原炉内环境温度也随之升高,但是多晶硅棒的总能耗与辐射能耗却随之降低;壁面温度从423 K上升至623 K时,硅棒总能耗和辐射能耗分别下降了2.84%和3.87%;随着发射率的降低,多晶硅还原炉内的环境温度、硅棒总能耗和辐射能耗都呈现下降趋势;硅棒的总能耗和辐射能耗分别下降了21.75%和24.42%。 展开更多

关键词 多晶硅 cvd反应器 热管 有限元 CFD

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大面积微波CVD反应腔中电磁场分布的研究 被引量：1

2

作者 王仁海 邹卫东 《黄冈师范学院学报》 2002年第6期23-25,78,共4页

根据大面积微波 CVD反应腔的简单模型 ,采用 FIT算法计算了腔内的电磁场 ,并用计算机模拟了反应腔中电磁场的分布 ,寻找影响腔内电磁场分布的参数 。

关键词 电磁场 等离子体 微波cvd反应腔 微波化学气相沉淀 金钢石薄膜

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流态床CVD法制氮化硅超微粉过程分析及实验验证 被引量：1

3

作者 王勇 周俊 +1 位作者 汪新颜 姚奎鸿 《浙江理工大学学报（自然科学版）》 2007年第1期36-39,共4页

分析了硅烷氨解法制备氮化硅超微粉的化学气相沉积(CVD)过程,讨论了制备氮化硅超微粉体的3个关键工艺要素,并采用立式双温区流态床实验装置实现氮化硅超微粉体的制备,获得粉体合成过程的一些关键控制参数。

关键词 流态床 cvd 氮化硅 硅烷 热力学

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工业反应过程的开发方法Ⅻ，CVD法超细粒子晶体组成及含量控制方法

4

作者 胡黎明 李春忠 +1 位作者 陈敏恒 袁渭康 《石油化工》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期387-392,373,共7页

在ＣＶＤ反应器中超细粒子粒度分布控制模型化研究的基础上，进一步探讨了ＣＶＤ反应器中超细粒子的形成过程，详细分析了超细粒子的烧结和晶型转变，以此为基础建立了晶体组成及含量的控制模型，并进行了晶体组成及含量的模型化研究。... 在ＣＶＤ反应器中超细粒子粒度分布控制模型化研究的基础上，进一步探讨了ＣＶＤ反应器中超细粒子的形成过程，详细分析了超细粒子的烧结和晶型转变，以此为基础建立了晶体组成及含量的控制模型，并进行了晶体组成及含量的模型化研究。从方法论角度分析，晶体组成及含量的模型化研究方法和粒子粒度分布的研究方法一致，但前者以后老的研究为基础，体现了序贯研究的基本思想。 展开更多

关键词 超细粒子 晶体 气相沉积

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流化床CVD淀积过程中铝膜微结构及表面形貌的研究

5

作者 刘书琴 施大新 +1 位作者 崔怡红 曹竹友 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期339-343,共5页

考察了在常压流化床 CVD反应器中利用三异丁基铝的热分解反应在高折射率玻璃微珠表面淀积铝膜时 ,淀积温度和时间对铝膜微结构和表面形貌的影响 .SEM谱的表面形貌分析表明 ,提高淀积温度时 ,铝膜经过三维岛状→孔洞结构→连续致密膜的变... 考察了在常压流化床 CVD反应器中利用三异丁基铝的热分解反应在高折射率玻璃微珠表面淀积铝膜时 ,淀积温度和时间对铝膜微结构和表面形貌的影响 .SEM谱的表面形貌分析表明 ,提高淀积温度时 ,铝膜经过三维岛状→孔洞结构→连续致密膜的变化 ;延长淀积时间 ,铝膜的晶粒会变粗变大 .AES谱的表面化学组成分析表明 ,在较高的淀积温度下铝膜中碳的残留并不明显 ,但发生了玻璃微珠基材中 Ti,Ba等元素向铝膜中的扩散 . 展开更多

