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基于计算机辅助技术的PC/TiO_(2)复合材料光色特性研究
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作者 张同汉 范宝月 《合成树脂及塑料》 北大核心 2025年第2期37-39,44,共4页
基于计算机辅助技术研究了TiO_(2)粒子粒径对聚碳酸酯(PC)光色特性的调控,分析了其对PC/TiO_(2)复合材料散射系数、光通量、色温、显色指数、光均匀性等影响的变化规律。结果表明:随着TiO_(2)粒子粒径的增大,散射系数降低,光通量升高,... 基于计算机辅助技术研究了TiO_(2)粒子粒径对聚碳酸酯(PC)光色特性的调控,分析了其对PC/TiO_(2)复合材料散射系数、光通量、色温、显色指数、光均匀性等影响的变化规律。结果表明:随着TiO_(2)粒子粒径的增大,散射系数降低,光通量升高,主要是因为大粒径粒子对于光子传播以正向散射为主;光谱分布曲线、色温、显色指数等随着TiO_(2)粒子粒径的增大表现出较优的稳定性,在不同粒径下,色温均值为4607 K,光谱分布曲线则表现出在可见光范围内的连续性分布;将光通量与光均匀性乘积作为调控最优值评价指标,获得了最优的TiO_(2)粒子粒径为10μm,此时光通量为132.9 lm,色温为4569 K,显色指数为90.6。 展开更多
关键词 二氧化钛粒子 计算机辅助技术 聚碳酸酯 光色参数
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蓝光发射CsPbBr_(3)纳米晶的制备及其光学性质
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作者 邱洋 曲哲 +3 位作者 许碧瑶 段默含 马永富 陈瑞 《信阳师范大学学报(自然科学版)》 2025年第4期476-480,共5页
蓝光CsPbBr_(3)量子点因其发光量子产率高而受到广泛关注。通过两步过饱和再结晶的方式,在常温条件下合成了高效蓝光发射的CsPbBr_(3)纳米晶量子点。该方法可将粒径控制在5 nm左右,从而使得产物具有较强的量子限域效应。通过透射电子显... 蓝光CsPbBr_(3)量子点因其发光量子产率高而受到广泛关注。通过两步过饱和再结晶的方式,在常温条件下合成了高效蓝光发射的CsPbBr_(3)纳米晶量子点。该方法可将粒径控制在5 nm左右,从而使得产物具有较强的量子限域效应。通过透射电子显微镜、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪,对样品的形貌、结构和基本光学性质进行了表征。结果表明:添加不同比例的氯苯溶剂,可调节量子点尺寸,进而调控其发光带隙。本工作制备的量子点具有优异的光学性能,利用其组装的蓝色发光二极管(LED)显示出较高的光致发光强度,在光电器件中具有良好的应用前景。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3) 纳米晶 量子点 光致发光
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2-己基癸酸改性的全溶液制备的CsPbBr_(3)量子点发光二极管
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作者 吴加其 王程杨 +1 位作者 陆红波 朱俊 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第7期875-882,共8页
钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子... 钙钛矿量子点发光二极管是极具发展潜力的新型显示技术。全无机CsPbX3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点具有优异的光电性能,然而合成CsPbX3量子点时往往需要油酸(OA)和油胺(OAm)等配体的参与,这些配体和量子点之间的动态结合方式使其极易从量子点表面脱落,进而引发量子点的不稳定性现象。此外,油酸油胺的绝缘特性会阻碍发光二极管中载流子的传输并恶化器件性能。鉴于此,本文以CsPbBr_(3)量子点为研究对象,采用短链配体2-己基癸酸(DA)部分取代长链OA配体,系统探究了不同DA/OA摩尔比对CsPbBr_(3)量子点光学性能的影响。结果表明,经DA修饰的CsPbBr_(3)量子点表现出高达88.64%的光致发光量子产率。随后,将优化后的CsPbBr_(3)量子点应用到全溶液制备的发光二极管中,器件的最高亮度和最大外量子效率分别从9 cd·m^(-2)和0.04%提升至155 cd·m^(-2)和0.14%。接着,通过优化钙钛矿发光层和空穴传输层之间的能级匹配,进一步将器件的亮度和外量子效率提升至436 cd·m^(-2)和0.20%。 展开更多
关键词 CsPbBr_(3)量子点 新型显示技术 发光二极管 配体取代 全溶液制备
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经Al_2O_3与SiO_x钝化的多孔硅及其光致发光特性 被引量:5
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作者 刘小兵 熊祖洪 +2 位作者 史向华 袁帅 廖良生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期38-43,共6页
在一定偏压下用AlCl3+ C2H5OH+ H2O 混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3 与SiO... 在一定偏压下用AlCl3+ C2H5OH+ H2O 混合液对多孔硅进行了后处理.经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比,其发光强且稳定.通过对样品进行红外吸收谱的测试和分析,指出在后处理样品表面形成的Al2O3 与SiOx 结构是多孔硅发光增强和稳定性得到提高的原因. 展开更多
