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RF CMOS、BiCMOS的新进展(二)——射频-直流整流器与射频能量收集器
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期885-892,共8页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(三)——功率放大器、RF信号放大器与发射机
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第10期981-994,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RF CMOS、BiCMOS的新进展(一)——低噪声放大器与接收前端
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作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第8期757-772,共16页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RF CMOS和RF BiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RF CMOS和RF BiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RF IC发展的主要方面,凝练了各类RF IC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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RFCMOS、BiCMOS的新进展(四)——振荡器、混频器与频率综合器
4
作者 李永 赵正平 《半导体技术》 北大核心 2025年第11期1093-1106,共14页
当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等... 当今信息社会已进入通用人工智能时代,大数据呈指数规律增长,不但要求数据处理速度高速增长,同时也要求数据的传输带宽更宽,推动数据载波的频率向射频(RF)的高端发展。Si基RFCMOS和RFBiCMOS集成电路(IC)具有体积小、功耗低、易于集成等优点,相应呈现高速发展的态势。综述了Si基RFCMOS和RFBiCMOS的最新进展和发展态势,主要包括低噪声放大器与接收前端,射频-直流整流器与射频能量收集器,功率放大器、RF信号放大器与发射机,振荡器、混频器与频率综合器,移相器、开关、集成无源元件和相控阵,RF专用集成电路(ASIC)和微系统集成等七个RFIC发展的主要方面,凝练了各类RFIC的发展趋势和关键技术创新点。 展开更多
关键词 射频(RF)CMOS RF bicmos 放大器 收/发机 RF能量收集器 压控振荡器 频率综合器 移相器 相控阵 微系统集成
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面向超表面天线设计的95~105 GHz SiGe BiCMOS宽带数控衰减器
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作者 罗将 张文柱 程强 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第2期344-352,共9页
近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95... 近年来,因对电磁波具备灵活的调控能力,超表面天线技术受到来自通信、雷达以及天线领域学者的广泛关注。其中,超表面天线单元中所使用的有源调控器件,是决定整个系统性能的最关键部件之一。该文基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一个95~105 GHz的五位宽带数控衰减器芯片。该衰减器采用了反射式和简化T型两种拓扑结构,其中4 dB与8 dB反射式衰减单元采用交叉耦合宽带耦合器代替传统的3 dB耦合器或定向耦合器,同时获得了高衰减精度和低插入损耗;而0.5 dB,1 dB,2 dB三个衰减单元均采用简化T型结构。此外,利用RC正斜率和负斜率校正网络分别应用于不同的衰减单元进行相位补偿,极大地改善了衰减器的附加相移。经过仿真验证,在95~105 GHz的感兴趣工作频率内,衰减器芯片在0.12 mm^(2)的紧凑的尺寸下实现了0~15.5 dB的衰减范围,步进为0.5 dB,基态插入损耗小于2.5 dB,幅度均方根误差小于0.31 dB,附加相移均方根误差小于2.2°。所提出的W波段衰减器可作为一个关键部件赋能集成T/R的辐散一体化超表面天线系统的硬件实现。 展开更多
关键词 SiGe bicmos W波段 衰减器 交叉耦合宽带耦合器 超表面
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A 0.1-5.1 GHz high-gain LNA with inductorless composite resistor-capacitor feedback structure based on a 0.25μm SiGe BiCMOS process
6
作者 Zhouhao Zhao Qian Chen +1 位作者 Yixing Lu Haigang Feng 《Journal of Semiconductors》 2025年第8期37-44,共8页
In this paper,a high-gain inductorless LNA(low-noise amplifier)compatible with multiple communication protocols from 0.1 to 5.1 GHz is proposed.A composite resistor-capacitor feedback structure is employed to achieve ... In this paper,a high-gain inductorless LNA(low-noise amplifier)compatible with multiple communication protocols from 0.1 to 5.1 GHz is proposed.A composite resistor-capacitor feedback structure is employed to achieve a wide bandwidth matching range and good gain flatness.A second stage with a Darlington pair is used to increase the overall gain of the amplifier,while the gain of the first stage is reduced to reduce the overall noise.The amplifier is based on a 0.25μm SiGe BiCMOS process,and thanks to the inductorless circuit structure,the core circuit area is only 0.03 mm^(2).Test results show that the lowest noise figure(NF)in the operating band is 1.99 dB,the power gain reaches 29.7 dB,the S_(11)and S_(22)are less than-10 dB,the S_(12)is less than-30 dB,the IIP3 is 0.81dBm,and the OP_(1dB)is 10.27 dBm.The operating current is 31.18 mA at 3.8 V supply. 展开更多
关键词 SiGe bicmos low noise amplifier wideband inductorless integrated circuits
