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厚度调控的二维α-In_(2)Se_(3)可调谐宽谱偏振光电探测器
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作者 舒胜 李京波 +1 位作者 高伟 杨孟孟 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第5期41-50,共10页
目前针对α-In_(2)Se_(3)的厚度与光电性能之间关系的关注较少,且大部分研究是围绕机械剥离的α-In_(2)Se_(3)纳米片,不利于未来产业应用。因此,提出一种可以可控生长α-In_(2)Se_(3)的改良型物理气相沉积法,系统地研究了三种厚度α-In_... 目前针对α-In_(2)Se_(3)的厚度与光电性能之间关系的关注较少,且大部分研究是围绕机械剥离的α-In_(2)Se_(3)纳米片,不利于未来产业应用。因此,提出一种可以可控生长α-In_(2)Se_(3)的改良型物理气相沉积法,系统地研究了三种厚度α-In_(2)Se_(3)纳米片在可见光到近红外波段的宽谱响应性能。结果表明,α-In_(2)Se_(3)纳米片厚度可以显著调节光电性能,光响应度和比探测率随厚度增大而增大。此外,发现厚度32.8 nm的α-In_(2)Se_(3)纳米片在635 nm处的光电流各向异性比(二向色比)为4,具有良好的偏振敏感探测功能。综上所述,物理气相沉积法制备的二维α-In_(2)Se_(3)具有可见—红外宽谱响应和较好的偏振探测能力,是二维多功能光电器件的理想候选材料。 展开更多
关键词 α-In_(2)Se_(3) 物理气相沉积 厚度调控 光电探测器 偏振探测
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Reconfigurable organic ambipolar optoelectronic synaptic transistor for information security access 被引量:1
2
作者 Xinqi Ma Wenbin Zhang +11 位作者 Qi Zheng Wenbiao Niu Zherui Zhao Kui Zhou Meng Zhang Shuangmei Xue Liangchao Guo Yan Yan Guanglong Ding Suting Han Vellaisamy A.L.Roy Ye Zhou 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期133-142,共10页
In this data explosion era,ensuring the secure storage,access,and transmission of information is imperative,encom-passing all aspects ranging from safeguarding personal devices to formulating national information secu... In this data explosion era,ensuring the secure storage,access,and transmission of information is imperative,encom-passing all aspects ranging from safeguarding personal devices to formulating national information security strategies.Leverag-ing the potential offered by dual-type carriers for transportation and employing optical modulation techniques to develop high reconfigurable ambipolar optoelectronic transistors enables effective implementation of information destruction after read-ing,thereby guaranteeing data security.In this study,a reconfigurable ambipolar optoelectronic synaptic transistor based on poly(3-hexylthiophene)(P3HT)and poly[[N,N-bis(2-octyldodecyl)-napthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,5′-(2,2′-bithiophene)](N2200)blend film was fabricated through solution-processed method.The resulting transistor exhib-ited a relatively large ON/OFF ratio of 10^(3) in both n-and p-type regions,and tunable photoconductivity after light illumination,particularly with green light.The photo-generated carriers could be effectively trapped under the gate bias,indicating its poten-tial application in mimicking synaptic behaviors.Furthermore,the synaptic plasticity,including volatile/non-volatile and excita-tory/inhibitory characteristics,could be finely modulated by electrical and optical stimuli.These optoelectronic reconfigurable properties enable the realization of information light assisted burn after reading.This study not only offers valuable insights for the advancement of high-performance ambipolar organic optoelectronic synaptic transistors but also presents innovative ideas for the future information security access systems. 展开更多
关键词 RECONFIGURABLE AMBIPOLAR OPTOELECTRONIC synaptic transistor light assisted burn after reading
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Recent progress in organic optoelectronic synaptic transistor arrays:fabrication strategies and innovative applications of system integration 被引量:1
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作者 Pu Guo Junyao Zhang Jia Huang 《Journal of Semiconductors》 2025年第2期72-86,共15页
The rapid growth of artificial intelligence has accelerated data generation,which increasingly exposes the limitations faced by traditional computational architectures,particularly in terms of energy consumption and d... The rapid growth of artificial intelligence has accelerated data generation,which increasingly exposes the limitations faced by traditional computational architectures,particularly in terms of energy consumption and data latency.In contrast,data-centric computing that integrates processing and storage has the potential of reducing latency and energy usage.Organic optoelectronic synaptic transistors have emerged as one type of promising devices to implement the data-centric com-puting paradigm owing to their superiority of flexibility,low cost,and large-area fabrication.However,sophisticated functions including vector-matrix multiplication that a single device can achieve are limited.Thus,the fabrication and utilization of organic optoelectronic synaptic transistor arrays(OOSTAs)are imperative.Here,we summarize the recent advances in OOSTAs.Various strategies for manufacturing OOSTAs are introduced,including coating and casting,physical vapor deposition,printing,and photolithography.Furthermore,innovative applications of the OOSTA system integration are discussed,including neuromor-phic visual systems and neuromorphic computing systems.At last,challenges and future perspectives of utilizing OOSTAs in real-world applications are discussed. 展开更多