关键词 多孔硅 光致发光 钝化 氧化铝 氧化硅
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发光层掺杂对红光OLED性能影响研究 被引量:7
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作者 安涛 夏艳峰 +1 位作者 南晶彪 高勇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期24-28,共5页
制备高效率、高亮度的红光有机发光二极管是显示器实现全彩色的关键,对高性能的红光有机发光二极管器件研究具有十分重要的意义.本文主要研究了掺杂剂(DCJTB)浓度对红光有机发光二极管性能影响.实验采用真空热蒸镀的方法,选取结构为ITO/... 制备高效率、高亮度的红光有机发光二极管是显示器实现全彩色的关键,对高性能的红光有机发光二极管器件研究具有十分重要的意义.本文主要研究了掺杂剂(DCJTB)浓度对红光有机发光二极管性能影响.实验采用真空热蒸镀的方法,选取结构为ITO/2-TNATA(20nm)/NPB(30nm)/AlQ(50nm):(X%)DCJTB/AlQ(30nm)/LiF(0.8nm)/Al(100nm)的红光器件,在高准确度膜厚控制仪的监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀.研究表明:红光掺杂剂掺杂浓度为(2.5~3.0)%时,在12V电压下,可以得到发光亮度最高达到8 900cd/m2,发光效率大于2.8cd/A,且发光光谱波长为610~618nm较为理想的红光有机发光二极管器件. 展开更多
关键词 红光有机发光二极管 空穴注入层 2-TNATA 发光亮度
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镱铒共掺Al_2O_3薄膜光致发光特性优化 被引量:5
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作者 李建勇 王丽阁 +2 位作者 李成仁 刘中凡 宋昌烈 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1746-1751,共6页
用中频磁控溅射方法在SiO2/Si基底上制备了五组固定掺铒浓度不同镱铒浓度比率的镱铒共掺Al2O3薄膜样品.室温下测量了薄膜在1.430μm^1.630μm波段范围内光致发光光谱.研究发现,镱的掺入有效地提高了三价铒离子的光致发光强度,最优的镱... 用中频磁控溅射方法在SiO2/Si基底上制备了五组固定掺铒浓度不同镱铒浓度比率的镱铒共掺Al2O3薄膜样品.室温下测量了薄膜在1.430μm^1.630μm波段范围内光致发光光谱.研究发现,镱的掺入有效地提高了三价铒离子的光致发光强度,最优的镱铒掺杂为:掺铒0.33 mol%,Yb3+∶Er3+=10∶1,比相同掺铒浓度单掺铒样品光致发光峰值强度增强40倍;确定的掺铒浓度,有着固定的最佳镱铒浓度比率,主要是镱铒离子间的正向和反向能量传递相互作用的结果,但最佳镱铒浓度比率随着掺铒浓度的增加呈现下降趋势;单掺铒薄膜的光致发光峰值强度随掺铒浓度呈现近Gauss形状变化,而最佳镱铒共掺样品的光致发光峰值强度随掺铒浓度呈现了倒Gauss形状变化. 展开更多
关键词 光波导放大器 Yb^3+/Er^3+共掺Al2O3薄膜 中频磁控溅射 光致发光光谱
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微波快速合成硫化锶铜铋磷光体及Bi^(3+)对Cu^+的敏化发光 被引量:8
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作者 张迈生 王立格 杨燕生 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第2期95-100,共6页
本文首次采用微波辐射法(MicrowaveRadiationMethod,简称MRM)快速合成了以SrS为基质、Cu+ 、Bi3 + 为共激活剂的长余辉蓝绿色光致发光磷光体 ,其激发和发射主峰波长分别为267和521nm ,长余辉时间约为0.5h。系统考察了在单掺杂和双掺杂... 本文首次采用微波辐射法(MicrowaveRadiationMethod,简称MRM)快速合成了以SrS为基质、Cu+ 、Bi3 + 为共激活剂的长余辉蓝绿色光致发光磷光体 ,其激发和发射主峰波长分别为267和521nm ,长余辉时间约为0.5h。系统考察了在单掺杂和双掺杂情况下的发光规律 ,发现Bi3 + 与Cu+ 之间存在着能量传递作用 ,且Bi3 + 对Cu+ 具有很强的敏化和猝灭效应。 展开更多
关键词 微波辐射 硫化锶 长余辉 磷光体 敏化发光
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纳米氧化锌颗粒的荧光光谱特性及测试条件的影响 被引量:5
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作者 林传金 王引书 +3 位作者 郑东 刘惠民 丁凤莲 樊洁平 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期367-371,共5页
分别用沉淀法和有机物单源的热分解方法从溶液中生长了不同尺寸的氧化锌纳米晶体,研究了纳米晶体的荧光特性及其对测量样品状态的依赖关系.尺寸比较大的ZnO纳米晶体在固态下其荧光光谱为宽阔的发光带,并在宽阔发光带上出现一系列明显的... 分别用沉淀法和有机物单源的热分解方法从溶液中生长了不同尺寸的氧化锌纳米晶体,研究了纳米晶体的荧光特性及其对测量样品状态的依赖关系.尺寸比较大的ZnO纳米晶体在固态下其荧光光谱为宽阔的发光带,并在宽阔发光带上出现一系列明显的精细结构,而分散于有机溶剂中时其荧光由激子复合发射和通过氧空位的复合发射组成.分散于有机溶剂中的中等尺寸的表面包裹的纳米ZnO晶体的荧光由激子荧光、通过浅杂质的发射和通过本征缺陷复合的荧光组成,其强度随着测量浓度的升高而增强,并且激子的荧光发生红移;尺寸比较小的表面包裹的纳米晶体的荧光为激子复合和通过氧空位复合的荧光组成,激子荧光强度、通过氧空位的发光强度及其相对强度随着纳米晶体浓度的变化而变化,测量浓度的升高,激子发光峰没有位移,但与缺陷态相关的激发光荧光发生红移. 展开更多
