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多晶硅/硅界面处理工艺对硅光敏晶体管性能影响的比较研究
1
作者 黄绍春 黄烈云 +2 位作者 彭金萍 郭培 向勇军 《半导体光电》 北大核心 2025年第1期70-74,共5页
研究了多晶硅/硅发射极结构光敏晶体管的制备工艺。为分析多晶硅/硅界面质量对芯片性能的影响,通过对比低压化学气相淀积(LPCVD)多晶硅前不同表面预处理方案(RCA清洗和稀释氢氟酸漂洗)以及多晶硅淀积后不同温度退火工艺,系统研究了光敏... 研究了多晶硅/硅发射极结构光敏晶体管的制备工艺。为分析多晶硅/硅界面质量对芯片性能的影响,通过对比低压化学气相淀积(LPCVD)多晶硅前不同表面预处理方案(RCA清洗和稀释氢氟酸漂洗)以及多晶硅淀积后不同温度退火工艺,系统研究了光敏晶体管直流增益(hFE)和发射极接触电阻(re)的变化情况。实验结果表明,采用稀释氢氟酸漂洗工艺可有效降低增益对偏置电压的敏感性;适当提高退火温度(900~1100℃)能够使发射极接触电阻率降低,同时显著改善芯片关键性能参数的一致性,但会导致峰值电流增益降低。该研究为优化光敏晶体管界面工程提供了重要工艺参考。 展开更多
关键词 硅光敏晶体管 多晶硅/硅界面 RCA清洗 电流增益 发射极接触电阻
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面向MoS _(2)晶体管的ZrO _(2)介电层沉积工艺
2
作者 邓会琼 吴林祥 陈翔 《南京工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期157-167,共11页
由于短沟道效应等因素的限制,传统的硅基材料在器件缩小方面面临巨大的挑战。高介电常数(κ)介电材料具备克服这些因素的潜力,从而推动器件的进一步缩小。利用原子层沉积技术(ALD)沉积高κ介电材料ZrO _(2),通过X线光电子能谱(XPS)、原... 由于短沟道效应等因素的限制,传统的硅基材料在器件缩小方面面临巨大的挑战。高介电常数(κ)介电材料具备克服这些因素的潜力,从而推动器件的进一步缩小。利用原子层沉积技术(ALD)沉积高κ介电材料ZrO _(2),通过X线光电子能谱(XPS)、原子力显微镜(AFM)和半导体参数仪等分析手段重点研究了沉积温度和沉积循环周期对ZrO _(2)薄膜介电性能的影响。此外,还通过半导体参数仪比较了基于MoS _(2)的背栅场效应晶体管和顶栅场效应晶体管的电学性能。结果表明,在沉积温度为200℃、300个沉积循环周期条件下,沉积的ZrO _(2)薄膜介电常数高达18.03。与传统SiO _(2)栅介电材料相比,基于ZrO _(2)介电薄膜的MoS _(2)晶体管的载流子迁移率提高至16.874 cm ^(2)/(V·s),亚阈值摆幅降低至121.695 mV/dec。 展开更多
关键词 原子层沉积 ZrO_(2) MoS_(2) 沉积温度 沉积循环周期
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绝缘栅双极型晶体管传热模型建模分析 被引量：51
3
作者 陈明 胡安 +1 位作者 唐勇 汪波 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期453-459,共7页
绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)等全控型电力电子器件是电能变换装置的核心部件,由于电力电子器件的工作性能与可靠性等都与其工作结温直接相关,而电力电子器件的热阻抗直接影响器件的结温,开展以IGBT热阻网络为对象的传热特性研究对于延... 绝缘栅双极型晶体管(简称IGBT)等全控型电力电子器件是电能变换装置的核心部件,由于电力电子器件的工作性能与可靠性等都与其工作结温直接相关,而电力电子器件的热阻抗直接影响器件的结温,开展以IGBT热阻网络为对象的传热特性研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有很重要的现实意义。为此,概述了IGBT物理结构、热阻网络及提取动态热阻抗曲线测试原理、传热模型3种建模方法及各方法的优劣。以某型IGBT模块为研究对象,通过理论计算得到其各分层及模块结壳稳态热阻值,建立了Cauer热网络模型,并在数值仿真软件ANSYS热仿真分析环境下利用有限元法(FEM)建立了数值仿真模型,利用搭建的试验平台开展了提取动态热阻抗实验,建立了7阶Foster实验测定模型。数值仿真和实验测定所得到的稳态结壳热阻值与理论计算模型接近,并对偏差进行了分析。建模研究IGBT传热模型对该类电力电子器件热传递模型建模研究及散热设计具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 热模型 热阻 动态热阻抗 结温 RC热网络 壳温 数值仿真 有限元法
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线性化AlGaN/GaN HEMT费米能级与二维电子气密度关系的解析模型 被引量：7
4
作者 卢盛辉 杜江锋 +1 位作者 周伟 夏建新 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期225-228,共4页
通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率... 通过化简复杂非线性的费米能级EF与二维电子气密度ns关系,并利用化简后函数的一阶泰勒多项式建立了线性化AlGaN/GaN HEMT中EF与ns关系的解析模型。该模型可以根据二维电子气密度ns的范围及温度计算EF与ns非线性关系之线性近似的参数斜率a和截距EF0。计算结果表明,所述模型的线性EF-ns计算结果对非线性精确解近似效果较好,且基于该模型计算的ns-VG曲线与实验数据符合良好。 展开更多
关键词 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 费米能级 线性近似 二维电子气
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两种注F能量的栅介质电离辐射响应特性 被引量：6
