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一种IGBT简化结温曲线计算方法 被引量：1
1
作者 刘杰 谢舜蒙 漆宇 《机车电传动》 2024年第2期165-170,共6页
文章基于离散积分原理实现对基波周期内的结温量化表达,开发了一种简化结温曲线方法,将包含详细结温信息的结温波动曲线转换为仅含关键结温信息的简化结温波动曲线,计算精度高,同时能够快速确定最大/最小结温及其出现时刻,极大地降低了... 文章基于离散积分原理实现对基波周期内的结温量化表达,开发了一种简化结温曲线方法,将包含详细结温信息的结温波动曲线转换为仅含关键结温信息的简化结温波动曲线,计算精度高,同时能够快速确定最大/最小结温及其出现时刻,极大地降低了计算负担。通过不同基波频率的结温仿真分析,文章所提方法能很好反映结温波动变化,计算精度高。相较于其他结温计算方法,文章所提方法的计算速度优势明显,适应于长时间尺度计算。最后,通过功率考核试验实测结温波动,验证了该方法的准确性。 展开更多
关键词 基波周期结温波动 简化结温曲线 IGBT 等效正弦半波损耗 等效热路法
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一种基于关断电压的IGBT模块结温监测方法
2
作者 兰尉尹 崔巍 +3 位作者 陈文轩 邹盈巧 李佳诚 葛兴来 《机车电传动》 2024年第2期132-139,共8页
实现准确的结温监测对增强绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块的可靠性、延长器件寿命至关重要。文章提出了一种基于关断电压的IGBT模块结温监测方法,具有不受负载电流干扰的特性。该方法首先验证了关断电压作为温敏电参数的合理性;其次,采用... 实现准确的结温监测对增强绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块的可靠性、延长器件寿命至关重要。文章提出了一种基于关断电压的IGBT模块结温监测方法,具有不受负载电流干扰的特性。该方法首先验证了关断电压作为温敏电参数的合理性;其次,采用深度神经网络(DNN),排除关断电压对负载电流的依赖,达到不同工况下保持准确结温预测的目的;最后,通过单相脉宽调制(PWM)进行试验验证。结果显示,该结温监测方法误差在±5℃的范围内,这表明利用DNN优化结温监测是可行的。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 结温监测 深度神经网络 温敏电参数 关断电压
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微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究 被引量：18
3
作者 杨洁 刘尚合 +1 位作者 原青云 武占成 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期111-114,158,共5页
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示... 为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。 展开更多
关键词 微波低噪声硅晶体管 方波电磁脉冲 敏感端对 灵敏参数 损伤功率 统计分布 损伤机理
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MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管 被引量：13
4
作者 金仲和 王跃林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1068-1071,共4页
金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比... 金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点 ,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能 .采用超薄结构后 ,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10 -13 A/ μm以下 ;开关比提高了近 10 0倍达到 3× 10 7以上 ;场效应迁移率从普通结构晶体管的 80cm2 /Vs(NMOS)与5 1cm2 /Vs(PMOS)分别提高到 110cm2 /Vs与 6 8cm2 /Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善 .文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较 。 展开更多
关键词 金属诱导结晶 多晶硅 薄膜晶体管 MILC
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不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型 被引量：2
5
作者 魏希文 李建军 +4 位作者 马平西 邹赫麟 王阳元 张利春 吉利久 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第9期528-538,共11页
本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、... 本文提出了一个不连续类氧化层界面多晶硅发射极晶体管理论模型,根据多晶/单晶硅界面的性质空穴分别以隧道方式或热发射方式通过界面的不同部位.计算机模拟的结果得到了类氧化层界面的连续性、多晶硅膜厚、类氧化层两边的界面态密度、类氧化层厚度和多晶/单晶硅界面杂质浓度峰值等参数与多晶硅发射极晶体管(PET)电学特性的关系. 展开更多
关键词 氧化层 界面 多晶硅 晶体管 模型
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塑封高压硅堆成品管内部结构测试分析 被引量：2
6
作者 王水凤 曾宇昕 刘南生 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2002年第1期57-60,共4页
针对塑封高压硅堆反向特性差的问题 ,采用“显微剖析”技术和“紫外荧光无损检测”(UVF)技术 ,对样管的内部结构及原材料进行测试分析 ,并与进口样管内部结构进行比较 ,找出了国产样管不足之处 。
关键词 塑封高压硅堆 成品管 内部结构 显微剖析 紫外荧光无损检测 半导体芯片 晶体管
