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分子束外延InAlSb/InSb晶体的质量研究 被引量：5
1
作者 刘铭 周朋 +2 位作者 尚林涛 邢伟荣 周立庆 《红外》 CAS 2014年第11期15-19,共5页
InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体... InAlSb/InSb薄膜材料的晶体质量会直接影响器件的性能。提高薄膜材料的晶体质量可以有效降低器件的暗电流,提高探测率和均匀性等。主要报道了掺铝锑化铟分子束外延技术的初步研究结果。通过采用多种测试方法对InAlSb分子束外延膜的晶体质量进行了分析,找出了影响晶体质量的因素,提高了InAlSb分子束外延的技术水平。实验结果表明,通过优化生长温度、束流比、升降温速率以及退火工艺等生长条件,可以获得高质量的InAlSb分子束外延膜。 展开更多
关键词 inalsb 分子束外延 表面形貌 应变驰豫
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倒角参数对InSb晶片倒角边缘质量的影响
2
作者 郝舒琪 董涛 +2 位作者 赵超 折伟林 王小龙 《电子工艺技术》 2026年第1期17-19,24,共4页
InSb材料性质软脆,InSb晶片边缘质量对后续加工成品率影响显著,倒角工艺参数是影响晶片边缘质量的关键因素。对比了内圆、多线两种切割工艺切割的InSb晶片在倒角后的边缘质量差异,并对不同参数下多线切晶片的倒角边缘进行了显微观察,分... InSb材料性质软脆,InSb晶片边缘质量对后续加工成品率影响显著,倒角工艺参数是影响晶片边缘质量的关键因素。对比了内圆、多线两种切割工艺切割的InSb晶片在倒角后的边缘质量差异,并对不同参数下多线切晶片的倒角边缘进行了显微观察,分析了倒角进给量、吸盘转速、吸盘直线速度、砂轮转速等倒角参数对倒角边缘质量的影响机制,确定了适用于2英寸InSb晶片倒角工艺的最佳参数组合,为提高后续加工成品率及实现晶片加工工程化奠定基础。 展开更多
关键词 锑化铟晶片 倒角参数 倒角质量 砂轮转速
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外延型InSb(InAlSb)探测器工艺分析
3
作者 尚林涛 师景霞 +1 位作者 温涛 赵建忠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2021年第3期265-273,共9页
结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延材料(尤其是InAlSb)确实具有低暗电流、噪声抑制、高工作温度和温度稳定性优势,但材料中存在的较多缺陷... 结合相关文献对近年来InSb基MBE外延InSb(InAlSb)材料工艺及器件性能进行了梳理分析和总结,对还存在的问题进行了探讨。InSb基外延材料(尤其是InAlSb)确实具有低暗电流、噪声抑制、高工作温度和温度稳定性优势,但材料中存在的较多缺陷影响了探测器的信号电流、探测率、响应率和电阻。分子(原子)氢脱氧技术、生长温度和V/III比等工艺参数优化可以降低材料表面缺陷,提高像元的均匀一致性;继续优化材料结构和掺杂,可以提高探测器的信号响应和工作温度;继续优化刻蚀等器件工艺可为外延型大面阵焦平面阵列制备奠定基础。 展开更多
关键词 insb inalsb MBE 暗电流 高温工作
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InSb1280×1024中波红外探测器研制进展
4
作者 宁提 米南阳 +3 位作者 李忠贺 黄婷 李春领 康键 《激光与红外》 北大核心 2025年第9期1331-1335,共5页
第三代InSb红外探测器主要以更大面阵规格和更小像元间距为发展方向。本文介绍了中国电科十一所在InSb 1280×1024中波红外探测器的研制进展。通过优化InSb器件的PN结浓度、设计小尺寸低噪声读出电路、突破大面阵InSb混成芯片工艺,... 第三代InSb红外探测器主要以更大面阵规格和更小像元间距为发展方向。本文介绍了中国电科十一所在InSb 1280×1024中波红外探测器的研制进展。通过优化InSb器件的PN结浓度、设计小尺寸低噪声读出电路、突破大面阵InSb混成芯片工艺,成功研制出25μm、15μm、和10μmInSb 1280×1024中波红外探测器组件。更大的阵列规模以及更小的像元间距满足了光电系统高分辨、小型化、低功耗的要求。这三款探测器可以用于制导、导弹预警、7×24 h安全监控等领域。 展开更多
关键词 锑化铟 第三代红外探测器 1280×1024 10μm 倒装互连
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高工作温度InAlSb红外探测器的研究进展 被引量：5
5
作者 陈刚 孙维国 吕衍秋 《红外》 CAS 2016年第2期1-6,21,共7页
概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,I... 概括了国外InAlSb红外探测器的研究现状、材料性质以及发展趋势,并介绍了几种不同的器件结构及其性能情况。InAlSb/InSb红外探测器的设计目标主要是通过抑制暗电流来提高探测器的工作温度。近年来,基于传统InSb探测器的成熟工艺与技术,InAlSb探测器的性能得到了不断提升。该研究对红外制导、预警等军事领域具有重要的研究意义和应用价值。 展开更多
关键词 高工作温度 红外探测器 inalsb/insb 分子束外延
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InSb凝视红外焦平面组件研制和应用 被引量：19
6
作者 陈伯良 孙维国 +7 位作者 梁平治 郑志伟 王正官 朱晓池 江美玲 龚启兵 丁瑞军 黄水安 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2002年第5期419-423,共5页
研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%... 研制成功了采用光伏InSb二极管列阵工艺、直接注入Si CMOS读出电路、微型玻璃杜瓦和微型节流制冷机的 6 4× 6 4元InSb红外焦平面组件。焦平面组件平均探测率约 1× 10 11cmHz1 2 W-1,平均量子效率约 72 %,响应率非均匀性约 18%,无效像元率约 0 .5 %。其性能参数满足红外成像制导的技术要求 ,已成功进行了凝视红外成像探测系统外场试验。 展开更多
关键词 insb 焦平面列阵 铟锑合金 红外探测 信号读出
原文传递
InSb红外焦平面探测器结构应力的ANSYS分析 被引量：21
7
作者 孟庆端 吕衍秋 +1 位作者 鲁正雄 孙维国 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期431-434,共4页
