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钽薄膜淀积速率与阻挡效果的研究 被引量：3
1
作者 庞恩文 林晶 +3 位作者 吉小松 汪荣昌 戎瑞芬 宗祥福 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期185-188,共4页
在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜... 在硅衬底上用不同淀积速率溅射得到了 60 nm厚钽薄膜作为铜布线工艺中的扩散阻挡层。样品在退火前后 ,用二次离子质谱仪 (SIMS)对钽膜的阻挡效果进行鉴定 ,原子力显微镜 (AFM)分析了钽薄膜的形貌结构。研究发现不同淀积速率制作的钽膜由于其结构的差异对铜硅互扩散有着不同的阻挡效果 ,并提出样品在退火时 。 展开更多
关键词 钽薄膜 淀积速率 阻挡效果 铜布线 超大规模集成电路
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反溅射再淀积现象研究 被引量：1
2
作者 陈华伦 《微电子技术》 1996年第1期46-48,共3页
本文对经反溅射（Sputter-etch）处理的Al片，进行SEM剖面观察，发现了反溅射的再淀积现象，对再淀积现象做了对比实验。
关键词 反溅射 再淀积现象 集成电路 超大规模
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反溅射再淀积现象的探讨
3
作者 杨文 陈海峰 +1 位作者 严玮 毛志军 《微电子技术》 1997年第5期57-59,共3页
本文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试，验证了反溅射再淀积现象的存在，并通过对比实验，分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响。
关键词 反溅射 再淀积现象 超大规模 集成电路
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大规模集成电路用溅射靶
4
作者 韩庆康 《上海钢研》 2001年第1期42-43,共2页
1、半导体LSI(大规模集成电路)元件是由薄膜构成的,薄膜技术在其中起着重要的作用。薄膜材料的来源是靶。随着LSI的高功能化和需求量扩大,迅速开发了多种多样的靶材料。
关键词 大规模集成电路 溅射靶 LSI
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