关键词 organic transistor arrays optoelectronic synaptic transistors neuromorphic systems system integration
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光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析 被引量:11
4
作者 郑云光 郭维廉 李树荣 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期105-107,128,共4页
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性,设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0.6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。
关键词 负阻晶体管 光电负阻晶体管 光电晶体管
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数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪 被引量:4
5
作者 胡文金 江永清 +2 位作者 吴英 柏俊杰 贾世军 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期341-344,402,共5页
针对光电耦合器应用过程中对其隔离性能及动态特性的测试需求,使用ADuc841微控制器设计了一种数字光电耦合器快速测试仪。介绍了基于DC-DC变换器输出高电压测试光电耦合器的隔离性能和使用变频、变宽的脉冲串测试其动态特性的基本原理,... 针对光电耦合器应用过程中对其隔离性能及动态特性的测试需求,使用ADuc841微控制器设计了一种数字光电耦合器快速测试仪。介绍了基于DC-DC变换器输出高电压测试光电耦合器的隔离性能和使用变频、变宽的脉冲串测试其动态特性的基本原理,给出了测试仪的硬件组成和软件实现方法。该测试仪已用于I/O卡的生产过程,表明该测试仪能够快速测试光耦的隔离电压及其动态特性。 展开更多
关键词 光电耦合器 特性 测试仪 DC-DC变换器 ADUC841
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光电双基区晶体管中的光控电流开关效应 被引量:5
6
作者 郭维廉 张培宁 +2 位作者 郑云光 李树荣 张世林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期19-21,30,共4页
光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控“S”型负阻特性及其光控电流开关效应。测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线。并利用电注入双基区晶体管的“S”型负阻产生机理解释了测得的结果。
关键词 光电负阻器件 光控电流开关 光电晶体管
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高灵敏度穿通型异质结光电晶体管 被引量:4
7
作者 李国辉 韩德俊 +4 位作者 韩卫 姬成周 朱恩均 周均铭 黄绮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期214-221,共8页
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管(GR-PTHPT),在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽,基极电流基本为零,输出噪声电流大大下降,使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的G... 报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管(GR-PTHPT),在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽,基极电流基本为零,输出噪声电流大大下降,使光电增益提高了一个量级以上。已研制成的GaAlAs/GaAs穿通型光电晶体管(发射极直径φ=4μm)。在5V工作电压下,对0.8μm,1.3nw和43nw弱光的光电增益分别为1260和8108。折合到输入端暗电流为0.83nA。 展开更多
关键词 高灵敏度 穿通型 异质结 光电晶体管
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基于CMOS图像传感器的重离子辐射探测方法及误差分析
8
作者 刘新飞 文林 +1 位作者 李豫东 郭旗 《原子能科学技术》 北大核心 2025年第12期2746-2754,共9页
CMOS图像传感器广泛应用于卫星的光电成像载荷,但空间辐射效应会导致其参数退化和缺陷像素增加,进而影响光电成像载荷输出图像的质量。辐射探测和辐射效应是一个问题的两个方面,为建立一套低成本探测重离子辐射水平的方法,本研究采用空... CMOS图像传感器广泛应用于卫星的光电成像载荷,但空间辐射效应会导致其参数退化和缺陷像素增加,进而影响光电成像载荷输出图像的质量。辐射探测和辐射效应是一个问题的两个方面,为建立一套低成本探测重离子辐射水平的方法,本研究采用空间辐射效应模拟试验关注的主要重离子之一钽(Ta)来开展CMOS图像传感器辐照试验,获得了不同重离子注量率、注量条件下CMOS图像传感器的参数和缺陷像素变化,分析了CMOS图像传感器对重离子注量和注量率最敏感的参数,通过对比利用这些参数进行探测时的非线性误差与灵敏度,得到了最适合进行探测的参数。本研究可为发展CMOS图像传感器辐射探测技术提供重要试验基础和技术支撑。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 重离子 辐射探测 注量 注量率
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有机光敏场效应晶体管研究进展 被引量:3
9
作者 杨盛谊 陈小川 +2 位作者 尹东东 施园 娄志东 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期803-808,共6页
有机半导体材料具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域。基于光诱导效应的光敏场效应晶体管的跨导可以用来放大光电流,是实现全有机图像传感器的很有前景的器件,其应用广泛。简单介绍了有机光敏场效应... 有机半导体材料具有轻质、廉价以及可与柔性衬底相兼容等诸多优点而广泛应用于光电子领域。基于光诱导效应的光敏场效应晶体管的跨导可以用来放大光电流,是实现全有机图像传感器的很有前景的器件,其应用广泛。简单介绍了有机光敏场效应晶体管的结构、工作原理及所用材料方面的国内外最新研究进展。 展开更多
关键词 有机光敏场效应晶体管 有机半导体 光诱导效应
原文传递
一种新型结构的光电负阻器件 被引量:2
10
作者 李丹 李树荣 +2 位作者 夏克军 郭维廉 郑云光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1078-1083,共6页
提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光... 提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管 (photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的 .由于两个NPN管到光电二极管的距离不同 ,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异 ,同时两个NPN管电流放大系数相差较大 ,最终导致器件负阻现象的出现 .文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟 ,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论 ,初步建立了器件模型 . 展开更多
关键词 光电器件 负阻 模拟 晶体管
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光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究 被引量:3
11
作者 沙亚男 李树荣 +3 位作者 郭维廉 郑云光 毛陆虹 张培宁 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期11-13,16,共4页
光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率... 光电双基区晶体管(PDUBAT)是一种能产生‘N’型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现PDUBAT在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振幅减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。 展开更多
关键词 双基区晶体管 光电负阻器件 光控脉冲振荡器
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光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制 被引量:2
12
作者 李树荣 郑云光 郭维廉 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1998年第5期545-550,共6页
考虑到负阻晶体管NEGIT的特点,设计和制造了在光照度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0.6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT并测量了其特性.
