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6 GHz~12 GHz 25 W宽带高效率GaN MMIC功率放大器的设计
1
作者 默立冬 白元亮 +3 位作者 朱思成 汪江涛 刘帅 范悬悬 《通讯世界》 2025年第7期1-3,共3页
采用基于碳化硅(SiC)衬底的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺,设计了一款工作频率为6 GHz~12 GHz、饱和输出功率不小于25 W(44 dBm)的宽带高效率微波功率放大器。该放大器采用3级放大电路,... 采用基于碳化硅(SiC)衬底的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)工艺,设计了一款工作频率为6 GHz~12 GHz、饱和输出功率不小于25 W(44 dBm)的宽带高效率微波功率放大器。该放大器采用3级放大电路,末级管芯采用8胞设计。采用滤波器综合方法设计得到各级匹配网络,同时对版图进行了电磁场仿真,并对平面螺旋电感进行了人工神经网络建模,最终流片制成微波功率放大器芯片。测试结果表明,在工作频带内,该放大器饱和输出功率不小于44 dBm,功率增益大于20 dB,功率平坦度小于1 dB,功率附加效率不小于35%,输入驻波比小于1.5:1,具有良好的宽带输出功率和功率附加效率特性。 展开更多
关键词 宽带 氮化镓 微波功率放大器 稳定性 人工神经网络 MMIC
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一种双频高效率功率放大器设计
2
作者 孟洋 叶小兰 《宇航计测技术》 2025年第5期85-89,共5页
为了满足两个目标频段的通信需求,提出了一种双频阻抗变换器,并在此基础上设计了一款双频高效率功率放大器。通过偏置网络与双频输出匹配网络融合的设计方法,省去偏置网络的设计过程,降低了电路复杂度,并结合谐波控制网络对谐波阻抗进... 为了满足两个目标频段的通信需求,提出了一种双频阻抗变换器,并在此基础上设计了一款双频高效率功率放大器。通过偏置网络与双频输出匹配网络融合的设计方法,省去偏置网络的设计过程,降低了电路复杂度,并结合谐波控制网络对谐波阻抗进行控制,提升功率放大器性能。对所设计的双频高效率功率放大器进行了仿真验证,仿真结果和理论设计一致性良好,在此前提下,对实物进行了测试。测试结果表明,当输入功率为30 dBm时,在频段1.67~1.85 GHz,功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE)为60.1%~81.5%,最大输出功率为42.5 dBm。在频段2.45~2.60 GHz,PAE为60.1%~72.7%,最大输出功率为43.2 dBm。 展开更多
关键词 功率放大器 高效率 谐波控制 阻抗变换器
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基于谐波调谐的C波段高效率GaN HEMT功率放大器
3
作者 李俊敏 刘英坤 +1 位作者 李通 蔡道民 《半导体技术》 北大核心 2025年第3期289-295,共7页
为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容... 为解决传统功率放大器在管壳外部进行谐波匹配,导致谐波短路传输相位不一致和谐波、基波匹配电路互相影响的问题,基于0.25μm GaN HEMT工艺,对C波段高效率预匹配功率放大器进行研究。功率放大器管壳内部HEMT输入端采用键合线和瓷片电容形成T型匹配网络来提升输入阻抗,以HEMT输出端键合线和瓷片电容分别作为电感和电容进行串联,使HEMT输出端对二次谐波短路,控制器件的电压和电流波形,提高放大器的漏极效率。管壳外部利用微带线进行阻抗变换,将输入输出阻抗匹配到50Ω。经测试,GaN HEMT功率放大器在5.8 GHz下饱和输出功率、漏极效率和功率增益分别为48.7 dBm、72%和11.3 dB。 展开更多
关键词 谐波阻抗匹配 漏极效率 GAN HEMT 功率放大器
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硅基金刚石热沉在GaN功率放大器中的应用
4
作者 黄鑫 梁宇 +3 位作者 刘佳奇 丁发柱 古宏伟 谢波玮 《半导体技术》 北大核心 2025年第6期612-618,共7页