5
作者 张国强 严荣良 +5 位作者 余学锋 任边远 高文钰 赵元富 胡浴红 王英民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期64-66,共3页
对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进... 对栅氧化后３０ｋｅＶ与４３ｋｅＶＦ离子注入的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了电离辐射响应特性的比较．结果发现，３０ｋｅＶ注Ｆ具有较强的抑制辐射感生氧化物电荷和界面态增长的能力．用３０ｋｅＶ注Ｆ具有较少注入缺陷的模型对实验结果进行了讨论． 展开更多
关键词 场效应晶体管 栅介质 电离辐射
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具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性 被引量：15
6
作者 罗卢杨 方健 +1 位作者 罗萍 李肇基 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期194-197,共4页
提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区... 提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 . 展开更多
关键词 降场电极 U形漂移区 耐压特性 SOI LDMOS RESURF
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分析传导EMI的功率MOSFET建模 被引量：22
7
作者 袁义生 钱照明 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期198-201,204,共5页
基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数.在Saber仿真软件中,利用现有的LDMOS模... 基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品数据手册的数据,采用曲线拟合技术可以提取模型方程中所有未知参数.在Saber仿真软件中,利用现有的LDMOS模型为核心,构筑功率VDMOS的子电路模型,作为精确的瞬态和传导电磁干扰(ElectromagneticInterference,EMI)仿真使用.最后的开关实验和仿真结果的比较证明了该模型的准确性和有效性. 展开更多
关键词 VDMOS 传导EMI 建模技术
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IGBT功率器件工作中存在的问题及解决方法 被引量：14
8
作者 潘星 刘会金 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2004年第9期9-14,共6页
绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)因其开关速度快、工作频率高、控制方便等优点得到广泛应用,但随着电力电子技术的高频、大功率化发展,开关工作时会造成较高损耗和严重的电磁干扰,甚至元件本身也会因过压、过... 绝缘栅双极型晶体管IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)因其开关速度快、工作频率高、控制方便等优点得到广泛应用,但随着电力电子技术的高频、大功率化发展,开关工作时会造成较高损耗和严重的电磁干扰,甚至元件本身也会因过压、过流问题造成损坏。从IGBT的内部结构特点出发,讨论了IGBT工作中上述问题存在的原因,整理了目前国内外常用的一些处理措施,包括软开关技术、吸收电路技术以及研制新的开关元件等。软开关通过控制电压、电流状态,使其在开关过程中保持不变,抑制di/dt,du/dt;吸收电路是吸收开关过程中di/dt,du/dt产生的多余能量,然后反馈至其他地方。而采用新的开关元件集成门极换流晶闸管IGCT(IntegratedGateCommutatedThyristor),从开关本身出发解决问题是个有潜力的方案。 展开更多
关键词 IGBT DI/DT 软开关技术 吸收电路
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抗辐照MOSFET输出电压振荡机理研究
9
作者 纪丙华 陆灵君 +1 位作者 王志国 刘胜阳 《遥测遥控》 2025年第6期53-58,共6页
针对28 V抗辐射P沟道场效应晶体管在阻性负载10.4Ω时出现输出电压波形振荡的问题进行了研究,发现主要原因是器件自身寄生参数与外围电路参数的失配。为规避这一现象,提出了电路改进方案,即在栅极串联电阻以降低VGS变化速率,破坏振荡发... 针对28 V抗辐射P沟道场效应晶体管在阻性负载10.4Ω时出现输出电压波形振荡的问题进行了研究,发现主要原因是器件自身寄生参数与外围电路参数的失配。为规避这一现象,提出了电路改进方案,即在栅极串联电阻以降低VGS变化速率,破坏振荡发生的条件;同时在栅源电极增加钳位二极管,确保栅源电压VGS始终低于额定值,以提升电路工作的安全性和长期可靠性。 展开更多
关键词 MOSFET 电压振荡 米勒效应 机理 可靠性 抗辐照 振荡抑制
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载流子存储沟槽栅双极晶体管特性研究与优化设计
10
作者 李尧 谌利欢 +2 位作者 苟恒璐 龙仪 陈文舒 《电子与封装》 2025年第12期97-103,共7页