关键词 ZnO纳米颗粒 溶液中生长 荧光特性
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基于CdSe/ZnS量子点光转化层的高稳定性白光LED器件 被引量:3
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作者 曹进 周洁 +4 位作者 谢婧薇 陈安平 张雪 殷录桥 张建华 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期349-354,共6页
采用一步法合成了510,550和630nm三种峰值的高稳定性、高量子效率核壳结构CdSe/ZnS量子点材料,其量子产率分别达到82%,98%,97%。将该量子点材料取代传统的荧光粉材料,与硅胶均匀混合后作为光转换层涂覆到蓝色InGaN LED芯片上,制备了白光... 采用一步法合成了510,550和630nm三种峰值的高稳定性、高量子效率核壳结构CdSe/ZnS量子点材料,其量子产率分别达到82%,98%,97%。将该量子点材料取代传统的荧光粉材料,与硅胶均匀混合后作为光转换层涂覆到蓝色InGaN LED芯片上,制备了白光LED器件。通过依次添加不同颜色量子点制备的量子点光转换层,考察了510,550和630nm三色CdSe/ZnS量子点在硅胶中的不同配比对白光LED器件性能的影响,研究了不同颜色量子点之间的能量转换机制,利用量子点对白光光谱及其色坐标的影响机制,得到优化的白光器件结果及其三色量子点的配比,结果表明,当绿色、黄绿色、红色三种量子点之间的配比为24∶7∶10时,得到高稳定性、高效率的正白光器件特性,在电流20~200mA范围内,色温变化为4 607~5 920K,色坐标变化为(0.355 1,0.348 3)^(0.323 4,0.336 1),显色指数变化为77.6~84.2,器件最高功率效率达到31.69lm W-1@20mA。另外,为了进一步考察器件性能稳定的原因,研究了时间、温度以及UV处理对CdSe/ZnS QDs/硅胶混合光转换材料稳定性的影响,结果表明,器件的高稳定性可归因于所采用的一步法合成的核壳结构量子点材料本身的稳定性,研究的优化器件结果是一种低能耗的优质白光光源,可使人们真实地感知物体的原貌,在正白光光源领域具有很好的应用前景。 展开更多
关键词 量子点 白光LED 正白光 稳定性
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掺铒硅光致发光激子传递能量机制 被引量:3
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作者 雷红兵 杨沁清 +2 位作者 欧海燕 余金中 王启明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期232-238,共7页
铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道 .提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型 ,建立了发光动力学速率方程 ,并进行了详细推... 铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道 .提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型 ,建立了发光动力学速率方程 ,并进行了详细推导 .发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关 .指出铒离子 -束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因 .拟合 PL测量实验结果表明 :它们对应的激活能分别为 6.6me V和 47.4me V. 展开更多
关键词 激子传递能量 光致发光 掺饵
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胶粉混合方式对CHIP型发光二级管光学一致性的影响研究
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作者 刘友辉 傅文斌 +1 位作者 刘斌 张弘 《产业科技创新》 2024年第6期125-128,共4页
目前CHIP型发光二极管主要采用一个色区出货,以保证产品的一致性,但是生产阶段同批次产出4-5个色区,单个色区的最高占比为25-30%左右。色区集中率低,分散,光学一致性较差,降低了生产效率,增加了产品的成本;本文分别采用不同混合方式相... 目前CHIP型发光二极管主要采用一个色区出货,以保证产品的一致性,但是生产阶段同批次产出4-5个色区,单个色区的最高占比为25-30%左右。色区集中率低,分散,光学一致性较差,降低了生产效率,增加了产品的成本;本文分别采用不同混合方式相同粒径和配比,通过三轴行星式、双轴行星式和单轴搅拌混合粉胶方式,对CHIP型发光二极管的光学一致性进行对比研究,选择不同粒径相同混合方式和配比,分别采用6nm、10nm、12nm和15nm粒径的荧光粉在三轴行星式混合方式下,对CHIP型发光二极管的光学一致性进行对比研究;结果表明三轴搅拌方式4个色区集中率和两个主色区集中率分别超过98%和78%,高于手动搅拌和双轴搅拌方式;随着空间搅拌度(轴数)参与的越多,色区集中率就越高。由荧光粉粒径实验来看,荧光粉粒径越大,色区集中度越分散。 展开更多
关键词 CHIP型发光二极管 胶粉混合方式 光学一致性 粒径
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张应变GaInP量子阱结构变温光致发光特性 被引量:2