借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应... 借助有限元软件系统分析了铟柱取不同直径时红外探测器整体结构的应力分布.模拟结果表明,在固定铟柱高度的前提下,当铟柱直径以2μm的步长从36μm减小到18μm的过程中,InSb芯片上的最大应力值呈现出先减小,后线性增加的趋势,但铟柱上应力最大值始终保持在15.7MPa左右,且分布几乎不变.S i读出电路上的应力小于InSb芯片上的应力值,变化趋势类同于InSb芯片上应力的变化趋势.铟柱直径取30μm时,InSb芯片和S i读出电路上的应力均达到最小值260MPa和140MPa,整个器件的应力分布在接触区呈现明显的集中性、均匀性,分布更合理. 展开更多
关键词 ANSYS 焦平面 insb 结构应力
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高温工作InAlSb的MBE生长及器件性能研究 被引量：2
8
作者 尚林涛 温涛 +4 位作者 王经纬 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期329-335,共7页
接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In_(1-x)Al_xSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In_(1-x)Al_xSb薄膜... 接近室温的更高工作温度是第三代红外探测器发展的重要方向。本文论述了用MBE在InSb(100)衬底上外延生长制备P-i-N型三元In_(1-x)Al_xSb薄膜合金材料,并通过制备单元器件进行了验证。采用RHEED振荡和X射线双晶衍射对In_(1-x)Al_xSb薄膜的Al组分进行了调控和检测。5.3μm厚薄膜的FWHM≈50 arcsec,Al组分约1.9%。10μm×10μm原子力表面粗糙度RMS≈0.6 nm。制备的单元器件获得了预期的理想效果,为下一步面阵焦平面的制备奠定了基础。 展开更多
关键词 insb inalsb 高温工作 MBE 暗电流
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InSb薄膜分子束外延技术研究 被引量：9
9
作者 刘铭 程鹏 +4 位作者 肖钰 折伟林 尚林涛 巩锋 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第11期1256-1259,共4页
InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双... InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。 展开更多
关键词 insb外延膜 分子束外延 晶体质量 128×128
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MBE外延InSb基CdTe工艺研究 被引量：6
10
作者 王丛 刘铭 +2 位作者 王经纬 尚林涛 周立庆 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期474-478,共5页
成功制备了CdTe/InSb复合衬底,为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题,使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题,在常用的退火工艺下,通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。
关键词 MBE CdTe/insb RHEED In扩散 SIMS
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InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究 被引量：7
11
作者 徐君 姚恩涛 +2 位作者 周克印 田贵云 李洪海 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期865-869,共5页
脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,... 脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。 展开更多
关键词 脉冲涡流 insb磁敏电阻 裂纹
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高质量InSb薄膜的MBE同质和异质外延生长 被引量：3
12
作者 尚林涛 周翠 +4 位作者 沈宝玉 周朋 刘铭 强宇 王彬 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期352-357,共6页
InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10... InSb是3~5μm中波红外波段具有重要研究意义的材料。本文以单位内部生产的InSb(100)衬底为基础,通过摸索InSb(100)衬底的脱氧、生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比,获得了高质量的InSb同质外延样品,1.5μm样品的表面粗糙度RMS≈0.3 nm(10μm×10μm),FWHM≈7 arcsec;采用相同的生长温度和Ⅴ/Ⅲ束流比并采用原子层外延缓冲层的方法在GaAs(100)衬底上异质外延生长本征InSb层,获得了较高质量的异质外延InSb样品,1.5μm样品的室温电子迁移率高达6.06×10~4cm^2V^(-1)s^(-1),3μm的样品最好的FWHM低至126 arcsec。InSb材料的同质和异质外延优化生长可为高温工作掺Al的InSb器件结构的优化生长提供重要参考依据。 展开更多
关键词 insb insb/GaAS 分子束外延 同质外延 异质外延
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InSb晶片材料性能表征与机理分析 被引量：6
13
作者 巩锋 程鹏 +2 位作者 吴卿 折伟林 陈元瑞 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期1146-1148,共3页
对2 in InSb(111)晶片材料位错密度、X光形貌、X射线双晶衍射半峰宽和电学参数进行了整片均匀性测试表征。结果表明材料整体性能极佳,并结合InSb晶体生长原理对晶片材料位错密度、掺杂浓度区域性分布进行了深层机理分析。