GaN大功率器件高功率密度和不匹配的散热能力引起结温过高,导致其性能下降甚至失效,发展受限。采用硅基金刚石基板代替常规的钼铜基板作为热沉基板,研究其在器件热管理中的应用。通过COMSOL热场有限元仿真证明硅基金刚石热沉在金刚石薄... GaN大功率器件高功率密度和不匹配的散热能力引起结温过高,导致其性能下降甚至失效,发展受限。采用硅基金刚石基板代替常规的钼铜基板作为热沉基板,研究其在器件热管理中的应用。通过COMSOL热场有限元仿真证明硅基金刚石热沉在金刚石薄膜厚度为0.08 mm厚时,其散热效果与纯金刚石热沉相近。在相同小信号测试条件下,采用红外热像仪进行温度探测。结果显示钼铜热沉器件的最高分布温度为83.8℃,硅基金刚石热沉器件的最高分布温度为73.1℃,比钼铜热沉低10.7℃。随着功率器件热耗增加,硅基金刚石热沉散热能力更加突出,可代替钼铜基板,散热效果与价格昂贵的纯金刚石热沉相近。 展开更多
关键词 硅基金刚石 热沉 GAN 功率放大器 温度特性
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高效滤波Doherty功率放大器热分析研究
5
作者 温金流 李军 刘太君 《微波学报》 北大核心 2025年第3期49-56,共8页
该文基于Cree公司的CGH40025F晶体管设计了一款工作频率为2.8 GHz~3.2 GHz的高效滤波Doherty功率放大器,然后采用自然散热与热沉结构方式分别对其进行了散热分析,接着利用ANSYS和COMSOL软件分别对热沉结构进行仿真,研究了功率放大器的... 该文基于Cree公司的CGH40025F晶体管设计了一款工作频率为2.8 GHz~3.2 GHz的高效滤波Doherty功率放大器,然后采用自然散热与热沉结构方式分别对其进行了散热分析,接着利用ANSYS和COMSOL软件分别对热沉结构进行仿真,研究了功率放大器的温度分布及其产生的热应力与热形变,最后完成了功率放大器实物制作与测试。实测结果显示,该频段内的功率放大器在饱和输出功率条件下,漏极效率为53.35%~69.66%,增益为11.8 dB~12.6 dB。红外测温仪记录功率放大器功率管的最高温度为97.7℃。与两款ANSYS和COMSOL软件仿真得到的最高温度93.25℃和92.60℃相比,误差分别为4.45%和5.22%,在合理范围内,满足工程需求。 展开更多
关键词 功率放大器 热分析 滤波 热沉
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一种应用于NB-IoT通信的高线性CMOS功率放大器 被引量：1
6
作者 张家康 刘博 +2 位作者 张立文 罗怡昕 侯琳冰 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期35-40,共6页
为满足复杂的NB-IoT通信调制模式对功率放大器输出线性度的要求,提出一种面向NB-IoT通信应用的700~900 MHz高线性度CMOS功率放大器(PA)。该放大器采用两级结构,工作于AB类放大状态,驱动级和输出功率级分别采用自偏置的共源共栅结构和共... 为满足复杂的NB-IoT通信调制模式对功率放大器输出线性度的要求,提出一种面向NB-IoT通信应用的700~900 MHz高线性度CMOS功率放大器(PA)。该放大器采用两级结构,工作于AB类放大状态,驱动级和输出功率级分别采用自偏置的共源共栅结构和共源放大器结构,驱动级为功率级提供大的电压输出摆幅。为提高线性度,采用二极管线性化偏置技术改善晶体管输入电容的非线性导致的增益压缩和相位失真现象,将输出1 dB压缩点提升3.2 dB。采用65 nm/1.2 V CMOS工艺完成电路版图设计,整体放大器的版图尺寸为0.68 mm×1 mm。仿真结果表明,在700~900 MHz工作频带内,功率放大器的小信号增益大于19 dB,输入反射系数S11小于等于-12 dB,功率附加效率(PAE)峰值为29.6%,输出1 dB压缩点为22.7 dBm。所提出的功率放大器电路具有高线性度、低功耗、小尺寸的特点,可有效满足NB-IoT通信并用于700~900 MHz频段内射频信号功率放大的应用需求。 展开更多
关键词 功率放大器 NB-IoT通信 线性度 自偏置共源共栅结构 增益压缩 1 dB压缩点 PA电路版图
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基于π型谐波控制网络的高效功率放大器设计 被引量：1
7
作者 汪雅婷 杨苹 +1 位作者 王俊 白天 《现代电子技术》 北大核心 2025年第2期9-13,共5页
