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用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术研究 被引量：12
1
作者 张正元 徐世六 +2 位作者 刘玉奎 杨国渝 税国华 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期519-521,共3页
　针对用于MEMS的硅湿法深槽刻蚀技术,对KOH腐蚀液的配方、掩蔽技术等关键技术进行了研究,获得了优化的KOH腐蚀条件;利用该技术,成功地刻蚀出深度高达315μm、保护区域完好的深槽。为硅基MEMS体加工获得微机械结构提供了一个好方法。
关键词 湿法腐蚀 深槽刻蚀 掩蔽 MEMS 微机械结构
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微波ECR等离子体刻蚀系统 被引量：9
2
作者 徐新艳 汪家友 +2 位作者 杨银堂 李跃进 吴振宇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第5期385-388,共4页
研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2... 研制成功了一台微波电子回旋共振等离子体刻蚀系统。该系统采用微波通过同轴开口电介质空腔产生表面波 ,由Nd Fe B永磁磁钢形成高强磁场 ,通过共振磁场区域内的电子回旋共振效应产生大面积、均匀、高密度等离子体。利用该系统实现了SiO2 、SiN、SiC、Si等材料的微细图形刻蚀 ,刻蚀速度分别为 2 0 0nm/min ,5 0 0nm/min ,4 0 0nm/min ,70 0nm/min ,加工硅圆片Φ2 0 0mm ,线条宽度 <0 3μm ,选择性 (SiO2 、Si) >2 0 ,剖面控制 >83° ,均匀性 95 % ,等离子体密度 2 0× 10 11cm-3 。电离度大(>10 % ) ,工作气压低 (1Pa～ 10 -3 Pa) ,均匀性好 ,工艺设备简单 ,参数易于控制等优点。 展开更多
关键词 微波电子回旋共振等离子体 刻蚀 同轴腔体 集成电路 制造工艺
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PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究 被引量：3
3
作者 娄利飞 肖斌 +2 位作者 汪家友 杨银堂 李跃进 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期555-558,598,共5页
以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率... 以SF6和SF6+Ar为刻蚀气体,采用电子回旋共振等离子体刻蚀工艺成功地对溶胶-凝胶工艺制备的锆钛酸铅铁电薄膜进行了有效的刻蚀去除.研究了不同气体总流量、混合比、微波功率等因素对刻蚀速率的影响,指出当气体混合比约为20%时,刻蚀速率达到最大值.锆钛酸铅铁电薄膜表面组份XPS能谱分析曲线表明,在SF6和SF6+Ar气体中,被刻蚀后样品的Pb含量大大减少,TiO2的刻蚀是限制锆钛酸铅铁电薄膜刻蚀速率的主要因素. 展开更多
关键词 电子回旋共振 等离子体刻蚀 锆钛酸铅 凝胶-溶胶工艺
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原子层热电堆热(光)电探测器的原理及研究现状 被引量：3
4
作者 王勇 虞澜 +2 位作者 陈思功 晏国文 张鹏翔 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期33-37,46,共6页
概述了基于晶体的各向异性Seebeck效应的原子层热电堆热(光)电探测器的基本原理和优点,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了该类型探测器的国内外研究现状,预测了原子层热电堆探测器在新材料、材料维度和新热源探索等的发... 概述了基于晶体的各向异性Seebeck效应的原子层热电堆热(光)电探测器的基本原理和优点,并从材料体系的选择和器件的主要应用等方面阐述了该类型探测器的国内外研究现状,预测了原子层热电堆探测器在新材料、材料维度和新热源探索等的发展方向。 展开更多
关键词 各向异性Seebeck效应 原子层热电堆 热电探测器 光电探测器
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氮化硅等离子体刻蚀工艺研究 被引量：5
5
作者 曲鹏程 唐代飞 +1 位作者 向鹏飞 袁安波 《电子科技》 2017年第8期153-155,共3页
针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择... 针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损伤的问题。为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比,采用CF4,CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅,通过调整气体流量比、腔内压强及功率,研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响。实验表明,在CH,F流量为25,O2流量为40 sccm,腔内压强为67 Pa,功率为150 W的条件下,得到氮化硅对二氧化硅选择比为15∶1,非均匀性3.87%的氮化硅刻蚀工艺。 展开更多
关键词 氮化硅 二氧化硅 等离子体刻蚀 选择比
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Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀InP工艺研究 被引量：9
6
作者 朱海波 李晓良 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期377-380,共4页