关键词 insb晶片材料 性能表征 区域分布 机理分析
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InAlSb红外光电二极管性能研究 被引量：2
14
作者 朱旭波 李墨 +3 位作者 陈刚 张利学 曹先存 吕衍秋 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期86-90,共5页
在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并... 在InSb衬底上利用分子束外延生长了p-i-n结构的InAlSb/InSb材料,通过在吸收层和接触层之间生长宽禁带的InAlSb势垒层,验证了势垒层对耗尽层中暗电流的抑制作用。分别基于外延生长的InAlSb材料和InSb体材料,借助标准工艺制备出二极管,并对其电性能进行测量分析,研究发现:77K温度时,在-0.1V的外偏电压下,p+-p+-n--n+结构和p+-n--n+结构InAlSb器件的反偏电流分别为3.4×10^(-6)A·cm^(-2)和7.8×10^(-6)A·cm^(-2)。基于p+-p+-n--n+结构研制的InAlSb二极管的暗电流保持在一个很低的水平,这为提高红外探测器的工作温度提供了重要基础。 展开更多
关键词 inalsb insb 钝化 高工作温度 红外探测器
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InSb 精密角位移传感器的研究 被引量：8
15
作者 胡明 张之圣 刘志刚 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1998年第2期1-3,共3页
本文介绍了以磁阻效应为工作原理的ＩｎＳｂ精密角位移传感器的设计和制作。这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长。性能测试结果表明，在±１２°范围内，其分辨率达０．
关键词 insb 磁阻效应 角位移传感器 悬臂梁 传感器
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溅射法制备InSb薄膜工艺探索——In与Sb的原子比问题 被引量：4
16
作者 温作晓 孙承松 +2 位作者 魏永广 关艳霞 周立军 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2001年第7期35-36,共2页
介绍一种基于原子比为 1:1的InSb靶制备原子比为 1:1的InSb薄膜的方法 ,实验结果表明 。
关键词 溅射 insb薄膜 原子比 磁敏元件 磁敏传感器
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InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究 被引量：6
17
作者 张国栋 徐淑丽 +2 位作者 赵鸿燕 朱炳金 李小宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2009年第9期948-951,共4页
利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损... 利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。 展开更多
关键词 insb 感应耦合等离子 反应刻蚀 台面形貌 I-V曲线
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激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤 被引量：6
18
作者 赵建君 宋春荣 +1 位作者 张灵振 牛燕雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1008-1012,共5页
在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光... 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合. 展开更多
关键词 热损伤 insb(PV)型探测器 高斯光束 损伤阈值
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高Al组分In_(1-x)Al_x Sb/InSb的MBE生长研究 被引量：1
19
作者 尚林涛 刘铭 +2 位作者 周朋 邢伟荣 沈宝玉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期976-979,共4页
高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100）衬底高Al组分的In_（1-x）Al_xSb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分（约12.5%）... 高Al（10%~15%）组分的In_（1-x）Al_xSb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb（100）衬底高Al组分的In_（1-x）Al_xSb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分（约12.5%）并讨论了Al组分梯度递变的In_（1-x）Al_xSb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。 展开更多
关键词 insb(100) 高铝 inalsb 薄膜生长
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表面预处理对InSb钝化层界面的影响 被引量：4
20
作者 肖钰 史梦然 +1 位作者 宁玮 段建春 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第8期902-905,共4页
本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb衬底和钝化层之间的界面性能,... 本文介绍了采用不同的方法对InSb表面进行表面预处理,来改善InSb钝化膜层的电学性能。通过对InSb MIS结构进行C-V测试来评价不同方法预处理制备的钝化结构的电学特性。结果表明等离子预处理能明显改善InSb衬底和钝化层之间的界面性能,尤其是选用N2O等离子预处理InSb衬底表面,在控制界面陷阱和减少钝化层固定电荷方面,效果更明显,有利于提高InSb红外器件的可靠性。 展开更多
关键词 insb 钝化 预处理 C—V
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