为了提高通信系统的工作效率,提出一种基于F类理论的π型谐波控制网络。该网络利用直流偏置电路引入二次谐波短路点,从而降低谐波控制电路的复杂度;同时,能够确保二次、三次谐波阻抗不受后续基波匹配电路的影响。为避免寄生参数对晶体... 为了提高通信系统的工作效率,提出一种基于F类理论的π型谐波控制网络。该网络利用直流偏置电路引入二次谐波短路点,从而降低谐波控制电路的复杂度;同时,能够确保二次、三次谐波阻抗不受后续基波匹配电路的影响。为避免寄生参数对晶体管芯漏极阻抗的影响,在π型谐波控制网络与晶体管之间引入L型寄生补偿电路,实现二次谐波阻抗趋近零、三次谐波阻抗趋近无穷大。为验证所设计网络的可行性,设计一款高效率F类功率放大器并进行仿真测试,结果表明在1.8~2.1 GHz工作频带内,饱和输出功率为43.21~44.84 dBm,增益为13.21~14.84 dB,功率附加效率为69.59%~73.54%。由此证明了所提出的π型谐波控制网络在高效率放大器设计中能够很好地满足各项性能指标。 展开更多
关键词 F类功率放大器 工作效率 π型谐波控制网络 谐波阻抗 L型寄生补偿电路 联合仿真
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基于IPD技术实现的L/S波段60W高增益功率放大器
8
作者 闫国庆 王毅 +5 位作者 吴志国 余若祺 银军 默江辉 斛彦生 倪涛 《通讯世界》 2025年第8期32-34,共3页
为了解决宽带功率放大器平坦度差的问题,以准单片电路技术为基础,通过一体化协同设计,对功率放大器的末级和末前级进行整体仿真调试,优化功率平坦度和最大功耗,以满足使用要求,二者构成的功率放大器子单元再通过兰格电桥合成构成平衡结... 为了解决宽带功率放大器平坦度差的问题,以准单片电路技术为基础,通过一体化协同设计,对功率放大器的末级和末前级进行整体仿真调试,优化功率平坦度和最大功耗,以满足使用要求,二者构成的功率放大器子单元再通过兰格电桥合成构成平衡结构。整个功率放大器封装尺寸为26 mm×27 mm×5 mm。测试结果显示,功率放大器饱和输出功率为59.1~79.2 W,功率附加效率大于37.5%,最高功率附加效率达到了50.7%。该结果可为相关技术人员提供参考。 展开更多
关键词 氮化镓 功率放大器 无源集成元件
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低压Si基GaN功率放大器在移动终端的首次产业化应用
9
作者 韩程浩 吴少兵 +6 位作者 张健 章军云 李晓鹏 汪流 仲张峰 陈堂胜 陶洪琪 《固体电子学研究与进展》 2025年第5期F0003-F0003,共1页
南京电子器件研究所聚焦6英寸(150 mm)0.25μm Si-GaN HEMT工艺开发,突破大失配异质外延引起的大翘曲和高位错密度、低压工作制约Si基GaN器件输出功率密度、宽带高回退效率电路设计和量产一致性等难题,构建了高均匀一致的6英寸Si基GaN... 南京电子器件研究所聚焦6英寸(150 mm)0.25μm Si-GaN HEMT工艺开发,突破大失配异质外延引起的大翘曲和高位错密度、低压工作制约Si基GaN器件输出功率密度、宽带高回退效率电路设计和量产一致性等难题,构建了高均匀一致的6英寸Si基GaN工艺平台,成功研制了首款终端用高效率Si基GaN射频芯片(如图1所示)。图2测试结果显示,在n77频段额定输出功率下,附加效率40~42%,增益31.8~34 dB,ACPR经过数字预失真技术(Digital pre-distortion,DPD)后小于-38 dBc(如图3所示),满足通信要求。 展开更多
关键词 移动终端 低压功率放大器 Si基GaN
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一款0.1 GHz~3.0 GHz线性功率放大器芯片设计
10
作者 汪江涛 陈晓宇 +2 位作者 刘帅 蔡道民 吴磊 《中国新技术新产品》 2025年第20期1-4,共4页
本文利用0.35μm砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管(Gallium Arsenide Enhancement-mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,GaAs E-PHEMT)工艺,研制了一款线性功率放大器芯片。使用堆叠场效应晶体管(Stacked Field-Ef... 本文利用0.35μm砷化镓增强型赝配高电子迁移率晶体管(Gallium Arsenide Enhancement-mode Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,GaAs E-PHEMT)工艺,研制了一款线性功率放大器芯片。使用堆叠场效应晶体管(Stacked Field-Effect Transistor,Stacked-FET)结构保证电路的增益和功率指标;采用源极负反馈、最佳偏置等技术实现高线性指标;芯片集成了有源偏置电路,温度稳定性更好。芯片的测试结果表明,功率放大器小信号增益>18 dB,P_(-1)>30 dBm,OIP_(3)>45 dBm。 展开更多