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硅低温晶体管的研究 被引量：4
7
作者 魏同立 郑茳 冯耀兰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期107-109,共3页
本文从理论和实验上研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型阐明了低温时电流增益下降的机理,探讨了采用轻掺杂技术和a-Si发射区获得良好电性能的硅低温晶体管的方法,理论分析和实验结果吻合一致。
关键词 硅晶体管 低温特性 电流增益
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一种高性能的低温硅双极晶体管 被引量：1
8
作者 郭维廉 郑云光 +1 位作者 李树荣 张咏梅 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第8期30-35,共6页
本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的... 本文设计并研制出在液氮温度（７７Ｋ）下，ｈＦＥ≈３００；在１０Ｋ下，ｈＦＥ＝２１．７的高性能硅双极晶体管，此值优于文献报导的水平［７］．测量了该器件在７７Ｋ的ＩＣ，ＩＢ－ＶＢＥ特性和ｈＦＥ－１／Ｔ特性，并对这些曲线的解释进行了新的理论探讨。 展开更多
关键词 低温 晶体管 硅双极晶体管
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硅双极晶体管直流特性低温效应的研究 被引量：2
9
作者 郑茳 王曙 +3 位作者 王燕 吴金 魏同立 童勤义 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期173-179,共7页
从理论和实验上研究了硅双极晶体管直流特性的低温效应,建立了不同发射结结深的硅双极晶体管电流增益的温度模型,讨论了不同工作电流下H_(FE)的温度特性,并分析了大电流下基区展宽效应的温度关系。
关键词 低温 硅双极晶体管 直流特性
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超结IGBT的结构特点及研究进展 被引量：2
10
作者 张金平 肖翔 张波 《机车电传动》 北大核心 2021年第5期12-20,共9页
随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限。超结被誉为"功率MOS的里程碑",近年来也被引入IGBT以进一步提升器件性能。超结IGBT结合了场截止型IGBT和超结结构的优点,可在更短漂移... 随着绝缘栅双极型晶体管(IGBT)技术的发展,目前主流的场截止型结构越来越接近其理论极限。超结被誉为"功率MOS的里程碑",近年来也被引入IGBT以进一步提升器件性能。超结IGBT结合了场截止型IGBT和超结结构的优点,可在更短漂移区长度下实现高耐压和低损耗。然而,作为一种双极型器件,超结IGBT具有与超结MOSFET不同的工作原理。文章从超结原理出发,揭示了超结IGBT的结构特点和工作原理,并对超结IGBT的最新研究进展进行了梳理和概括。 展开更多
关键词 超结 绝缘栅双极型晶体管 结构特点 研究进展
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点接触平面栅型硅单电子晶体管 被引量：1
11
作者 孙劲鹏 王太宏 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期8-10,36,共4页
设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加... 设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系。对一个具有70nm宽通道的器件,先在其表面栅上施加很小的正偏压,然后又在其平面栅上施加负偏压耗尽通道,最终的研究结果显示在通道中形成了单个量子点。 展开更多
关键词 自对准技术 库仑振荡 点接触 平面栅型 硅单电子晶体管
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双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和开关特性的解析模型（Ⅰ） 被引量：1
12
作者 乐中道 龙忠琪 《浙江工业大学学报》 CAS 1995年第2期114-124,共11页
我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极... 我们拟采用最基本参数，饱和时间常数，和与此相关的半导体物理机理来分析双多晶硅自对准结构双极型晶体管工作于饱和的行为。全文分上、下二篇分别发表。本文为上篇，文中给出了在基区中正态模和逆向模的涉动电流和存贮电荷以及收集极外延层中的涉动电流和存贮电荷的解析分析；把它们表示成收集极传导电流Ｉｃ和收集极与基极之间电位差ＶＣＢ的函数。为在下篇中提出一个严格的解析模型提供理论基础。 展开更多
关键词 多晶硅发射极 饱和开关特性 晶体管 解析模型
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多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型
13
作者 郑云光 郭维廉 +5 位作者 李桂华 李树荣 蒋翔六 王阳元 张利春 吉利久 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期1-6,共6页
本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符... 本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。 展开更多
关键词 多晶硅 发射极 晶体管 GP模型
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氧化非晶硅发射极微波晶体管近期进展
14
作者 王因生 熊承堃 +4 位作者 盛文伟 张晓明 汪建元 茅保华 朱恩均 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期109-110,共2页