关键词 三异丁基铝 微结构 表面形貌 热活化 铝膜

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西门子CVD还原炉辐射换热数值模拟 被引量：5

6

作者 聂陟枫 谢刚 +3 位作者 侯彦青 崔焱 李荣兴 宋东明 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1774-1780,共7页

本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟。应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,... 本文考虑包括热辐射在内的质量传递、动量传递、能量传递三维模型,利用流体力学计算软件,对12对棒西门子多晶硅CVD还原炉硅沉积过程的传热情况进行数值模拟。应用传热模型计算了实际还原过程的总能耗,并与实际生产运行测量值进行比较,相对误差为7.1%,表明传热模型准确可靠。基于DO离散坐标辐射模型,详细分析了硅棒与反应器壁间的辐射换热情况,探讨了硅棒生长过程中内、外环硅棒辐射能的变化趋势以及不同器壁发射率对还原炉内辐射能的影响。结果表明:辐射换热是硅沉积过程最主要的热量传递形式;外环硅棒的辐射能远大于内环硅棒的辐射能,并且外环硅棒的辐射能随硅棒直径的增大而增大;硅棒辐射能随着反应器壁材料发射率的增大而增大,并采用典型工况数据,计算了不同反应器壁材料发射率条件下的产品单位质量理论能耗。 展开更多

关键词 辐射换热 cvd还原炉 多晶硅 数值模拟 改良西门子法

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火焰CVD法制备含碳纳米TiO2及光催化降解甲醛气体研究 被引量：5

7

作者 谢洪勇 《纳米科技》 2006年第3期38-42,共5页

讨论了O2/C3H8摩尔比在2-9范围内时，火焰温度对TiO2晶型的影响，O2/C3H8摩尔比和火焰中TiO2颗粒浓度对含碳纳米TiO2碳含量的影响。用管式光催化反应器，以液相沉积法将TiO2薄膜涂敷到反应器石英玻璃管内壁，实验测量了光催化降解甲醛... 讨论了O2/C3H8摩尔比在2-9范围内时，火焰温度对TiO2晶型的影响，O2/C3H8摩尔比和火焰中TiO2颗粒浓度对含碳纳米TiO2碳含量的影响。用管式光催化反应器，以液相沉积法将TiO2薄膜涂敷到反应器石英玻璃管内壁，实验测量了光催化降解甲醛气体的降解率。用4阶龙格-库塔法求解传质方程，得到了一级速率常数。经讨论得出：当含碳量约为5％时，降解率达最大值，是无碳或碳含量大于10％的TiO2的2．5倍。 展开更多

关键词 火焰气相沉积法 含碳纳米TiO2 光催化降解甲醛气体 管式反应器 降解率 一级速率常数

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流态化CVD技术进展 被引量：2

8

作者 华彬 胡黎明 《化工冶金》 CSCD 北大核心 1992年第4期360-366,共7页

随着科学技术的发展,超细粒子的用途愈来愈广泛,但实现超细粒子实用化的关键技术一表面加工还未得到解决.近年来,有关细颗粒流态化技术的研究及 CVD 反应器中成核与成膜竞争机制的研究,为实现超细粒子的表面加工提供了一种新途径一流态... 随着科学技术的发展,超细粒子的用途愈来愈广泛,但实现超细粒子实用化的关键技术一表面加工还未得到解决.近年来,有关细颗粒流态化技术的研究及 CVD 反应器中成核与成膜竞争机制的研究,为实现超细粒子的表面加工提供了一种新途径一流态化 CVD 技术,本文综述了流态化 CVD 技术的最新进展. 展开更多

关键词 流态化 cvd 团聚物 反应器

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应用于石墨烯制备的CVD反应炉研制 被引量：2

9

作者 高超 张吉峰 唐榕 《真空》 CAS 2020年第3期30-33,共4页

本文介绍了应用于石墨烯制备的CVD反应炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的CVD反应炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点。该设备采用先进的控温技术控制加热器的快速升温,通过闭环控制实现了工艺过程中腔室压力的... 本文介绍了应用于石墨烯制备的CVD反应炉的工艺原理及技术特点,并以一台已经研制成功的CVD反应炉为例,详细阐述了该设备的相关设计思路及特点。该设备采用先进的控温技术控制加热器的快速升温,通过闭环控制实现了工艺过程中腔室压力的自动控制,具有控制精度高、响应快、一致性好等优点。 展开更多