为了优化载流子存储沟槽栅双极晶体管(CSTBT)的性能,对CSTBT结构进行了电学特性仿真,通过Sentaurus TCAD软件对比了T-IGBT和CSTBT的击穿特性、输出特性以及关断特性,研究了CSTBT N-drift区掺杂浓度和厚度、P-base区掺杂浓度和CSL掺杂浓... 为了优化载流子存储沟槽栅双极晶体管(CSTBT)的性能,对CSTBT结构进行了电学特性仿真,通过Sentaurus TCAD软件对比了T-IGBT和CSTBT的击穿特性、输出特性以及关断特性,研究了CSTBT N-drift区掺杂浓度和厚度、P-base区掺杂浓度和CSL掺杂浓度对器件的击穿特性、转移特性以及输出特性的影响。结果表明,相较于T-IGBT,优化前的CSTBT的击穿电压提升了约3.4%,正向导通压降减小了约20.9%,关断损耗几乎一致;对于优化后的CSTBT,当N-drift区厚度为158μm、N-drift区掺杂浓度为7×10^(13)cm^(-3)、P-base区掺杂浓度为3×10^(17)cm^(-3)、CSL掺杂浓度为1×10^(16)cm^(-3)时,器件的击穿电压为1959 V,提升了约22%;Von为1.14 V,降低了43%。 展开更多
关键词 IGBT 击穿特性 输出特性 转移特性 载流子存储层 关断损耗
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NMOS晶体管高剂量率下总剂量辐照特性研究 被引量：4
11
作者 李冬梅 王志华 +3 位作者 皇甫丽英 勾秋静 雷有华 李国林 《电子器件》 CAS 2007年第3期748-751,共4页
采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时... 采用商用标准0.6μm体硅CMOS工艺设计了不同宽长比、不同沟道长度及不同版图结构的非加固型NMOS晶体管作为测试样品.经高剂量60Coγ射线的总剂量辐照实验,讨论其在不同栅源偏置电压下的总剂量辐照特性.研究表明NMOS总剂量效应对辐照时栅源偏置电压敏感;辐照引起阈值电压的漂移随W/L的变化不明显;沟道长度及版图结构对NMOS管辐照后的源漏极间泄漏电流的影响显著. 展开更多
关键词 NMOS晶体管 辐照效应 总剂量
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焊料层空洞对IGBT温度分布的影响
12
作者 宋世杰 万平星 《机械工程师》 2025年第9期60-62,67,共4页
焊层空洞是导致IGBT模块失效的主要原因。文中研究了焊层空洞出现在6个不同位置时对IGBT芯片温度分布的影响。通过比较有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析计算在焊料层中不同空洞率的空洞对模块结温的影响。最后分析得出:焊料... 焊层空洞是导致IGBT模块失效的主要原因。文中研究了焊层空洞出现在6个不同位置时对IGBT芯片温度分布的影响。通过比较有无焊层空洞时IGBT模块的整体温度分布,分析计算在焊料层中不同空洞率的空洞对模块结温的影响。最后分析得出:焊料层空洞的出现会明显提高模块的结温;当空洞在不同位置时,中心空洞的影响最大,随着空洞率的上升,芯片层的结温会呈线性增长。 展开更多
关键词 焊层空洞 有限元分析 空洞率 温度分布
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GaN基MFS结构C-V特性研究 被引量：2
13
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +2 位作者 崔敏 戴显英 宋建军 《电子器件》 CAS 2010年第6期684-686,共3页
采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为... 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体(MFS)结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论上分析了所制备的MFS结构的阈值特性。阈值电压的实验与理论分析结果吻合较好。采用PZT铁电薄膜作为GaN基MFS结构的栅介质,利用其高介电常数和较强的极化电场可以显著降低GaN基MFS器件的工作电压。 展开更多
关键词 PZT铁电薄膜 溶胶—凝胶法 MFS结构 C-V特性 阈值电压
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IGBT串联应用中动态过压的控制 被引量：4
14
作者 李勇 邵诚 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期43-47,共5页
对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压.根据控制回路的特点,设计了一种实用的反馈信号交互... 对高压大功率变流设备中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)串联应用的动态过压问题进行了研究,提出了一种基于磅磅控制原理的快速反馈控制方法对器件端压进行控制,以抑制串联器件间的动态过压.根据控制回路的特点,设计了一种实用的反馈信号交互电路,该电路可以为串联IGBT提供及时、准确的开关信号.将所提出的方法应用于交流感应电机的变频控制,结果表明,该控制方法具有较高的控制精度和较快的响应速度,可以满足实际需要,所设计的反馈交互等电路具有良好的可拓展性. 展开更多
关键词 动态过压 绝缘栅双极型晶体管 快速反馈控制 自反馈
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逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展 被引量：4
15
作者 张广银 沈千行 +3 位作者 张须坤 田晓丽 卢烁今 朱阳军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期721-729,共9页
逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优... 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT)是一种新型的IGBT器件,它是将IGBT元胞结构与耐高压的二极管元胞结构集成到同一个芯片上。RB-IGBT相比于传统的IGBT串联一个二极管的模式,具有总通态压降低、成本低、总功耗低和电路结构简单等诸多优点。自从被提出以来,RB-IGBT在结构设计和加工工艺方面不断得到改进,其性能不断提升,使得RB-IGBT拥有更为广阔的应用前景。综述了RB-IGBT的发展历程和双向耐压原理,重点阐述了不断改进的RB-IGBT结构和国际上采用的加工工艺。针对热预算、工艺难度和工艺成本等,分析了不同工艺技术的优缺点,重点探讨了工艺的实现方式。对RB-IGBT的发展趋势进行了分析和预测,认为混合隔离技术和漂移区的改进将是下一代RB-IGBT的发展方向。 展开更多