当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时... 当前,随着分子束外延和金属有机化学汽相淀积两种异质结工艺技术的日趋完善,化合物半导体材料的HBT器件其高频性能不断提高。据报道,GaAs/GaAlAs HBT器件的特征频率f_T已提高到105GHz,用GaAs/GaAlAs制成的环形振荡器其每门的传输延迟时间为5.5ps(室温下),功耗为20mW,这是目前最快的半导体三端开关器件。 在硅HBT器件研究中,近年来的报道集中在a-Si/c-Si异质结界面及其HBT的直流特性上,研究如何利用异质界面的高注入来获得尽可能高的电流增益和低的基区电阻。然而,直到目前仍未见到a-Si HBT高频性能的报道。本文首先报道采用氢化非晶硅发射极。 展开更多
关键词 微波 晶体管 氢化 非晶硅 发射极
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在大注入下多晶硅发射极晶体管特性模拟与理论分析
15
作者 郑云光 李斌桥 +6 位作者 李树荣 郭维廉 高松 张建杰 王阳元 张利春 马平西 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期96-99,共4页
本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注人模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输人特性、输出特性、电流增益和频率特性（ｆｒ和ｆｍａｘ），并对一些特性... 本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－ＦｅｎｇＣｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注人模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输人特性、输出特性、电流增益和频率特性（ｆｒ和ｆｍａｘ），并对一些特性曲线进行了分析．此程序可用于研究ＰＥＴ特性与器件结构参数之间的关系． 展开更多
关键词 多晶硅 发射极晶体管 大注入模型
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高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
16
作者 邓建国 刘英坤 +5 位作者 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期477-479,共3页
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc... 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管，该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作，宽带输出功率大于50 W，增益大于7.4 dB，效率大于36%；在Vcc=36 V时，宽带输出功率大于64 W，增益大于8.5 dB，效率大于36%，抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁，表现出了良好的微波性能和高的可靠性。 展开更多
关键词 硅 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管
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硅晶体管禁带宽度的测定方法
17
作者 郑茳 冯耀兰 魏同立 《应用科学学报》 CAS CSCD 1990年第2期126-130,共5页
禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子... 禁带宽度是硅晶体管的一个重要物理参数.本文提出了根据晶体管发射结pn结反向饱和电流在发射区部分的温度特性和集电结正向偏置电压的温度特性,利用线性外推法确定硅晶体管各区域禁带宽度的新方法.由于发射区重掺杂,本文还考虑了载流子的简并情况. 展开更多
关键词 硅晶体管 禁带宽度 测定 外推法
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低温双极器件的研究(Ⅰ)
18
作者 郑茳 魏同立 孟江生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期23-29,共7页
本文从理论和实验二方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理及其与发射区杂质浓度的新关系,在此基础上探讨了获得具有良好电性能的硅低温晶体管的方法。
关键词 低温双极器件 电流增益 低温模型 硅晶体管 低温晶体管 低温物理
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适用于液氮温度工作的硅双极晶体管
19
作者 肖志雄 郑茳 +1 位作者 吴金 魏同立 《高技术通讯》 CAS CSCD 1994年第9期12-15,共4页
硅双极晶体管电流增益具有正温度系数，这使得普通硅双极器件电流增益在液氮温度下严重退化，失去了放大能力。本文分析了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度相关性，优化设计和选取了发射区掺杂浓度和发射区宽度，成功地研制了液氮温度... 硅双极晶体管电流增益具有正温度系数，这使得普通硅双极器件电流增益在液氮温度下严重退化，失去了放大能力。本文分析了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度相关性，优化设计和选取了发射区掺杂浓度和发射区宽度，成功地研制了液氮温度下电流增益高达２００的硅双极晶体管。 展开更多
关键词 多晶硅 晶体管 液氮 温度
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基于ATLAS新型硅磁敏三极管特性仿真研究
20
作者 赵晓锋 温殿忠 +2 位作者 潘东阳 王志强 修德军 《黑龙江大学工程学报》 2011年第4期84-89,共6页
通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响。仿... 通过分析矩形板状立体结构新型硅磁敏三极管基本结构、工作原理和特性,采用Silvaco的ATLAS软件建立新型硅磁敏三极管仿真结构模型,研究基区宽度、复合基区长度等几何结构参数对新型硅磁敏三极管I-V特性、磁电特性和温度特性的影响。仿真结果表明,新型硅磁敏三极管仿真结构模型具有正反向磁灵敏度、集电极电流具有负温度系数,与新型硅磁敏三极管实验特性比较,分析给出几何结构参数对新型硅磁敏三极管特性的影响。 展开更多
关键词 新型硅磁敏三极管 仿真结构模型 磁灵敏度 ATLAS
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