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作者 林涛 宁少欢 +4 位作者 李晶晶 张天杰 段玉鹏 林楠 马骁宇 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第1期51-56,共6页
对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:3... 对张应变GaInP量子阱激光器材料结构开展变温光致发光特性的研究,实验中激光器有源区为9nm Ga0.575In0.425P量子阱结构,采用N离子注入并结合730℃下的快速热退火处理来诱导有源区发生量子阱混杂.变温(10K~300K)光致发光特性研究表明:300K时,只进行快速热退火或者N离子注入的样品不发生峰值波长蓝移,N离子注入后样品在退火时发生波长蓝移,且蓝移量随退火时间的增加而增加;低温条件时,不同样品的光致发光特性差别较大,光致发光谱既有单峰,也有双峰,分析认为双峰中的短波长发光峰为本征激子的复合,长波长发光峰是由于有序区域中的电子与无序区域中的空穴复合引起.本研究可为半导体激光器长期工作可靠性和材料低温特性的相互关系提供一种新的研究思路. 展开更多
关键词 量子阱混杂 离子注入 低温PL谱 蓝移 张应变
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稀土掺杂上转换发光材料的制备及其应用 被引量:3
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作者 丁楠 刘旭焱 林芳 《南阳师范学院学报》 CAS 2016年第9期18-25,共8页
上转换发光材料是指能吸收多个低能量的长波辐射,经过光子加和之后发出高能量短波辐射的一类材料,这种独特的转换性质使其受到了人们越来越多的关注.综述了稀土掺杂上转换发光材料的制备方法,目前常用的方法有水热法、高温固相法、溶胶... 上转换发光材料是指能吸收多个低能量的长波辐射,经过光子加和之后发出高能量短波辐射的一类材料,这种独特的转换性质使其受到了人们越来越多的关注.综述了稀土掺杂上转换发光材料的制备方法,目前常用的方法有水热法、高温固相法、溶胶—凝胶法、溶剂热法、共沉淀法等,讨论了这些方法的优缺点.介绍了稀土掺杂上转换发光材料在生物领域、药物传输和生物成像、有色燃料废水吸附剂中的应用.最后对稀土掺杂上转换发光材料的研究前景进行了展望. 展开更多
关键词 上转换 制备方法 稀土掺杂
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硫化锌/多孔硅复合体系光致发光特性的研究 被引量:2
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作者 王彩凤 李清山 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期128-130,197,共4页
为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在... 为了研究硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光特性,通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品,然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜,测量了硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱,并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明,在不同的激发波长(340nm,360nm,390nm)下,硫化锌/多孔硅复合体系的光致发光谱不同,硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝/红)积分强度比值也不同;硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃,250℃,350℃)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光不同,随着生长温度的升高,复合体系的发光谱中,硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱;衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA/cm2,9mA/cm2,11mA/cm2)时,硫化锌/多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下,把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加,得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm^700nm),呈现较强的白光发射,这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。 展开更多
关键词 光学器件 白光 光致发光 脉冲激光沉积 硫化锌 多孔硅
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ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究 被引量:1
15
作者 于灵敏 朱长纯 +1 位作者 商世广 潘金艳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1569-1571,共3页
利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO... 利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺。用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀。说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值。 展开更多