关键词 功率放大器 高线性 有源偏置 负反馈 Stacked-FET
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一种双波段GaN高效率功率放大器
11
作者 杨琳 张龙龙 +3 位作者 高瑞龙 杨云飞 王金晓 张秀清 《现代电子技术》 北大核心 2025年第20期45-50,共6页
近年来,随着无线通信技术的飞速发展,对多频段通信系统的需求日益增加。为此,提出一种双频段功率放大器设计方法,并基于该方法设计一个GaN基P/S波段双频功率放大器。该放大器采用含级间匹配网络(ISMN)和输入匹配网络(IMN)来实现功放的... 近年来,随着无线通信技术的飞速发展,对多频段通信系统的需求日益增加。为此,提出一种双频段功率放大器设计方法,并基于该方法设计一个GaN基P/S波段双频功率放大器。该放大器采用含级间匹配网络(ISMN)和输入匹配网络(IMN)来实现功放的双频带功能。输出匹配网络(OMN)采用电容自谐振的理论设计,电容为功放信号提供短路点,从而实现电路在双频段的稳定工作。仿真结果表明:当频率为P波段时,放大器小信号增益大于29.4 dB,饱和输出功率(Psat)大于40.2 dBm,功率附加效率(PAE)为62%~66.2%;当频率为S波段时,放大器具有大于29.7 dB的小信号增益,超过39.1 dBm的饱和输出功率以及52.3%~66.3%的PAE。 展开更多
关键词 GAN 功率放大器 双频段 级间匹配网络 输入匹配网络 功放信号
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基于滤波结构的宽带Doherty功率放大器的设计
12
作者 王坤 程知群 +4 位作者 贾民仕 朱浙鸣 钟保全 李冰鑫 杨正好 《微波学报》 北大核心 2025年第1期16-20,97,共6页
本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计,耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成,以增强带外抑制效果。这种结构不仅... 本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计,耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成,以增强带外抑制效果。这种结构不仅提高了效率,而且拓宽了带宽。使用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件设计和实现了Doherty功率放大器,验证了其宽带特性。在1.6 GHz~2.4 GHz频段内,实现了7.7 dB~9.9 dB的饱和增益和43.1 dBm~44.7 dBm的饱和功率,在功率回退6 dB和饱和功率时的漏极效率分别为50.1%~58.8%和59.9%~73.3%。 展开更多
关键词 宽带 扩展连续F类 DOHERTY功率放大器 带通滤波 后匹配网络
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基于扩展连续B/J类的带宽增强功率放大器设计
13
作者 杨正好 程知群 +4 位作者 贾民仕 王坤 钟保全 朱浙鸣 李冰鑫 《微波学报》 北大核心 2025年第1期10-15,25,共7页
介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点... 介绍了一种基于扩展连续B/J类模式的宽带高效率功率放大器的设计。提出了一种带宽增强双路径阻抗匹配技术,将连续的B/J类模式进行扩展,以实现电阻性二次谐波阻抗为设计目标,并与带宽可扩展的双枝节调谐网络相结合,通过同时操纵4个频率点,在宽频段内实现最佳的二次谐波阻抗匹配,从而实现了功率放大器的带宽扩展和效率提高。为了验证所提出的设计理论,设计并制备了一个多倍频程的功率放大器,采用10 W氮化镓高电子迁移率晶体管器件,对设计思想进行了验证。所实现的功率放大器在0.45 GHz~2.55 GHz带宽范围内的相对带宽为140%。带内实现了39.3 dBm~42.4 dBm的输出功率、61.2%~76.7%的漏极效率和9.3 dB~12.4 dB的增益。 展开更多
关键词 扩展连续B/J类 宽带高效率 功率放大器 多倍频程 氮化镓
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E波段高效率GaN功率放大器MMIC