关键词 石墨烯 cvd 温度控制 反应室压力调节 闭环控制

原文传递

多晶硅生产中废气淋洗塔着火及系统产生无定型硅的原因分析及处理措施 被引量：4

10

作者 陆大军 《云南化工》 CAS 2011年第1期57-58,共2页

多晶硅炉试生产一个月后,废气淋洗塔在一周内着火9次。经检查,还原炉炉壁、炉子基盘上散布有无定型硅粉,回收的氯硅烷颜色呈黑灰色,系统检测DCS含量达10%;MSA还原炉反应温度在900～1000℃之间,GT还原炉反应温度在1050℃～1100℃之间。... 多晶硅炉试生产一个月后,废气淋洗塔在一周内着火9次。经检查,还原炉炉壁、炉子基盘上散布有无定型硅粉,回收的氯硅烷颜色呈黑灰色,系统检测DCS含量达10%;MSA还原炉反应温度在900～1000℃之间,GT还原炉反应温度在1050℃～1100℃之间。分析研究后认为,MSA还原炉反应温度过低,处在生成DCS和无定型硅的温度区域,管道内富集了无定形硅,造成系统的堵塞,致废弃淋洗塔产生着火现象。采取了提高还原反应温度至1100～1150℃的措施,两周后,系统检测DCS含量降低到4%左右,淋洗塔不再着火,回收的氯硅烷颜色恢复。 展开更多

关键词 多晶硅 淋洗塔 无定型硅 还原炉

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还原炉生产多晶硅常见问题及对策探讨 被引量：1

11

作者 孙强 严大洲 +1 位作者 汤传斌 万烨 《有色冶金节能》 2015年第3期55-59,共5页

在使用改良西门子法生产多晶硅的过程中,还原生产工艺是最关键的工艺,而还原炉运行成功与否最终关系到生产成本和企业效益。通过对启炉及运行过程中硅芯倒伏、倒炉、电器与设备故障等问题进行总结和分析,发现硅芯质量与安装水平、系统... 在使用改良西门子法生产多晶硅的过程中,还原生产工艺是最关键的工艺,而还原炉运行成功与否最终关系到生产成本和企业效益。通过对启炉及运行过程中硅芯倒伏、倒炉、电器与设备故障等问题进行总结和分析,发现硅芯质量与安装水平、系统常规检查与维护、以及工艺控制水平和精细化程度等是影响还原炉运行成功率的主要原因,本文对问题控制方法进行了探讨,以期为提高还原炉运行稳定性提供参考。 展开更多

关键词 多晶硅 还原炉 工艺 硅芯 倒炉

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西门子还原炉倒棒原因与预防

12

作者 吴锋 陈文龙 +2 位作者 于伟华 钟真武 朱顺泉 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期234-235,244,共3页

改良西门子法是多晶硅的主流生产工艺,其核心反应器还原炉的大型化发展趋势明显,导致生产中倒棒的发生概率进一步加大,给提高生产效率和保障安全生产带来不利影响。通过对大量生产现象的观察结合理论分析,深入剖析了诱发倒棒的各项因素... 改良西门子法是多晶硅的主流生产工艺,其核心反应器还原炉的大型化发展趋势明显,导致生产中倒棒的发生概率进一步加大,给提高生产效率和保障安全生产带来不利影响。通过对大量生产现象的观察结合理论分析,深入剖析了诱发倒棒的各项因素,并给出了针对性的预防措施。 展开更多