采用C l2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀。讨论了直流自偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响。结果表明C l2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素。当C l2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学... 采用C l2/Ar感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀。讨论了直流自偏压、ICP功率、气体总流量和气体组分等因素对刻蚀速率和粗糙度的影响。结果表明C l2/Ar气体组分是决定刻蚀效果的重要因素。当C l2含量为30%左右时,刻蚀中的物理溅射与化学反应过程趋于平衡,刻蚀速率处于峰值区,同时刻蚀粗糙度也可达到最小值。SEM照片显示刻蚀表面光洁,侧壁陡直。 展开更多
关键词 干法刻蚀 感应耦合等离子体 INP 刻蚀速率 粗糙度
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等离子体刻蚀的数学模型 被引量：2
7
作者 黄光周 周亮笛 +2 位作者 于继荣 杨英杰 郝尧 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期419-422,共4页
介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
关键词 数学模型 等离子体刻蚀 物理模型 集成电路制造
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ICP技术在化合物半导体器件制备中的应用 被引量：7
8
作者 姚刚 石文兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期474-477,485,共5页
介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用,包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等,并对影响ICP刻蚀结果的因素进行了分析。研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功... 介绍了ICP刻蚀工艺技术原理和在化合物半导体器件制备中的应用,包括ICP刻蚀技术中的低温等离子体的形成机理、等离子体与固体表面的相互作用等,并对影响ICP刻蚀结果的因素进行了分析。研究了不同的工艺气体配比、腔体工作压力、ICP源功率和射频源功率对刻蚀的影响,并初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性较好和刻蚀速率较高的干法刻蚀工艺。 展开更多
关键词 等离子体 感应耦合等离子 刻蚀
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微流控芯片表面修饰及在蛋白质富集中的应用 被引量：1
9
作者 刘康栋 邹志清 +4 位作者 冉瑞 庄贵生 金庆辉 赵建龙 杨梦苏 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期49-53,共5页
应用分子自组装技术,在SiO2表面衍生活泼醛基,在SiO2表面有125nm的衍生物,衍生的醛基和氨基发生共价反应而将人免疫球蛋白G固定在二氧化硅表面,抗原抗体反应显示固定的抗体有活性。应用微加工技术加工含交叉排列的椭圆形微柱阵列的微流... 应用分子自组装技术,在SiO2表面衍生活泼醛基,在SiO2表面有125nm的衍生物,衍生的醛基和氨基发生共价反应而将人免疫球蛋白G固定在二氧化硅表面,抗原抗体反应显示固定的抗体有活性。应用微加工技术加工含交叉排列的椭圆形微柱阵列的微流控芯片,有效增加内表面积和流体接触机会,用同样修饰方法修饰微流控芯片内表面并固定人免疫球蛋白G,流经管道的相应抗抗体和其发生反应而被吸附在管道表面,实现对该抗抗体的亲和富集,富集后荧光密度增加15倍。表面修饰技术能实现蛋白质在二氧化硅表面的固定并保持其生物活性,结合微流控芯片能实现对相应蛋白质的微量富集。 展开更多
关键词 表面修饰 抗体 微流控芯片 富集
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GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度 被引量：6
10
作者 罗跃川 韩尚君 +2 位作者 王雪敏 吴卫东 唐永建 《信息与电子工程》 2011年第3期347-350,共4页
GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使... GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成。通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。 展开更多
关键词 GaAs/AlGaAs多层膜 湿法刻蚀 感应耦合等离子体刻蚀 陡直度
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等离子体技术净化CF_4及其生成物机理的探讨 被引量：3
11
作者 于继荣 黄光周 杨英杰 《科学技术与工程》 2004年第3期225-226,231,共3页
讨论了利用等离子体技术净化CF4 及其生成物的方法 ,分析了净化机理。由四极质谱仪的分析结果发现 ,CF4 等生成物的谱峰强度随射频 (RF)功率的增加几乎线性地减小。RF功率达到 1.8kW时 ,已检测不到CF4 及其生产物对应的各个谱峰。在净... 讨论了利用等离子体技术净化CF4 及其生成物的方法 ,分析了净化机理。由四极质谱仪的分析结果发现 ,CF4 等生成物的谱峰强度随射频 (RF)功率的增加几乎线性地减小。RF功率达到 1.8kW时 ,已检测不到CF4 及其生产物对应的各个谱峰。在净化装置中放置CaO作为吸附剂 ,在室温下CaO对F有明显的净化作用。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 有害气体净化 环境保护 四氟化碳 环境污染
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碱性蚀刻的过程控制 被引量：6
12
作者 廖军 张杭贤 《印制电路信息》 2005年第6期44-47,共4页