关键词 负阻晶体管 光电负阻晶体管 光电晶体管
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吸收因子对砷化镓高功率高速光导开关延迟时间的影响 被引量:1
13
作者 杜正伟 龚克 +1 位作者 孟凡宝 杨周炳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期125-126,124,共3页
本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间 ,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式 .结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时... 本文用由于禁带变窄引起的吸收边漂移造成的电子吸收来研究了砷化镓高功率高速光导开关的延迟时间 ,给出了初始开态场、照射激光波长和温度对延迟时间的影响的简单公式 .结果表明开关的半导体片对照射激光的吸收因子增大了开关的延迟时间 ,在计算中应该加以考虑 . 展开更多
关键词 砷化镓 光导开关 延迟时间 吸收因子
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基于光电三极管的激光监听实验的研究 被引量:3
14
作者 夏长超 曹文 张利巍 《黑龙江科技信息》 2012年第21期47-47,共1页
本文在综合型设计性实验的基础上,设计一种基于光电三极管的激光监听装置的模型,简要地介绍其实现方法,并对影响监听效果的因素进行分析。
关键词 激光监听 光电三极管 半导体激光器 信号放大与处理
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基于WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)异质结的红外探测器
15
作者 李萌 严一鸣 +2 位作者 刘秋佐 钟国舜 鹿利单 《激光与红外》 北大核心 2025年第8期1248-1252,共5页
二维材料范德瓦尔斯异质结构凭借其无需晶格匹配约束的特性,在微型化多波段光电探测领域展现出独特优势。本研究创新设计并构筑了一种由WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)vdWs异质结构组成的新型红外探测器结构,该结构是由N型WS_(2)、P型MoTe_(2)... 二维材料范德瓦尔斯异质结构凭借其无需晶格匹配约束的特性,在微型化多波段光电探测领域展现出独特优势。本研究创新设计并构筑了一种由WS_(2)/MoTe_(2)/MoS_(2)vdWs异质结构组成的新型红外探测器结构,该结构是由N型WS_(2)、P型MoTe_(2)、N型MoS_(2)组成的NPN型异质结。光电特性表征显示,该异质结具有卓越的光电探测能力,在532 nm激光波长下具有94 A/W的高响应度,2.5×10^(11)Jones的高比探测率,2.2×10^(4)%的高外量子效率,2.3 ms/5.1 ms的快速上升和下降响应时间,并可在可见光至近红外光谱区间(截止波长延伸至1310 nm)实现宽谱光响应。这一研究成果为开发室温环境下工作的宽谱红外探测器提供了新思路与新方法。 展开更多
关键词 红外探测器 异质结 范德瓦尔斯 NPN型
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硅光电负阻器件的构成原理与分类 被引量:2
16
作者 郭维廉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期120-126,共7页
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 。
关键词 硅光电器件 负阻器件 光电逻辑器件 分类 构成原理
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光敏晶体管漏电流变大的失效分析与控制 被引量:2
17
作者 薄鹏 张伟 孟猛 《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第4期11-13,共3页
论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理。通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理。从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个... 论述了某光敏晶体管CE极之间漏电流变大的失效机理。通过对器件电性能测试、结构解剖、扫描电镜检查和能谱分析,证实了银离子迁移是导致该光敏晶体管CE极漏电变大的主要失效机理。从理论上阐述了银离子迁移的环境条件,从生产和使用两个方面提出了避免或减少银离子迁移的控制措施。 展开更多
关键词 光敏晶体管 漏电流 银离子迁移 失效分析
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光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
18
作者 莫太山 张世林 +3 位作者 郭维廉 梁惠来 毛陆虹 郑云光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第8期1260-1263,共4页
光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负... 光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 . 展开更多
关键词 光电双向负阻晶体管 S型光电负阻 光控电流开关 数值模拟
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光致负阻双极型光电三极管2×8阵列设计
19
作者 陈炳若 陈长清 +1 位作者 黄启俊 辛火平 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期152-156,共5页
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了2×8阵列整体设计的初步方案及试验结果。
关键词 光电三极管 阵列 光致负阻 偏流隔离电阻
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高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
20
作者 韩德俊 李国辉 +1 位作者 王琦 韩卫 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第4期563-564,共2页
我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
关键词 高能注入 砷化镓 MESFET
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