关键词 功率器件 逆阻型绝缘栅双极型晶体管(RB-IGBT) 反向阻断 隔离技术 终端 混合隔离
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大功率IGBT驱动保护方法研究进展综述 被引量：7
16
作者 刘海红 杨媛 刘海锋 《电子设计工程》 2015年第7期104-106,110,共4页
大功率IGBT广泛应用于电力电子行业,其驱动器也与之快速发展。现有的IGBT驱动器都集驱动与保护于一体,驱动功能趋于智能化,保护功能趋于完善可靠。过流保护是IGBT保护中最重要的一种保护功能,本文详细概括了目前过流检测、保护和驱动的... 大功率IGBT广泛应用于电力电子行业,其驱动器也与之快速发展。现有的IGBT驱动器都集驱动与保护于一体,驱动功能趋于智能化,保护功能趋于完善可靠。过流保护是IGBT保护中最重要的一种保护功能,本文详细概括了目前过流检测、保护和驱动的主要方法,并对IGBT驱动的未来进行了展望。 展开更多
关键词 大功率 IGBT 驱动 过流保护
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基于两级di/dt检测IGBT模块短路策略 被引量：2
17
作者 王亮亮 杨媛 +2 位作者 高勇 文阳 马丽 《电子技术应用》 北大核心 2016年第6期49-51,58,共4页
为了解决传统V^(CE)在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGB... 为了解决传统V^(CE)在检测大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的短路故障时存在的问题,在分析了IGBT短路特性的基础上,提出了一种基于两级电流变化率(di/dt)检测IGBT两类短路故障的策略。该策略可以使驱动器更早地采取保护措施,限制IGBT的短路电流和短路功耗,减小关断尖峰电压。基于3300 V/1200 A IGBT模块的短路实验结果证明了该策略的有效性和可行性。 展开更多
关键词 IGBT 短路特性 检测电路
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混合型LIGBT／LDMOS晶体管瞬态响应的电荷控制模型 被引量：3
18
作者 李肇基 张旻 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第5期39-46,共8页
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中... 本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的积分式连续性方程，导出双载流子动态电荷控制表示式；计及其中双极晶体管宽漂移区的电导调制效应和瞬态电荷分布效应，利用保角变换求得抽出区导通电阻，从而获得归一化瞬态截止电流和瞬态截止时间及它们与漂移区长度和材料参数，特别是与两器件宽度比的关系，据此，可制作高速开关器件． 展开更多
关键词 绝缘栅 双极晶体管 瞬态响应 LDMOS
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Bi_2Ti_2O_7薄膜制备及 Bi_2Ti_2O_7绝缘栅场效应管研制 被引量：1
19
作者 肖卓炳 吴显明 +4 位作者 王少伟 王弘 王卓 尚淑霞 王民 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第2期171-174,共4页
采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。 制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数， 用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比，具有较... 采用化学溶液沉积法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。 制膜过程简单，成本低廉，得到的薄膜具有良好的绝缘性和较高的介电常数， 用其制备的绝缘栅场效应管与相同尺寸的 SiO2绝缘栅场效应管相比，具有较高的跨导和较低的开启电压。 展开更多
关键词 化学溶液沉积法 Bi2Ti2O7薄膜 介电常数 绝缘栅场效应管 制备
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栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究 被引量：2
20
作者 蒋丽华 罗霞 +2 位作者 廖勇 罗海军 龙兴明 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第5期726-731,共6页
为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。... 为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小。栅极电阻从10Ω变化到100Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7%,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06%。在栅极电阻为10~100Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度。 展开更多
关键词 GaN MOSFET 栅极电阻 瞬态电流
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