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SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究 被引量:4
7
作者 李培 董志勇 +4 位作者 郭红霞 张凤祁 郭亚鑫 彭治钢 贺朝会 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期200-208,共9页
随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然... 随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明,SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因.TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集.ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持. 展开更多
关键词 SiGe bicmos工艺 低噪声放大器 单粒子效应 激光模拟实验 TCAD数值模拟 ADS电路模拟
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基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路
8
作者 李飞 吴洪江 +1 位作者 龚剑 曹慧斌 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期499-504,共6页
为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提... 为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。 展开更多
关键词 采样保持电路 SiGe bicmos工艺 射极跟随型采样开关 前馈电容 馈通补偿电路
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BiCMOS三态输出门电路的设计、制备及应用 被引量:10
9
作者 成立 李彦旭 +2 位作者 董素玲 汪洋 唐平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期50-54,共5页
设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而... 设计了几种BiCMOS三态输出门电路,提出了采用先进的0.5mm BiCMOS工艺,制备所设计的三态输出门的技术要点和器件参数,并分析了它们既具有双极型(Bipolar)门电路快速、大电流驱动能力,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗和高集成度的特性,因而它们特别适用于高速缓冲数字信息系统和其它便携式数字设备中。 展开更多
关键词 bicmos 数字信息系统 双极互补金属氧化物半导体 三态输出门电路
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一种低压低功耗Flash BiCMOS SRAM的设计 被引量:8
10
作者 成立 陈照章 +3 位作者 李彦旭 董素玲 唐平 高平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期49-52,共4页
 设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下,它既保留了CMOSSRAM低功耗、高集成度的特征,又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处,因而特...  设计了一种静态随机读写存储器(SRAM)的BiCMOS存储单元及其外围电路。HSpice仿真结果表明,所设计的SRAM电路的电源电压可低于3V以下,它既保留了CMOSSRAM低功耗、高集成度的特征,又获得了双极型电路快速、大电流驱动能力的长处,因而特别适用于高速缓冲静态存储器和便携式数字电子设备的存储系统中。 展开更多
关键词 静态随机读写存储器 bicmos存储单元 SRAM 地址译码器 输入/输出电路 读出放大器
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一种新型的BiCMOS带隙基准电压源 被引量:11
11
作者 陈友福 李平 +1 位作者 刘银 罗和平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期381-384,共4页
在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路。该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10μA,具有较低的温... 在分析传统带隙基准结构的基础上,根据当前集成电路设计中对基准电源的低压、低功耗、高电源抑制比的要求,设计了一种结构比较新颖的基准电压源电路。该电路工作在电流模式,带有启动电路和电流补偿电路,静态电流约为10μA,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。 展开更多
关键词 bicmos 带隙基准 低功耗 电源抑制比
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器 被引量:7
12
作者 阮颖 陈磊 +2 位作者 田亮 周进 赖宗声 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期469-472,476,共5页
采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 ... 采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN)802.11b/g 2.4GHz频段的Class AB射频功率放大器。该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路。仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小-于20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm,最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148μm×1 140μm。 展开更多
关键词 射频功率放大器 SIGE bicmos
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一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器 被引量:13
13
作者 成立 张荣标 +1 位作者 李彦旭 董素玲 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期210-213,235,共5页
通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品... 通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 。 展开更多
关键词 施密特触发器 bicmos 全摆幅输出 双极互补金属氧化物半导体器件 延时—功耗积 超大规模集成电路
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一种2.4GHz全集成SiGe BiCMOS功率放大器 被引量:5
14
作者 阮颖 刘炎华 +1 位作者 陈磊 赖宗声 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2011年第12期3035-3039,共5页