14
作者 廖龙忠 何美林 +3 位作者 毕胜赢 梅崇余 周国 付兴中 《微纳电子技术》 2025年第9期11-16,共6页
研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/... 研制了一款E波段高效率GaN功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。通过优化器件结构、GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料结构,采用电子束T型栅工艺,制备了栅长0.1μm的4×25μm GaN HEMT。测试结果表明,该器件最大饱和电流密度为1.2 A/mm,峰值跨导为540 mS/mm,小信号下测试截止频率fT和最大振荡频率f_(max)分别为110 GHz和240 GHz。采用上述工艺设计了GaN功率放大器MMIC,在工作电压18 V、电流密度200 mA/mm的测试条件下,在71~78 GHz频段内,其饱和输出功率为33.0~33.5 dBm,饱和输出功率密度达到2.49 W/mm,功率附加效率大于14.8%,功率附加效率最大值达到21.1%,线性增益大于19.0 dB。该MMIC可广泛用于5G通信发射前端。 展开更多
关键词 5G通信 T型栅 高效率 GaN功率放大器 单片微波集成电路(MMIC)
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基于滤波网络综合的宽带功率放大器设计
15
作者 姚小江 周图镔 丛密芳 《微波学报》 北大核心 2025年第3期45-48,56,共5页
提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物... 提出了一种滤波匹配网络的功率放大器设计方法。该方法将高阶匹配网络转换为具有晶体管寄生输出电容和寄生封装电感的低阶无源匹配网络,从而实现了更加紧凑的面积。为了验证所提出设计方法的可行性,设计了一款超宽带横向扩散金属氧化物半导体功率放大器进行验证。测试结果:在300 MHz~900 MHz范围内,其输出功率在49.3 dBm~50.9 dBm之间,漏极效率为50%~68%。此外,利用W-CDMA信号对电路进行了线性度指标测试:在44 dBm的输出功率下,整个带宽的邻信道功率比值低于-43 dBc,在48 dBm的输出功率下,其仍然能够维持在-30 dBc左右。实验结果表明,所提出的网络综合方法在超宽带功率放大器的设计中能够很好地满足各项性能指标,因此用于宽带设计具有一定优势。 展开更多
关键词 功率放大器 超宽带 滤波网络 横向扩散金属氧化物半导体
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基于阻抗拟合的频率可重构功率放大器设计
16
作者 林韬 于翠屏 刘元安 《太赫兹科学与电子信息学报》 2025年第7期742-747,共6页
本文实现了一种高效率频率可重构AB类功放,通过阻抗拟合算法优化匹配结构,实现了不同频率条件下的复阻抗与50Ω输出负载阻抗的同步匹配,提升漏极效率(DE)并拓展了带宽。测试结果表明,在2.2~2.6 GHz的400 MHz内,饱和输出功率为39.74~42.0... 本文实现了一种高效率频率可重构AB类功放,通过阻抗拟合算法优化匹配结构,实现了不同频率条件下的复阻抗与50Ω输出负载阻抗的同步匹配,提升漏极效率(DE)并拓展了带宽。测试结果表明,在2.2~2.6 GHz的400 MHz内,饱和输出功率为39.74~42.05 dBm,漏极效率为62.29%~76.19%;在3.1~3.5 GHz的400 MHz内,饱和输出功率为41.03~42.71 dBm,漏极效率为46.91%~71.19%。 展开更多
关键词 频率可重构 阻抗拟合 功率放大器 漏极效率
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基于新型带宽拓展技术的Doherty功率放大器MMIC设计
17
作者 杨琳 付星源 +5 位作者 刘世华 郭彦辰 高瑞龙 王保柱 张明 侯卫民 《微电子学与计算机》 2025年第2期77-85,共9页