碱性蚀刻的目的是去除印制板导体层表面的金属保护层。但蚀刻的影响因素很多,如果控制不当,会造成严重的侧蚀。针对碱性蚀刻的问题,讨论了一些关键的处理参数和控制,如pH值、铜和氯化物的含量、温度、护侧(Banking)试剂、氧气的供给、... 碱性蚀刻的目的是去除印制板导体层表面的金属保护层。但蚀刻的影响因素很多,如果控制不当,会造成严重的侧蚀。针对碱性蚀刻的问题,讨论了一些关键的处理参数和控制,如pH值、铜和氯化物的含量、温度、护侧(Banking)试剂、氧气的供给、传输速度和溶液的补充等。 展开更多
关键词 碱性蚀刻 过程控制 蚀刻 碱性 传输速度 保护层 印制板 PH值 氯化物 侧蚀
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电子回旋共振等离子技术 被引量：1
13
作者 胡一贯 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期1-5,共5页
本文介绍了电子回旋共振等离子技术的原理、特征及在半导体工艺方面的应用。
关键词 ECR离子源 等离子技术 亚微米技术
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CCD多晶硅栅条刻蚀的质量控制
14
作者 李平 张坤 汪朝敏 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期210-211,214,共3页
依据等离子刻蚀机设备在CCD研制中所起的关键作用 ,对提高刻蚀多晶硅电极的质量作了一些探讨 。
关键词 CCD 刻蚀比 均匀性
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发射光谱法在等离子体刻蚀废气微量F元素检测中的应用研究
15
作者 刘慧杰 黄光周 《光谱实验室》 CAS CSCD 2005年第2期247-252,共6页
以CF4Ar为等离子体刻蚀废气的模拟气体 ,利用发射光谱法分析F。含氟废气中 F原子的发射光谱在6 0 0— 80 0 nm波段内的谱线为 6 97.5 nm和 739.5 nm。研究了电感耦合等离子体放电时射频功率对F元素检测的影响 ,表明提高射频功率可降低 ... 以CF4Ar为等离子体刻蚀废气的模拟气体 ,利用发射光谱法分析F。含氟废气中 F原子的发射光谱在6 0 0— 80 0 nm波段内的谱线为 6 97.5 nm和 739.5 nm。研究了电感耦合等离子体放电时射频功率对F元素检测的影响 ,表明提高射频功率可降低 F元素检出限。 展开更多
关键词 等离子体刻蚀 发射光谱法 元素 检测 应用 微量 等离子体放电 射频功率 含氟废气 电感耦合 F原子 检出限
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等离子作加工中的计算机建模
16
作者 刘之景 刘晨 《表面技术》 EI CAS CSCD 1999年第2期26-28,共3页
介绍了等离子体刻蚀和沉积加工的工业应用,指出在产品加工和设计中,计算机建模的重要性和必要性,强调了等离子体刻蚀反应器、热喷射系统和等离子体化学蒸气沉积中所使用的计算机模型。
关键词 沉积 刻蚀 计算机建模
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等离子体刻蚀过程中有害气体净化的原理和方法
17
作者 黄光周 马国欣 +2 位作者 于继荣 杨英杰 周仲浩 《真空电子技术》 2003年第5期32-34,共3页
　叙述了等离子体刻蚀过程中产生的有害气体以及处理这些有害气体的原理和方法。对燃烧分解、化学中和、薄膜吸气、等离子体净化及脉冲电晕放电等作了简要的概述。指出等离子体净化和脉冲电晕放电是净化有害气体的较好方法。
关键词 半导体 等离子体 有害气体 环境保护
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双重掩蔽层实现石英晶体高深宽比刻蚀
18
作者 郑志霞 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期130-134,共5页
由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单... 由于石英晶体的刻蚀速率小,要实现石英晶体的高深宽比刻蚀,常用的光刻胶或金属掩膜不能满足工艺要求。提出使用双重掩蔽层的方法实现石英晶体的高深宽比刻蚀,即石英晶体和单晶硅键合,然后在单晶硅表面生长二氧化硅,二氧化硅作为刻蚀单晶硅的掩蔽层,单晶硅作为刻蚀石英晶体的掩蔽层。ICP刻蚀过程使用SF6作为刻蚀气体、C4H8作为钝化气体、He作为冷却气体。控制好气体的流量和配比,选择合适的射频功率,能刻蚀出深度为30μm,宽度为50μm的深槽。该工艺对开发新型石英晶体器件有积极的意义。 展开更多
关键词 石英晶体 阳极键合 高深宽比 刻蚀 射频功率
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硅氧化物反应离子刻蚀均匀性研究(英文)
19
作者 胡思福 格林M 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期162-168,共7页
提出了提高径向刻蚀均匀性的一种新颖的方法。在反应离子刻蚀系统中,采用等离子体控制环调节硅氧化物的径向刻蚀速率,刻蚀均匀性在等效于直径为15 cm 硅片上可以达到±3%.
关键词 离子刻蚀 均匀性 硅氧化物 等离子
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等离子与反应离子刻蚀终点的在线监测——光学反射法
20
作者 米宝永 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1997年第3期90-95,共6页
叙述了用光学反射法在线监测ＬＳＩ等离子及反应离子刻蚀过程和终点的监测原理与具体实施。所设计的仪器获得了优于８０的动态监测精度及小于０．３ｃｍ２的最小监测面积。比较了用光学反射法和等离子发射光谱法得到的监测结果，指出... 叙述了用光学反射法在线监测ＬＳＩ等离子及反应离子刻蚀过程和终点的监测原理与具体实施。所设计的仪器获得了优于８０的动态监测精度及小于０．３ｃｍ２的最小监测面积。比较了用光学反射法和等离子发射光谱法得到的监测结果，指出了影响光学反射法监测精度的因素，提出了切实可行的解决办法。 展开更多
关键词 集成电路 刻蚀终点 在线监测 光学反射法
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