针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极... 针对2.4 GHz 802.11 b/g无线局域网(WLAN)的应用,该文设计了一种单片全集成的射频功率放大器(PA)。由于在自适应偏置电路中采用异质结晶体管(HBT)和电容构成的简单结构提高PA的线性度,因此不增加PA的直流功耗、插损和芯片面积。在基极偏置的DC通路中采用电阻负反馈实现温度稳定功能,有效避免热崩溃的同时不引起射频损耗。采用了GRACE 0.18μm SiGe BiCMOS工艺流片,芯片面积为1.56 mm2,实现了包括所有偏置电路和匹配电路的片上全集成。测试结果表明,在2.4-2.5 GHz工作频段,PA的小信号增益S 21达23 dB,输入回波损耗S 11小于-15 dB。PA的1 dB输出压缩点的线性输出功率为19.6 dBm,功率附加效率为20%,功率增益为22 dB。 展开更多
关键词 SIGE bicmos 功率放大器 全集成 自适应偏置
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BiCMOS器件应用前景及其发展趋势 被引量:8
15
作者 王振宇 成立 +1 位作者 高平 史宜巧 《电讯技术》 北大核心 2003年第4期9-14,共6页
为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。
关键词 bicmos器件 发展趋势 混合微电子技术 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构
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多端I/O系统用BiCMOS连线逻辑电路 被引量:6
16
作者 成立 高平 +2 位作者 董素玲 李彦旭 唐平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期7-10,共4页
为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既... 为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 ?m BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数.所做实验表明了设计的连线逻辑电路既具有双极型逻辑门电路快速、大电流驱动能力的特点,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗的长处,而且其扇入数可达3~16,扇出数可达1~18,因而它们特别适用于多端I/O高速数字通信和信息处理系统中. 展开更多
关键词 多端I/O系统 bicmos 逻辑电路 高速数字信息处理系统 双极互补金属氧化物半导体器件 扇入数 扇出数 线与逻辑 线或逻辑 输入/输出通道
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一种1.8ppm/℃曲率补偿BiCMOS带隙基准源 被引量:4
17
作者 郑儒富 张波 +2 位作者 俞永康 杨永豪 陆小飞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期778-781,共4页
介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿... 介绍了一种基于BiCMOS工艺的新型温度补偿技术。该技术充分利用了PN结反向饱和电流是温度敏感函数的特性,使用简单的电路结构,达到了很好的温度特性和电源抑制性能。该电路结构产生的带隙基准电压在-40~125℃范围内使用HSPICE进行仿真,得到的温度系数仅有1.8ppm/℃。 展开更多
关键词 bicmos 温度补偿 带隙基准电压 温度系数
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采用输入信号适配技术的BiCMOS运放 被引量:3
18
作者 杨宁 成立 +3 位作者 王改 吴衍 王鹏程 王振宇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1122-1126,共5页
为了满足高性能开关电源中集成运放的应用需要,设计了一种结构简单且具有轨对轨输出的运算放大器。该运放基于0.5μm BiCMOS工艺,采用浮动输出的输入信号适配器(ISAFO),将输入信号放大至差分输入级的工作区域,从而实现了轨对轨的运行。... 为了满足高性能开关电源中集成运放的应用需要,设计了一种结构简单且具有轨对轨输出的运算放大器。该运放基于0.5μm BiCMOS工艺,采用浮动输出的输入信号适配器(ISAFO),将输入信号放大至差分输入级的工作区域,从而实现了轨对轨的运行。对所设计的运放进行了仿真分析,结果表明在工作电源电压为±0.75 V、外接100 kΩ电阻的条件下,该运放的直流开环增益达到了102 dB,单位增益-带宽为6.35 MHz,相位裕度为62.5°,而功耗仅约为150μW。所设计的运放具有很宽的共模输入范围及较高的增益,所以特别适用于开关电源的误差放大器、过流、过压和过热保护模块中。 展开更多
关键词 输入适配技术 bicmos运放 轨对轨 低功耗 开关电源
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一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的X/Ku波段数字有源移相器 被引量:2
19
作者 王巍 徐巍 +3 位作者 钟武 林涛 袁军 徐骅 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期59-63,共5页
提出了一种用于X/Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器。该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位。基于JAZZO.18μmSiGeBiCMOS工艺技术,采用CadenceSpectreRF,对电路系统进行仿真分... 提出了一种用于X/Ku波段相控阵天线系统、带数字控制电路的4位有源移相器。该移相器采用两个相位正交的输入信号的相位内插技术来合成所需要的相位。基于JAZZO.18μmSiGeBiCMOS工艺技术,采用CadenceSpectreRF,对电路系统进行仿真分析。仿真结果为:S11小于-10dB,S2z小于-11dB,S12小于-90dB,在12GHz处,所有4位相位状态的电压增益范围都是20.80~23.57dB,在整个频段内,电压增益误差的RMS小于1.1dB,噪声系数为2.82~4.45dB。在7~18GHz内,相位误差的RMS小于4°。 展开更多
关键词 有源移相器 相控阵 正交网络 智能天线 X KU波段 bicmos
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0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器 被引量:3
20
作者 严鸣 成立 +2 位作者 奚家健 丁玲 杨泽斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期110-113,121,共5页
设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设... 设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电路等。为了改善线性瞬态响应性能,在BiCMOS误差放大器的前级设置了动态电流偏置电路。由于所设计的BiCMOS带隙基准源对温度的敏感性较小,故能为LDO提供高精度的基准电压。对所设计的LDO进行了工艺流片。流片测试结果表明,该LDO可提供60 mA的输出电流且最小压差只有100 mV。测试同时验证了所设计LDO的负载和瞬态响应都得到改善:负载调整率为0.054 mV/mA,线性调整率为0.014%,而芯片面积约为0.094 mm2,因此特别适用于高精度、便携式片上电源系统。 展开更多
关键词 bicmos器件 低压差线性稳压器 带隙基准源 共源-共栅 高精度
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