关键词 改良西门子法 多晶硅 还原炉 倒棒

原文传递

聚变-裂变实验混合堆材料研究现状 被引量：1

13

作者 戴受惠 《核动力工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期28-35,共8页

本文介绍聚变-裂变实验混合堆第一壁初步概念设计的特点和要求,结构材料和衬瓦材料研究计划;低通量聚变中子、高通量裂变中子,a^-,P^-、C^+等带电粒子和高能电子照射前几种奥氏体不锈钢的微观结构和性能;带电粒子照射后的组织变化及肿... 本文介绍聚变-裂变实验混合堆第一壁初步概念设计的特点和要求,结构材料和衬瓦材料研究计划;低通量聚变中子、高通量裂变中子,a^-,P^-、C^+等带电粒子和高能电子照射前几种奥氏体不锈钢的微观结构和性能;带电粒子照射后的组织变化及肿胀行为初探;低各向异性度石墨和不同工艺条件下涂层的C^+SiC抗H^+溅射和抗电子束热震行为。500℃,1.8-4.7MeV的a^-粒子束和1.5MeV质子束分别照射至10^(18)a/cm^2和3.7×10^(19)P/cm^2,固溶退火的316SS的肿胀率为8%,20%冷加工316SS和316(Ti)SS的性能优于316LSS。 展开更多

关键词 聚变 裂变 实验堆 混合堆 材料

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区熔用多晶硅棒制备技术浅析 被引量：1

14

作者 陈辉 严大洲 +2 位作者 万烨 孙强 张邦洁 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第S02期152-156,共5页

区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重... 区熔多晶硅产品纯度要达到13N以上,同时硅棒要满足各项性能指标要求。由于研制周期长、制备难度大,国外工艺技术完全封锁,而国内多晶硅产业起步较晚,对高纯度产品质量的过程管控、工艺技术路线及检测分析方法等基础性研究薄弱。本文重点分析了硅烷CVD法和改良西门子法制备区熔用多晶硅的技术路线,从产品原料控制、核心设备结构、关键材料、反应机理等方面进行了综合分析,在总结不同工艺路线特点的基础上对区熔多晶硅相关领域的发展前景进行了展望。 展开更多

关键词 区熔 多晶硅 cvd反应器

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多晶硅还原炉系统余热回收利用 被引量：4

15

作者 吴燕平 《山东化工》 CAS 2019年第21期104-106,共3页

高纯的SiHCl 3与H 2在还原炉内1100℃左右高温下发生化学气相沉积反应,在硅芯上沉积而生成多晶硅,还原炉是多晶硅生产中电耗最高的设备,本文通过利用高温热水对还原炉的夹套、底盘及尾气进行冷却,加热后的热水进行闪蒸,年产6000 t的多... 高纯的SiHCl 3与H 2在还原炉内1100℃左右高温下发生化学气相沉积反应,在硅芯上沉积而生成多晶硅,还原炉是多晶硅生产中电耗最高的设备,本文通过利用高温热水对还原炉的夹套、底盘及尾气进行冷却,加热后的热水进行闪蒸,年产6000 t的多晶硅规模,通过热量回收能产生0.3 MPa(g)的低压蒸汽44.77 t/h。达到节能降耗的目的,从而降低多晶硅生产的成本,以提高行业的竞争能力。 展开更多

关键词 多晶硅 还原炉 节能能耗 余热回收利用

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多晶硅还原炉倒棒原因探讨 被引量：15

16

作者 柯曾鹏 杨志国 +1 位作者 刘欣 宗文婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第10期994-998,共5页

多晶硅生产过程中的倒棒现象将给多晶硅生产企业带来巨大的经济损失和安全风险。通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,发现还原炉系统设备自身问题、硅芯质量及安装缺陷和硅棒生长中的工艺控制不当是造成还原炉发生倒棒的主要原... 多晶硅生产过程中的倒棒现象将给多晶硅生产企业带来巨大的经济损失和安全风险。通过对多晶硅生产中还原炉倒棒现象的总结分析,发现还原炉系统设备自身问题、硅芯质量及安装缺陷和硅棒生长中的工艺控制不当是造成还原炉发生倒棒的主要原因,通过优化还原系统设备、提高安装操作水平等措施控制和预防还原炉的倒棒问题。 展开更多