为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MM... 为突破传统Doherty功率放大器(Doherty Power Amplifier,DPA)带宽的限制,提出了一种新型带宽拓展技术,包括对主辅两路有源负载调制网络和相位补偿网络的创新性设计,使得DPA单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)在保持高效率输出的同时,实现宽频带内充分的负载调制。为了验证所提出的设计方法,设计了一款应用于5G大规模MIMO(Multiple Input Multiple Output,多输入多输出)应用的新型高效率宽带非对称氮化镓DPA MMIC。测试结果表明,所设计的DPA芯片在4.5~5.5 GHz范围内可达到39.2~40.6 dBm的饱和输出功率(Saturation Output Power,记为P_(sat))。饱和时的功率附加效率(Power Added Efficiency,PAE,记为P_(AE))为45.2%~51.1%,在输出功率回退6 dB时可实现40.1%~45.0%的P_(AE),小信号增益为12.7~13.9 dB。所提出的DPA在已发表的C波段宽带氮化镓DPA中展示了较高的饱和及6 dB回退P_(AE)。 展开更多
关键词 DOHERTY功率放大器 氮化镓 单片微波集成电路 宽带
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基于中波广播发射机的功率放大器研究 被引量：2
18
作者 周明金 潘锐 +3 位作者 王茜 马淑莲 彭涛 左江红 《电声技术》 2025年第2期166-168,共3页
为研究功率放大器在中波广播发射机中的应用,概述其定义、特点及工作原理,并分析其在应用中存在的谐波干扰、过热、失真及效率低等问题,提出了优化电路设计、加强散热措施、完善保护措施及定期检测维护等提升功率放大器工作质量的意见... 为研究功率放大器在中波广播发射机中的应用,概述其定义、特点及工作原理,并分析其在应用中存在的谐波干扰、过热、失真及效率低等问题,提出了优化电路设计、加强散热措施、完善保护措施及定期检测维护等提升功率放大器工作质量的意见建议。 展开更多
关键词 中波广播发射机 功率放大器 工作原理 质量提升
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一种基于耦合线功率合成的Ka波段功率放大器
19
作者 孙晗 杨晓政 何进 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期61-66,共6页
基于55 nm RF CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的Ka波段功率放大器(Power amplifier,PA)。该PA创新性地采用了基于非对称耦合线的功率合成网络。该网络能够被用于金属层厚度差异较大的工艺,而且具有易于设计、低损耗的特点,有利... 基于55 nm RF CMOS工艺设计了一款应用于5G毫米波通信的Ka波段功率放大器(Power amplifier,PA)。该PA创新性地采用了基于非对称耦合线的功率合成网络。该网络能够被用于金属层厚度差异较大的工艺,而且具有易于设计、低损耗的特点,有利于提高PA输出功率。此外,本文提出的自适应偏置电路能够根据输入信号功率的大小改变PA的栅极偏置,从而抑制增益压缩效应,提高PA线性度。仿真结果表明,该PA的小信号增益的-3 dB带宽为25.0~28.8 GHz。在1.8 V电源电压下,PA的峰值小信号增益、饱和输出功率和输出1 dB压缩点分别为20.1 dB、19.3 dBm和17.6 dBm。PA的最大功率附加效率为17.1%,核心面积为0.18 mm2。 展开更多
关键词 5G 毫米波 功率放大器 耦合线 分布式巴伦 自适应偏置
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微波功率放大器在卫星通信中的应用与挑战研究
20
作者 唐进 王腾飞 +1 位作者 孙伟 宣扬 《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》 2025年第3期170-173,共4页
在卫星通信中微波功率放大器扮演着重要角色,影响信号的传输能力、效率及稳定性。随着卫星通信的不断进步,对于放大器的性能要求也日益提升。故此,文章探讨了微波功率放大器在卫星通信中的应用现状,具体分析了其当前面临的多种挑战,如... 在卫星通信中微波功率放大器扮演着重要角色,影响信号的传输能力、效率及稳定性。随着卫星通信的不断进步,对于放大器的性能要求也日益提升。故此,文章探讨了微波功率放大器在卫星通信中的应用现状,具体分析了其当前面临的多种挑战,如空间复杂电磁环境、热散耗等。针对这些挑战,提出了一系列对策建议,旨在进一步提高微波功率放大器的综合性能,促进我国卫星通信事业繁荣发展。 展开更多
关键词 卫星通信 微波功率放大器 热散耗 抗干扰设计
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