关键词 ZnO纳米锥 光致发光 场发射 印刷
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金刚石薄膜光致发光的研究 被引量:1
16
作者 金曾孙 吕宪义 +1 位作者 于三 邹广田 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第4期41-43,共3页
本文研究了用热灯丝化学气相沉积方法在硅、钼和碳化钨衬底上制备的金刚石膜的光致发光特性。
关键词 金刚石 薄膜 光致发光 气相沉积
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热转化温度对PPV的光致发光光谱的影响 被引量:1
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作者 莫越奇 贾德民 +1 位作者 汪河洲 郑锡光 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期30-32,共3页
在 140~ 2 70℃下热转化 2h得到了PPV ,发现随着热转化温度的升高 ,PPV的紫外 -可见吸收峰和光致发光峰发生红移 ,发光强度降低 ,发光峰数由 2个变为 1个。通过与PPV齐聚物的光致发光光谱的对比 ,提出 50 0~ 530nm峰是短共轭链段的一... 在 140~ 2 70℃下热转化 2h得到了PPV ,发现随着热转化温度的升高 ,PPV的紫外 -可见吸收峰和光致发光峰发生红移 ,发光强度降低 ,发光峰数由 2个变为 1个。通过与PPV齐聚物的光致发光光谱的对比 ,提出 50 0~ 530nm峰是短共轭链段的一个光致发光峰的假设。 展开更多
关键词 聚苯乙炔 光致发光 热转化温度 光谱
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ZnS/PS复合体系的制备和性能表征 被引量:1
18
作者 王彩凤 李清山 +1 位作者 胡波 伊厚会 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期375-378,共4页
以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光(PL... 以电化学阳极氧化法制备的多孔硅(PS)为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光(PL)特性进行了研究。XRD结果表明,制备的ZnS薄膜呈立方相晶体结构,沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长,生长温度较高的样品的XRD衍射峰强度较大。SEM图像显示,生长温度较高的ZnS薄膜表面较致密平整。室温下的PL谱表明,沉积ZnS薄膜后,PS的发光峰发生蓝移。较高的生长温度下,ZnS的自激活发光强度较大,而PS的红光强度较低且峰位红移。根据三基色叠加的原理,ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加在一起,ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射,为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。 展开更多
关键词 光致发光 白光 脉冲激光沉积 ZnS/PS
原文传递
稀土长余辉发光材料的开发应用与改性处理 被引量:12
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作者 马秀芳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期305-308,共4页
介绍了以铝酸盐为基质 ,以稀土为激活剂或主激活剂的新型光致长余辉材料的特点、开发现状、应用领域及蓄光机理。重点综述了将蓄光体制成性能优良的发光树脂、发光陶瓷、着色蓄光性复合体及用作灯粉时的改性处理工艺、产品特点和用途。
关键词 长余辉 稀土 发光材料 改性处理
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Detecting H2S Gas Concentration by 1,8-Naphthalimides Fluorescent Probe 被引量:1
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作者 唐东林 王瞧 +1 位作者 出毅能 李瑞海 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期1319-1323,共5页
针对传统硫化氢检测方法灵敏度低的问题,以1,8-萘酰亚胺为荧光基团,基于H_2S的还原性,通过在荧光分子结构上引入具有氧化性的硝基,合成一种可与硫化氢气体发生氧化还原反应生成有荧光响应的小分子荧光探针。该探针本身荧光十分微弱,且... 针对传统硫化氢检测方法灵敏度低的问题,以1,8-萘酰亚胺为荧光基团,基于H_2S的还原性,通过在荧光分子结构上引入具有氧化性的硝基,合成一种可与硫化氢气体发生氧化还原反应生成有荧光响应的小分子荧光探针。该探针本身荧光十分微弱,且荧光峰值在λ=467nm和λ=522nm处。与H_2S反应之后,522nm处的荧光效应消失,467nm处的荧光效应显著增强。测定小分子荧光探针在通入H_2S气体前后的荧光光谱,分析467nm处的荧光强度与气体浓度关系。结果表明:荧光光谱法检测出的H_2S气体浓度与荧光强度之间存在很强的线性关系,相关系数为0.979 3,最低可检测极限可达0.88×10^(-6 )mol·L^(-1)量级。表明基于1,8-萘酰亚胺衍生物的荧光光谱检测法可为油气田H_2S气体浓度的的快速测定提供参考。 展开更多
关键词 光学测量 硫化氢浓度 1 8-萘酰亚胺衍生物 荧光光谱
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