关键词 多晶硅 还原炉 硅芯 沉积过程 倒棒

原文传递

金刚石膜气相沉淀技术中微波等离子体反应腔的数值模拟 被引量：1

17

作者 邹卫东 杨磊 +1 位作者 孙亦宁 杨孔庆 《真空与低温》 2000年第2期86-90,共5页

采用有限积分法(FIT算法) ,并利用一种简单的等离子体模型模拟了具有轴对称的微波等离子体反应腔中微波场与等离子体的行为。计算出了给定等离子体的空间分布时电场的分布情况 ,以及给定电场的空间分布时等离子体的分布情况 ,从而得到... 采用有限积分法(FIT算法) ,并利用一种简单的等离子体模型模拟了具有轴对称的微波等离子体反应腔中微波场与等离子体的行为。计算出了给定等离子体的空间分布时电场的分布情况 ,以及给定电场的空间分布时等离子体的分布情况 ,从而得到微波———等离子体反应腔中电磁场稳定分布以及等离子体的放电位置。并依据实验中的一些可变参数 ,寻求影响等离子体放电位置的参数 ,为设计化学气相沉淀(CVD) 展开更多

关键词 数值模拟 等离子体 微波反应腔 金刚石薄膜 cvd

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多晶硅还原炉硅棒直径检测及生长过程研究 被引量：3

18

作者 姜海明 曹忠 刘淑萍 《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期169-170,172,共3页

还原炉是多晶硅生产的核心设备,在还原炉的运行控制中,硅棒直径是反应沉积效果的重要参数。笔者设计了一种硅棒直径检测方法,通过试用获得还原炉运行中硅棒直径检测数据,并综合各控制参数进行多晶硅棒生长过程的研究,其结论能够为还原... 还原炉是多晶硅生产的核心设备,在还原炉的运行控制中,硅棒直径是反应沉积效果的重要参数。笔者设计了一种硅棒直径检测方法,通过试用获得还原炉运行中硅棒直径检测数据,并综合各控制参数进行多晶硅棒生长过程的研究,其结论能够为还原炉运行优化提供参考依据。 展开更多

关键词 多晶硅 还原炉 硅棒直径 检测 生长过程

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硅烷热分解方法中温度对硅棒质量的影响 被引量：2

19

作者 孙仲刚 于波 《河北工业科技》 CAS 2016年第1期63-67,共5页

针对采用CVD反应器的硅烷热分解工艺制备棒状高纯多晶硅的过程进行了研究。理论上研究了硅烷受热分解的过程,以及温度梯度对硅沉积的影响。从应用角度出发,研究了制备过程中棒状多晶硅致密性、能耗、硅烷转化率等方面的影响因素。通过... 针对采用CVD反应器的硅烷热分解工艺制备棒状高纯多晶硅的过程进行了研究。理论上研究了硅烷受热分解的过程,以及温度梯度对硅沉积的影响。从应用角度出发,研究了制备过程中棒状多晶硅致密性、能耗、硅烷转化率等方面的影响因素。通过降低杂质和改善硅棒外观,使生产的多晶硅棒达到了区熔级的标准,并成功区熔成晶。提出了在制备工艺中尚待优化的问题,指出采用侧面间接进气方式有利于沉积的均匀性和致密性。 展开更多

关键词 晶体学 cvd反应器 硅烷 温度梯度 表面温度 多晶硅

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多晶硅棒对还原炉径向热辐射的角系数计算与分析 被引量：6

20

作者 杨楠 杨志国 《工业加热》 CAS 2017年第2期10-13,共4页

根据多晶硅还原生产中不同的还原炉炉型、硅棒直径和排列的几何结构,采用Matlab软件编程,计算硅棒对还原炉径向热辐射的角系数。并根据获得的角系数,对还原炉径向辐射功率和还原单位径向热辐射量进行了分析和比较,为多晶硅还原炉的设计... 根据多晶硅还原生产中不同的还原炉炉型、硅棒直径和排列的几何结构,采用Matlab软件编程,计算硅棒对还原炉径向热辐射的角系数。并根据获得的角系数,对还原炉径向辐射功率和还原单位径向热辐射量进行了分析和比较,为多晶硅还原炉的设计和生产操作提供理论支持和数据参考。 展开更多

关键词 角系数 径向辐射 多晶硅 还原炉

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